Page 1
КП778
мощный вертикальный
n-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и
преобразователях с непрерывным испульсным управлением, схемах управления электродвигателями и
других блоках и узлах радиоэлектронной
Зарубежные прототипы
• Прототип – IRFP250
аппаратуры.
Обозначение технических условий
• АДБК 432140.811 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-43 (ТО-218)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
КП778 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КП778
Паpаметpы Обозначе
Ед.изм. Режимы измеpения Min Max
ние
Поpоговое напpяжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2.0 4.0
Ток стока Iс А
КП778А
КП778Б
КП778В
Сопpотивление сток-исток в
Rси отк Ом
откpытом состоянии
КП778А
КП778Б
КП778В
Остаточный ток стока
Iс ост мкА Uси=200,Uзи=0
КП778А,Б
tи ≤300мкс. Q ≥50
Uси=3.0B,Uзи=10В 30
tи ≤300мкс. Q ≥50
Iс=18А,Uзи=10В
Iс=16А
Iс=13А
Uси=250,Uзи=0
25
23
-
-
-
-
-
0.085
0,12
0,14
250
250
КП778В
Ток утечки затвора Iз ут нА
Кpутизна ВАХ S А/B
КП778А
Iс=18А Uси=50В,
КП778Б
КП778В
Прямое напряжение диода
Uпр В
КП778А
КП778Б
КП778В
Время включения/выключения
* tвкл/
tвыкл
нс
КП778А
КП778Б
КП778В
Тепловое сопротивление
* Rt п-к
°С/Вт
Uси=0,Uзи=±20В
tи ≤300мкс. Q ≥50
Iс=16А
Iс=13А
tи ≤300мкс. Q ≥50
Ic=-30A,Uзи=0
Ic=-25A
Ic=-23A
Uси=100В,Iс=30А,
Rc=3.2Ом,Rг=6.2 Ом
Uси=100В,Iс=17А,
Rc=5,8Ом,Rг=4,7 Ом
Uси=100В,Iс=23А,
Rc=5,4Ом,Rг=6.2 Ом
0.65
- +100
12
8
11
-
-
-
2.0
1,8
1,8
140/190
160/250
120/180
переход-корпус
Входная емкость * C
Выходная емкость * C
Пpоходная емкость * C
Время обратного восстановления
диода
КП778А
КП778Б
КП778В
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц 4000
11и
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц 1100
22и
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц 350
12и
t
вос
нс
Iпр=30А, dI/dt=100 А/мкс
tи ≤300мкс. Q ≥50
Iпр=30А, dI/dt=100 А/мкс
tи ≤300мкс. Q ≥50
Iпр=30А, dI/dt=100 А/мкс
540
630
560
tи ≤300мкс. Q ≥50
* Справочные параметры
КП778 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
2
Page 3
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП778
Паpаметpы Обозна- Ед. Пpедельные значения
чение изм. А
Б В
Напpяжение сток-исток Uси max В 200 200 250
Напpяжениезатвор-исток Uзи max В ±20 ±20 ±20
Постоянный ток стока Iс max А 30 25 23
Импульсный ток стока Iс и max А 120 100 92
Рассеиваемая мощность Pmax Вт 190 190 190
Прямой ток диода Iпр. max А 30 25 23
Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 150 150 150
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КП778 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
3
Loading...