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GBI35A ... GBI35M
0.8
3.1
±0.2
11
±0.2
3.6
±0.2
4
±0.2
2.2
17.5
±0.2
1.0
2x7.510
20
±0.2
30
±0.2
4.6
±0.2
Type
Typ
5
±0.2
Version 2012-10-08
GBI35A ... GBI35M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Nominal current
35 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
50...1000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
30 x 3.6 x 18 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 7 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Dimensions - Maße [mm]
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
V
[V]
VRMS
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
[V] 1)
RRM
GBI35A 35 50
GBI35B 70 100
GBI35D 140 200
GBI35G 280 400
GBI35J 420 600
GBI35K 560 800
GBI35M 700 1000
Repetitive peak forward current
f > 15 Hz I
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
TA = 25°C I
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 800 A2s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
M3 7 ± 10% lb.in.
Zulässiges Anzugsdrehmoment
FRM
FSM
T
j
T
S
80 A 2)
400/450 A
-50...+150°C
-50...+150°C
0.8 ± 10% Nm
1 Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
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GBI35A ... GBI35M
Rated forward current vs. temp. of the case
in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
C
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4
VF0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
450a-(17 a-1,05v)
Characteristics Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
Max. rectified current with forced cooling
Dauergrenzstrom mit forcierter Kühlung
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 17.5 A V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = V
Thermal resistance junction to ambient air
TA = 50°C R-load
C-load
TC = 100°C R-load
C-load
RRM
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
F
I
R
R
thJA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to case
R
thJC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
RL [Ω]
GBI35A 25000 0.2
GBI35B 16600 0.3
GBI35D 10000 0.5
GBI35G 5000 1.0
5.0 A 1)
4.0 A 1)
35.0 A
30.0 A
< 1.1 V 2)
< 5 µA
< 8 K/W 1)
< 0.6 K/W
GBI35J 3300 1.5
GBI35K 2500 2.0
GBI35M 2000 2.5
1 Valid, if leads are kept to ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Valid for one branch − Gültig für einen Brückenzweig
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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