Page 1
КП7173А
полевой транзистор с изолированным
затвором, обогащением n-канала и
встроенным двухсторонним стабилитроном
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением nканала, встроенным в цепь «затвор-исток» двухсторонним стабилитроном, предназначенный для
использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения,
быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах,
телекоммуникационных системах и другой
радиоэлектронной аппаратуре.
Зарубежный прототип
• STP4NK60Z фирмы STMicroelectronics
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 45 до + 125°C
• Климатическое исполнение категории 5.1 ГОСТ15150
Обозначение технических условий
• АДБК 432140.330 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220AB)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
1
Page 2
Таблица 1. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Буквенное
обозначение
Норма
параметра
Максимально допустимое напряжение сток-исток, U
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В U
Максимально допустимый постоянный ток стока
(Т
от минус 45 до 25 °С), А
кор
1)
Максимально допустимый постоянный ток стока
(Т
= 100 °С), А
кор
Максимально допустимый импульсный ток стока
(t
≤ 300 мкс), А
и
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода
(Т
= 25 °С), А
кор
Максимально допустимый импульсный прямой ток
диода, А
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при
температуре корпуса от минус 45 до 25 °С, Вт
Максимально допустимая температура перехода, °С
2)
Т
Тепловое сопротивление переход - корпус, °С/Вт R
1)
В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С значение I
графиком, приведенным на рисунке 13.
2)
В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С максимально допустимую рассеиваемую
мощность рассчитывают по формуле: Р
mах
= (Т
пер mах
- Т
кор
) / R
θпер-кор
снижается в соответствии с
C mах
600
СИ.mах
ЗИ mах
I
4,0
C mах
I
2,5
C mах
I
16
C(и) mах
I
4,0
пр.mах
16
I
пр,и mах
Р
70
mах
150
пер.mах
θпер-кор
±30
1,78
Таблица 2. Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в течение наработки
Норма
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Остаточный ток стока I
(UЗИ = 0 В, U
(UЗИ = 0 В, U
Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, U
= 600 В), мкА - 20 25
СИ
= 600 В), мкА - 200 125
СИ
=0 В), мкА
СИ
Буквенное
обозначение
параметра
С ост
-
I
З ут
не менее не более
⏐±20⏐
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
Температура
корпуса,
°С
25
2
Page 3
Таблица 3. Справочные данные транзистора КП7173А при Т
Наименование параметра, режим и условия
измерения, единица измерения
Остаточный ток стока
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 600 В), мкА
СИ
Буквенное
обозначение
I
С ост
Ток утечки затвора
I
= ±20 В, U
(U
ЗИ
= 0 В), мкА
СИ
З ут
Ток стока
(U
= 10 В, UСИ = 12 В, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
= 10 В, IС = 2,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом
(U
ЗИ
R
СИ отк
Крутизна характеристики
= 25 В, IС = 2,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А/В
(U
СИ
Постоянное прямое напряжение диода
(U
= 0 В, Iпр = 4,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
ЗИ
Пороговое напряжение
(U
= UCИ, IС = 50 мкА), В
ЗИ
U
U
ЗИ.пор
Максимально допустимая энергия одиночного
импульса, рассеиваемая транзистором в режиме
лавинного пробоя
(U
= 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом,
СИ
L = 13,7 мГн, T
= 25 °C), мДж
пер нач.
Е
Максимально допустимая энергия повторяющихся
импульсов, рассеиваемая транзистором в режиме
лавинного пробоя
(U
= 50 В, IС = 4 А, Rг = 25 Ом, RC = 3 Ом,
СИ
L = 0,28 мГн, T
= 25 °C, f = 50 Гц), мДж
кор
Е
= (25±10) °С
КОР
Значение параметра
Мин. Типовое Макс.
