Datasheet kp771 Datasheet [ru]

Page 1
КП771
мощный вертикальный
n-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках
вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках
Зарубежные прототипы
• Прототип – STP40N10
и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C
Обозначение технических условий
• АДБК 432140.767 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
КП771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры КП771
Паpаметpы Обозначение Ед.изм.
Режимы измеpения Min Max
Поpоговое напpяжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2.0 4.0 Ток стока КП771А КП771Б КП771В Сопpотивление сток-исток в откpытом состоянии КП771А КП771Б КП771В
Iс А
tи ≤300мкс. Q ≥50
40
Uси=2.2B,Uзи=10В 35
30
Rси отк Ом
tи ≤300мкс. Q ≥50
Iс=20А,Uзи=10В
0.04
0.055 0,077
Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0 250 Ток утечки затвора Iз ут нА Кpутизна ВАХ S А/B
Uси=0,Uзи=±20В
tи ≤300мкс. Q ≥50
-100 +100
Uси=25В,Iс=20А 14
Прямое напряжение диода
Uпр В
Время включения/выключения * tвкл/ tвыкл нс
Тепловое сопротивление
* Rt п-к
°С/Вт
tи ≤300мкс. Q ≥50
Ic=40A,Uзи=0
tи ≤1мкс. Q ≥1000,
Uси=80В,Iс=20А,
Rг=4.7 Ом ,Uзи=10В
1.0
1.6
220/
170
переход-корпус Входная емкость КП771А,Б КП771В Выходная емкость КП771А,Б КП771В Пpоходная емкость КП771А,Б КП771В
* C
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц
11и
* C
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц
22и
* C
пФ Uзи=0,Uси=25В, f=1МГц
12и
2800 3000
800
1000
200 300
* Справочные параметры
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП771
Паpаметpы Обозна- Ед. Пpедельные значения
чение изм. А
Б В
Напpяжение сток-исток Uси max В 100 100 100 Напpяжениезатвор-исток Uзи max В ±20 ±20 ±20 Постоянный ток стока Iс max А 40 35 30 Импульсный ток стока Iс и max А 160 160 120 Рассеиваемая мощность Pmax Вт 150 150 150 Прямой ток диода Iпр. max А 40 35 40 Темпеpатуpа пеpехода Тпеp °С 175 175 175
КП771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
2
Page 3
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КП771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
3
Loading...