Datasheet kp509 Datasheet [ru]

Page 1

КП509

n-канальный

МОП транзистор

Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в

телекоммуникационной и измерительной технике, вторичных источниках постоянного тока и напряжения, ограничителях тока, средствах автоматизации и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства

Зарубежный прототип

• прототип

BSS131

Обозначение технических условий

• АДКБ.432140.090 ТУ

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23)

Назначение выводов

Вывод Назначение

№1 Сток

№2 Затвор

№3 Исток

КП509 (декабрь 2010г., редакция 1.0)

Page 2

Таблица 1. Основные электрические параметры КП509 (Токр.ср.=25°С)

Паpаметpы Обозн. Ед.изм. Группа Режимы измеpения Min Max

Пробивное напряжение Uпроб В

Сопротивление сток-исток в

открытом состоянии *

Пороговое напряжение Uзи поp В

Крутизна характеристики * S А/B

Остаточный ток стока Iс ост мкА

Ток утечки затвора

Входная емкость Cвх пФ

Выходная емкость Cвых пФ

Проходная емкость Cпрох пФ

Rси отк Ом

Iз ут нА

А9, Б9 Uзи = 0 В, Iс = 250 мкА 240

В9 Uзи = 0 В, Iс = 250 мкА 200

А9, В9

Б9

А9, В9 Uзи = Uси, Iс = 1,0 мА 0,8 2,0

Б9 Uзи = Uси, Iс = 1,0 мА 0,6 1,2

А9, В9 Uси = 10 В, Iс = 0,1 А 0,06

Б9 Uси > 5 В, Iс = 0,25 А 0,14

А9

Б9

В9

А9, В9

Б9

А9, В9

Б9 140

А9, В9

Б9 30

А9, В9

Б9 9

Uзи = 10 В, Iс = 0,1 А 16 Uзи = 4,5 В, Iс = 0,1 А 26 Uзи = 4,5 В, Iс = 0,25 А 8 Uзи = 1,8 В, Iс = 0,014 А 15

Uси = 240 В, Uзи = 0 1,0 Uси = 130 В, Uзи=0 0,03 Uси = 240 В, Uзи = 0 20

Uси = 200 В, Uзи = 0 1,0 Uси = 100 В, Uзи=0 0,03

Uзи = ±20В Uзи = ±20В

Uзи = 0В, Uси = 25В, f = 1МГц

±10

±100

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КП509

Паpаметpы Обозначение Группа Ед. изм Значение

Ток стока * Iс max

Импульсный ток стока ** Iс имп max

Рассеиваемая мощность Pmax А9, Б9, В9 Вт 0,36 Напpяжение затвор-исток Пиковое напpяжение затвор-исток Темпеpатуpа пеpехода

Uзи max

Uзи max (пик)

Тпеp

А9, В9 А 0,1

Б9 А 0,25

А9, В9 А 0,4

Б9 А 1,0

А9, Б9, В9 В А9, Б9, В9 В А9, Б9, В9 °С

±14 ±20

-55 ÷150

* измерение параметров проводят при tи≤300мкс, Q≥50 ** длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода

КП509 (декабрь 2010г., редакция 1.0)

Page 3

Таблица 3. Параметры диода исток-сток КП509 (Токр.ср.=25°С)

Паpаметpы Обозн. Ед.изм. Группа Режимы измеpения Min Max

Прямое напряжение диода * Uпр В

Постоянный ток диода Iд А

Импульсный ток диода ** Iд имп А

А9, В9 Ic = -200 мA, Uзи = 0 В

Б9 Ic = -500 мA, Uзи = 0 В

А9, В9

Б9

А9, В9

Б9

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

КП509 (декабрь 2010г., редакция 1.0)