Page 1
КП7128Б
мощный вертикальный
p-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
р-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначенны для использования в источниках
вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и
преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления
электродвигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре
хозяйства
, изготавливаемой для нужд народного
Зарубежный прототип
• Прототип – IRF5210
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 55 до + 150°C
Обозначение технических условий
• АДБК 432140.109 ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
КП7128Б (декабрь 2010г., редакция 1.0)
1
Page 2
г
г
г
г
x
Таблица 1. Основные электрические параметры КП7128Б при Т
= (25±10) °С
корп
Наименование параметра, режим и
условия измерения, единица измерения
Остаточный ток стока
= 0 В, UСИ = - 100 В), мкА
(U
ЗИ
Ток утечки затвора
(U
±20 В, UСИ = 0 В), нА
ЗИ =
Ток стока
= - 10 В, UСИ = - 4,0 В,
(U
ЗИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А
и
Постоянное прямое напряжение диода
(U
= 0 В, IС = 21 А,
ЗИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
и
Сопротивление сток-исток в открытом
состоянии *
= - 10 В, IС = - 24 А,
(U
ЗИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом
и
Крутизна характеристики
= - 25 В, IС = - 21 А,
(U
СИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А/В
и
Пороговое напряжение
= UСИ, IС = - 250 мкА), В
(U
ЗИ
Пробивное напряжение сток-исток
= 0, IС = -250 мкА
(U
ЗИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
и
Входная емкость
= 0 В, UСИ = -25 В, f = 1 МГц), пФ
(U
ЗИ
Выходная емкость
= 0 В, UСИ = - 25 В, f = 1 МГц), пФ
(U
ЗИ
Проходная емкость
(U
= 0 В, UСИ = - 25 В, f = 1 МГц), пФ
ЗИ
Время задержки включения
= - 21А, UСИ = - 50 В,
(I
С
R
= 2,5 Ом, Rс = 2,4 Ом), нс
Время задержки выключения
= - 21А, UСИ = - 50 В,
(I
С
R
= 2,5 Ом, Rс = 2,4 Ом), нс
Время нарастания
= - 21А, UСИ = - 50 В,
(I
С
= 2,5 Ом, Rс = 2,4 Ом), нс
R
Время спада
= - 21А, UСИ = - 50 В,
(I
С
= 2,5 Ом, Rс = 2,4 Ом), нс
R
Время обратного восстановления диода
= 21А, di/dt = 100 А/мкс,
(I
пр
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), нс
и
Заряд диода
= 21А, di/dt = 100 А/мкс,
(I
пр
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50), мкКл
и
Скорость нарастания напряжения на
диоде в режиме запирания
= - 21А, di/dt = - 480 А/мкс,
(I
пр
T
≤ 175 °С, Uси ≤ U
пер
си ma
* Значение параметра при Т
= (25±1) ºС
корп
Буквенное
обозначение
I
С ост
I
З ут
I
С
U
пр
R
СИ отк
S
U
ЗИ пор
СИ проб
U
С
11и
С
22и
С
12и
t
зд вкл
t
зд выкл.
t
нр
t
сп
t
вос обр
Q
dv/dt
Значение параметра
Min Типовое Max
⏐ - 35⏐
-
-
10
⏐ - 2,0⏐
⏐-100⏐
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
17
79
86
81
170
1,2
-
⏐-25⏐
⏐±100⏐
-
1,6
0,08
-
⏐ - 4,0⏐
-
3650
1000
650
35
160
170
160
260
1,8
-5,0
КП7128Б (декабрь 2010г., редакция 1.0)
2
Page 3
х
±
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП7128Б
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения
Буквенное
обозначение
Норма
параметра
Максимально допустимое напряжение сток-исток, при Т
/25 °С, В
корп
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В U
Максимально допустимый постоянный ток стока Ткорп ≤ 25 °С, А *
Максимально допустимый постоянный ток стока Ткорп ≤ 100 °С, А *
Максимально допустимый импульсный ток стока, А * I
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А I
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода, А I
Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая
транзистором в режиме лавинного пробоя
(U
= -25 В, IС = -21 А, Rг = 25 Ом, L = 3,5 мГн, T
СИ
нач = 25 °C), мДж
пер
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при температуре
корпуса от минус 55 до 25 °С, Вт **
Максимально допустимая температура перехода, °С
Максимально допустимая энергия повторяющегося импульса, рассеиваемая
транзистором в режиме лавинного пробоя
(U
= -25 В, IС = -21 А, Rг = 25 Ом, L = 68 мкГн, T
СИ
≤175 °C), мДж
пер
Тепловое сопротивление переход- корпус, °С/Вт
U
СИ mа
ЗИ mах
-35
I
C mах
-25
I
C mах
-122
C(и) mах
-35
пр.mах
-122
пр,и mах
Еаs
Р
mах
Т
пер.mах
Еаr
θпер-кор
R
-100
20
780
200
175
20
0,75
Тепловое сопротивление переход-среда, °С/Вт
R
θпер-ср
* Значения параметров определяются при условии не превышения Р
mах
.
** В диапазоне температур корпуса от 25 до 150 °С максимально допустимую рассеиваемую мощность
рассчитывают по формуле:
Р
mах
= (Т
пер mах
- Т
кор
) / R
θпер-кор
62
КП7128Б (декабрь 2010г., редакция 1.0)
3
Page 4
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
прототипы не подразумевают
КП7128Б (декабрь 2010г., редакция 1.0)
4
Loading...