Datasheet HE316 Datasheet (MMC) [zh]

典型曲线

HE316

集成宽带放大器

1

性能特点

l

频率范围：3～50MHz

l

增益：11dB（典型值）
IP3(out)：32dBm（典型值）

l

l

大动态：1dB压缩输出20dBm

l

薄膜电路结构, 电性能稳定可靠

l

采用标准全密封TO-8金属管壳封装

电性能表 (50 测试系统，V = +15V，T =25℃)

性能参数 符号 单位 规范 值 典型值
频率范围 f ～f

小信号功率增益 Gp dB
增益平坦度

射频/微波集成放大器系列

噪声系数 Fn dB
输入驻波比
输出驻波比 VSWRo --
线性输出功率

工作电流 I CCmA 35

注：Vcc＝12V下Gp下降0.1dB，P 下降2.0dB，电流为28mA(TYP.)。

Fn ：10 ～110MHz,“*”f =50 MHz ；
规 范 值 中 带“Δ”的参数为常温参数。

极限参数

最高电源电压: +17VDC
最大输入功率: +13dBm
最高储存温度: +125℃

使用说明

1. 电路按右图连接,内部集成耦合电容，
C ＝3.3～22μF，C ＝1000～3300pF；

1 2

2. 静电敏感电路，使用中注意防静电；

3. 可提供盒体结构(SMA输出)SMA-2封
装类型的产品；

4. 外形尺寸和安装使用方法见本册附
后的《封装外形 尺寸及安装使用说
明》页。

Ω

CC A

L H

MHz

△Gp dB

VSWRi

P *

-1

--

dBm

-1

3～50

10

≥

1.0

≤

2.0 Δ

≤

2.0:1 Δ

≤

2.0:1 Δ

≤

20.0*Δ

≥

--

IN

2

3～110

11

± 0 . 3

1.3

1.7:1

1.7:1

21

1

4

2

3

TO-8F

+15V

C2

C1

1

OUT

OUT

4

外壳

13

11

Gain(dB)

2.0

1.8

VSWR

1.6

1.5

1.3

Fn(dB)

1.1

21

20

P-1(dBm)

19

增益与频率曲线

Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃

9

3

30

Frequency(MHz)

50

驻波比与频率曲线

VSWRo

VSWRi

Ta=+25℃
Ta=+85℃
Ta=- 55℃

50

3

30

Frequency(MHz)

噪声与频率曲线

3

30

Frequency(MHz)

功率与频率曲线

3

30

Frequency(MHz)

50

50

1-12

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