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桂林斯壯微電子有限責任公司
(T(T(T
AAA
===
252525
℃ unless
unless
unless
otherwise
otherwise
otherwise
noted
noted
noted
如無特殊說明，溫度爲 25 ℃ )))
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Power dissipation 耗散功率
P D (Ta=25 ℃ )
225mWForward Current 正 向電流
I
F
50 0
mA
Reverse V oltage 反向電壓
V
R
2 0
V
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
T
J
, T
stg
125 ℃ , - 40 to+150 ℃
GM6411=D2E
GM6411=D2E
GM6411=D2E
·
Characteristic
特性參數
Symbol符號Min
最小值
Ma x
最大值
Unit
單位
Reverse Breakdown V oltage 反向擊穿電壓
(IR= 60 0uA)
V
(BR)
2 0—V
Reverse Leakage Current 反向漏電流
(VR=2 0 V)
I R
—50uA
Forward Voltage(Test Condition) 正向電壓
IF= 1 0 mAdc
IF= 5 0mAdc
IF= 10 0mAdc
IF= 5 00mAdc
V
F
—
23 0
28 0
32 0
48 0
mV
Diode Capacitance 二極體電容
(V
R
=1 0
V,
f=1MHz)
CD—
2 0
pF
GM 6411
SCHOTTKY
SCHOTTKY
SCHOTTKY
▉ FEA TURES 特點
DEVICE
▉ DEVICE
DEVICE
ELECTRICAL
▉ ELECTRICAL
ELECTRICAL
Guilin
Guilin
Guilin
DIODE
DIODE
DIODE
MARKING
MARKING
MARKING
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
打標
肖特基二極管
Strong
Strong
Strong
Micro-Electronics
Micro-Electronics
Micro-Electronics
電特性
Co.,Ltd.
Co.,Ltd.
Co.,Ltd.
▉ SOT-23 内部结构
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GM 6411
■ DIMENSION
DIMENSION
DIMENSION
外形封裝尺寸
Guilin
Guilin
Guilin
Strong
Strong
Strong
Micro-Electronics
Micro-Electronics
Micro-Electronics
Co.,Ltd.
Co.,Ltd.
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