- -
I
4,0 - -
С
- -
10
⏐±10⏐
- - 2,0
S 2,4 - -
- - 1,6
пр
3,0 - 4,5
- - 120
AS
AR
-
-
2,4
Входная емкость
(U
= 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ
ЗИ
Выходная емкость
(U
= 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ
ЗИ
Проходная емкость
(U
= 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ
ЗИ
Время включения
(I
= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ = 10 В), нс
С
Время выключения
(I
= 2,0 А, UСИ = 300 В, Rг = 4,7 Ом, UЗИ = 10 В), нс
С
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
С
- - 1100
11И
С
- - 110
22И
С
- - 30
12И
t
- - 60
вкл
t
- - 80
выкл.
3
Page 4
Таблица 4. Основные электрические параметры при приемке и поставке
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Остаточный ток стока I
(UЗИ = 0 В, U
(UЗИ = 0 В, U
(UЗИ = 0 В, U
= 600 В), мкА - 10 25
СИ
= 600 В), мкА - 100 125
СИ
= 500 В), мкА - 10 (-45)
СИ
Ток утечки затвора (UЗИ = ±20 В, UСИ = 0 В), мкА
Ток стока
(U
= 10 В, UСИ = 12 В, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(U
= 10 В, IС = 2,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом
ЗИ
Крутизна характеристики
(U
= 25 В, IС = 2,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А/В
СИ
Пороговое напряжение
(U
= UCИ, IС = 50 мкА), В
ЗИ
Постоянное прямое напряжение диода
(U
= 0 В, Iпр = 4,0 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
ЗИ
Буквенное
обозначение
параметра
С ост
-
I
З ут
I
4,0 - 25
С
R
- 2,0 25
СИ отк
S 2,4 - 25
U
3,0 4,5 25
ЗИ.пор
U
- 1,6 25
пр
Норма
не
менее
не
более
⏐±10⏐
Темпе-
ратура,
корпуса
(среды), °С
25
Указания по применению и эксплуатации транзистора
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ 11630, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с
дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзисторов – использование в источниках питания телевизионных приемников,
драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных
аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и другой радиоэлектронной аппаратуре,
изготавливаемой для народного хозяйства.
Допускается применение транзисторов, изготовленных
в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3-4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14, ЭП-730 по
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
Допустимое значение статического потенциала 1000 В в соответствии с ОСТ 11 073.062. Степень
жесткости – V.
Транзисторы пригодны для монтажа в
аппаратуре методом групповой пайки и паяльником.
Режим и условия монтажа транзисторов в аппаратуре – по ОСТ 11 336.907.0. Расстояние от корпуса до
места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. Температура припоя не выше 265 °С. Время
пайки не более 4 с. Время лужения не более 2 с. Число допустимых перепаек выводов транзисторов
при
проведении монтажных (сборочных) операций не более трех.
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
4
Page 5
Допускаются другие режимы пайки при условии сохранения целостности конструкции и надежности
транзисторов, что подтверждается проведением ресурсных испытаний на предприятии потребителе.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий.
При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие
требования:
• для улучшения теплового баланса установку транзисторов на радиатор необходимо
осуществлять с
помощью теплопроводящих паст;
• запрещается припайка теплоотвода корпуса к радиатору;
• в случае необходимости изоляции корпуса транзистора от радиатора, необходимо учитывать
тепловое сопротивление изолирующей прокладки или пасты;
• рекомендуемая схема крепления транзисторов на радиаторе приведена на рисунке 1.
При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить
за корпус.
Расстояние
от корпуса до начала изгиба вывода – не менее 5 мм. Изгиб допускается в плоскости
перпендикулярной плоскости расположения выводов. Радиус изгиба (2,5±0,3) мм.
При изгибе и формовке выводов необходимо применять специальные шаблоны, а также обеспечить
неподвижность выводов между местом изгиба и корпусом транзистора.
