Page 1
у)
КТ3117
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Импульсный высокочастотный n-p-n транзистор. Предназначен для использования в оперативных и
постоянных запоминающих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для
народного хозяйства
КТ-26 КТ1-7 (Вид сверх
Обозначение технических условий
• аАО.336.262 ТУ
Корпусное исполнение
• металлический корпус КТ1-7 (ТО-18) – КТ3117А, Б
• пластмассовый
корпус КТ-26 (ТО-92) – КТ3117А1
Назначение выводов
Вывод
(корпус КТ1-7)
Назначение
(корпус КТ1-7)
Вывод
(корпус КТ-26)
КТ1-7
Назначение
(корпус КТ-26)
№1 База №1 Эмиттер
№2 Эмиттер №2 База
№3 Коллектор №3 Коллектор
КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3117А1 (корпус КТ-26) при Т
окр. среды
= 25 °С
Паpаметpы Обозначение Ед.
измеp
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб=60B,Iэ=0 10
Статический коэффициент передачи
тока
Напряжение насыщения коллекторэмиттер
Напряжение насыщения база - эмиттер Uбэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 1,2
Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=10B, Iэ=0,
Емкость эмиттерного перехода* Сэ* пФ 80
Граничная частота коэффициента
передачи тока*
h21Е Uкб=-5B,Iэ=200мA 40 200
Uкэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 0,6
Fгр* MГц 200
Режимы измеpения Min Max
10
f=10MГц
* Справочные параметры
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ3117А1 (корпус КТ-26)
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 60
Напpяжение коллектоp-эмиттеp Uкэ max В 60
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 400
Импульсный ток коллектора Iки max мА 800
Постоянная рассеиваемая мощность
коллектора
Температура перехода Tj °C 150
Рк max мВт 500
КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ3117А, Б (корпус КТ1-7) при Т
окр. среды
= 25 °С
Паpаметpы Обозначение Ед. изм. Режимы измеpения Min Max
Обратный ток коллектора
КТ3117А
КТ3117Б
Статический коэффициент передачи
тока
КТ3117А
КТ3117Б
Напряжение насыщения коллекторэмиттер
Напряжение насыщения база - эмиттер Uбэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 1,2
Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=10B, Iэ=0,
Емкость эмиттерного перехода* Сэ* пФ Uбэ=0B f=10Гц 80
Iкбо мкА
Uкб=60B
Uкб=75B
h21Е Uкб=-5B,Iэ=200Мa
f=50Гц
Uкэ(нас) В Iк=500мА,Iб=50мA 0,6
7
Гц
f=10
10
10
40
100
10
200
300
Граничная частота коэффициента
передачи тока*
Fгр* MГц 200
* Справочные параметры
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ3117А, Б (корпус КТ1-7)
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
А Б
Напряжение коллектор-база Uкб max В 60 75
Напpяжение коллектоp-эмиттеp Uкэ max В 60 75
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 4 4
Постоянный ток коллектора Iк max мА 400 400
Импульсный ток коллектора Iки max мА 800 800
Постоянная рассеиваемая мощность
коллектора
Температура перехода Tj °C 150 150
Рк max Вт 0,3 0,3
КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КТ3117 (январь 2011г., редакция 1.0)
4
Loading...