Page 1
КТ368АМ, БМ, ВМ
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в
усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий
• аАО.365.025 ТУ / 02
Особенности
• Диапазон рабочих температур от - 60 до + 100°C
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ368АМ,БМ, ВМ при Т
окр. среды
= +25 °С
Паpаметpы Обозначение Ед. изм. Режимы
измеpения
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=15B, Iэ=0 0,5
Обратный ток эмиттера Iэбo мкА Uэб=4B 1,0
Статический коэффициент передачи тока h21Е Uкб=1B, Iэ= 10мA
КТ368АМ 50 450
КТ368БМ 50 450
КТ368ВМ 100 450
Коэффициент шума для КТ368АМ Кш дБ Uкб=5B, Iэ= 10мкА,
Граничное напряжение Uкэо гр В
Напряжение насыщения база - эмиттер Uбэ(нас) В Iк=20мА, Iб=2,0мA 0,9 -1,35
Емкость коллекторного перехода Cк пФ Uкб= 5B, f=107 Гц - 1,7
Емкость эмиттерного перехода Cэ пФ Uэб= 1B, f=107 Гц - 3
Постоянная времени цепи
обратной связи
τ
к
пс Uкб=5B, Iэ= 10мА,
7
f=6*10
Rг =75 Ом
Iэ=10мА, tи ≤ 500
мкс, Q ≥ 100
F=3*10
Гц,
7
Гц
Min Max
- 3,3
15 -
- 15
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368АМ-ВМ
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение Примечание
Напряжение коллектор-база Uкб max В 15 1
Импульсное напряжение коллектор-база Uкб и max В 20 1,2
Напpяжение коллектоp-эмиттеp Uкэr max В 15 1,4
Импульсное напpяжение коллектоp-эмиттеp Uкэr и max В 20 1,2
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4 1
Постоянный ток коллектора (эмиттера) Iк (э) max мА 30 1
Постоянный импульсный ток коллектора
(эмиттера)
Рассеиваемая мощность коллектора при
температуре окружающей среды:
от - 60 до + 65 °С
при температуре 100 °С
Тепловое сопротивление транзистора
переход-среда
Температура перехода Tп max
Iк (э) max мА 60 1,2
Pк max мВт
225 130 3
Rt п-ср
°С / Вт
°С
380 -
150 -
Примечания к таблице 2:
1. Для всего диапазона рабочих температур
2. При длительности импульса не более 0,5 мс, скважности не менее 2.
3. В диапазоне температур от 65 до 100
°С мощность снижается по линейному закону.
4. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при токе эмиттера 10 мА.
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
КТ368А9,Б9
кремниевый эпитаксиально-планарный
биполярный n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный СВЧ биполярный n-p-n транзистор. Предназначен для
использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты, а также другой
радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Зарубежные прототипы
• прототипы BF599, KSC2757
Особенности
• рабочий температурный диапазон от - 60 до + 100 °С
Обозначение технических условий
• аАО.336.716 ТУ / 02
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Коллектор
№2 База
№3 Эмиттер
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
Таблица 3. Основные электрические параметры КТ368А9,Б9
Паpаметpы Обозна-
чение
Граничное напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. В tu≤500мкс Q≥100
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=15В, Iэ=0 0,5
Обратный ток эмиттера Iэбо мкА Uэб=4В, Iк=0 1
Статический коэффициент передачи тока h
Емкость коллекторного перехода Ск пФ Uкб=-5В, Iэ=0, f=10МГц
Постоянная времени цепи обратной связи к пс Uкб=-5B Iэ=10мА f=30МГц 15
Ёмкость эмиттерного перехода Сэ пФ Uэб=1В f=10МГц 3
Входное сопротивление в схеме с общей
базой в режиме малого сигнала
Коэффициент шума (КТ368А9) Кш дБ Uкб=-5B, Iк= 10мA
Граничная частота коэффициента
передачи тока
Uкэ=1B, Iк=10мA 50 300
21э
h11б Ом
fгр. МГц Uкб=-5B, Iк= 10мA 900
Ед.
измеp
Режимы измеpения Min Max
Iэ= 10мA
Uкб=-5B Iэ=10мА
f=1кГц
f=60МГц Rг=50Ом
15
1,7
3,3
6
Таблица 4. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ368А9,Б9
Параметры Обозначение Единица измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 15
Импульсное напряжение коллектор-база Uкб, и max В 20
Напpяжение коллектоp-эмиттеp
(Rбэ=1кОМ)
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора (эмиттера) Iк(э) max mА 30
Импульсный ток коллектора (эмиттера) Iк(э)и max mА 60
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max мВт 100
Температура перехода Тj
Uкэr max В
°С
15
125
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
4
Page 5
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КТ368 (январь 2011г., редакция 1.0)
5
Loading...