Рисунок 1. Рекомендуемая схема крепления сборки в корпусе КТ-28-2
на радиаторе с использованием скобы (пружинной клипсы) при эксплуатации
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
5
Page 6
, мВ
950
900
850
800
750
700
650
600
550
500
450
400
350
00,511,522,533,544,555,56
I
Тпер = 25°С
Тпер = 150°С
, А
пр
U
пр
Рисунок 1. - Типовая зависимость прямого падения напряжения Uпр от
прямого тока диода I
при различных значениях температуры перехода
пр
S, А/В
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0,511,522,533,544,55
, А
I
С
Рисунок 2. - Типовая зависимость крутизны S от тока
стока I
при напряжении сток-исток UСИ = 25 В
С
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
6
Page 7
2
, Ом
R
СИ отк
1,95
1,9
1,85
1,8
1,75
1,7
1,65
1,6
00,511,522,533,54
Рисунок 3. - Типовая зависимость сопротивления сток исток в открытом состоянии R
тока стока I
при напряжении затвор-исток UЗИ = 10 В и температуре перехода Т
С
пер
, А
I
С
СИ отк
= 25 °С
от
9
, А
I
С
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25 30
Uси, В
Рисунок 4. - Типовая зависимость тока стока IC от напряжения сток- исток UСИ при различных
значениях напряжения затвор-исток Uзи и температуре перехода Т
= 25 °С
пер
Uзи = 10 В
Uзи = 8 В
Uзи = 7 В
Uзи = 6 В
Uзи = 5 В
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
7
Page 8
6
-Iпр, А
5
4
3
2
1
0
350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850 900 950
UСИ, В
Рисунок 5. - Типовая зависимость прямого тока диода Iпрот напряжения
сток-исток U
при различных значениях температуры перехода
СИ
Тпер = 25 °С
Тпер = 150 °С
Uпр, В
0,9
0,85
0,8
0,75
0,7
0,65
0123456
Рисунок 6. - Типовая зависимость прямого напряжения диода Uпр от
прямого тока диода I
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
при нормальных климатических условиях
пр
Iпр, А
8
Page 9
1,2
U
СИ.проб,норм
1,1
1
0,9
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Т
, °С
пер
Рисунок 7. - Нормализованная зависимость пробивного напряжения сток-исток от
температуры перехода при токе стока Ic=100 мкА (Uси.проб.(Tпер)/Uси.проб.(Тпер=+25°С)).
1,2
U
ЗИ.пор
U
ЗИ.пор(Тпер
= 25 °C)
1,1
1
0,9
0,8
0,7
0,6
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
Рисунок 8. - Нормализованная зависимость порогового напряжения затвор-исток
от температуры перехода Т
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
при токе стока IС = 50 мкА
пер
Т
, °С
пер
9
Page 10
R
R
СИ.отк(Тпер
СИ.отк
= 25 °C)
2,2
2,1
2
1,9
1,8
1,7
1,6
1,5
1,4
1,3
1,2
1,1
1
0,9
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
Т
Рисунок 9. - Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в
открытом состоянии от температуры перехода Т
затвор-исток U
= 10 В, токе стока IС = 4 А
ЗИ
при напряжении
пер
пер
,°С
R
СИ.отк(Тпер
R
СИ.отк
= 25 °C)
1,1
1,08
1,06
1,04
1,02
1
0,98
0,96
0,94
0,92
15 20 25 30 35
Рисунок 10. - Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в открытом
состоянии от температуры перехода Т
токе стока I
= 2 А в диапазоне температур от 15 до 35 °С
С
при напряжении затвор-исток UЗИ = 10 В,
пер
, °С
Т
пер
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
10
Page 11
10
, А
I
С
1
Ограничение по Pmax
Ограничение по Rси
Ограничение по Iс max
0,1
0,01
0,01 0,1 1 10 100 1000
UСИ, В
Ограничение по Uси max
Рисунок 11. - Область максимальных режимов по постоянному току
стока I
Т
и напряжению сток-исток UСИ при температуре корпуса
С
= 25 °С, температуре перехода Т
кор
не более 150 °С
пер
С, пФ
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
Рисунок 12. - Типовая зависимость входной (С
емкостей от напряжения сток исток U
f = 1 МГц
), выходной (С
11И
при напряжении затвор-исток Uзи = 0 В и частоте
СИ
) и проходной (С
22И
U
12И
С11И
С22И
С12И
, В
СИ
)
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
11
Page 12
4,5
, А
I
С max
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
Т
, °С
кор
Рисунок 13. Типовая зависимость максимального тока стока I
от температуры корпуса Т
кор
С max
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
КП7173А (февраль 2012г., редакция 1.1)
12
Loading...