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Marketing Information
FZ 800 R 16 KF4
European PowerSemiconductor and
Electronics Company
screwing depth
max. 8
31,5
M4
28
C
16,5
61,5
130
114
E
G
2,5
18,5
18
C
E
7
M8
C
E
external connection
(to be done)
C
C
G
E
E
C
E
external connection
(to be done)
VWK Apr. 1997
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IGBT-Module
FZ 800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage V
CES
C
CRM
tot
GE
F
FRM
ISOL
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
CE sat
GE(TO)
ies
CES
GES
EGS
onvL
svL
fvL
Charakteristische Werte / Characteristic values
on
offRG
F
RMvRM
rvRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
thJC
thCK
vj max
c op
stg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
3
CMK1
CMK2
Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current I
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tp=1 ms I
Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor /transistor P
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage V
Dauergleichstrom DC forward current I
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1ms I
Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min. V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage iC=800A, vGE=15V, tvj=25°C v
iC=800A, vGE=15V, tvj=125°C - 4,4 4,8 V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC=65mA, vCE=vGE, tvj=25°C v
Eingangskapazität input capacity
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V
Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C i
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C - 60 - mA
Gate-Emitter Reststrom gate leakage current vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C i
Emitter-Gate Reststrom gate leakage current vCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C i
Einschaltzeit (induktive Last) turn-on time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t
=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 0,8 - µs
vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 1 - µs
Speicherzeit (induktive Last) storage time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t
=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 1,1 - µs
vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 1,3 - µs
Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) iC=800A,vCE=900V,vL=±15V t
=±15V, RG=2,4Ω, tvj=25°C - 0,25 - µs
vL=±15V, RG=2,4Ω, tvj=125°C - 0,3 - µs
1600 V
800 A
1600 A
6250 W
± 20 V
800 A
1600 A
3,4 kV
min. typ. max.
- 3,3 3,7 V
4,5 5,5 6,5 V
C
- 130 - nF
- 6 - mA
- - 400 nA
- - 400 nA
Transistor / Transistor
Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,vL=±15V E
RG=2,4Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 340 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse iC=800A,vCE=900V,vL=±15V E
=2,4Ω, tvj=125°C, LS=70nH - 180 - mWs
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung forward voltage iF=800A, vGE=0V, tvj=25°C v
- 2,4 2,8 V
iF=800A, vGE=0V, tvj=125°C - 2,2 - V
Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs I
=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 540 - A
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 660 - A
Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=800A, -diF/dt=4,5kA/µs Q
=900V, vEG=10V, tvj=25°C - 100 - µAs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C - 220 - µAs
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC R
0,02 °C/W
Diode /diode, DC 0,05 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module R
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t
0,01 °C/W
150 °C
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Innere Isolation internal insulation Al2O
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung / mounting torque terminals M6 / tolerance ±10% M1 3 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse / terminal connection torque terminals M4 / tolerance +5/-10% M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewicht weight G ca. 1500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µs VCC = 1000 V
vL = ±15V v
RGF = RGR = 2,4 Ω i
tvj = 125°C
CEM
i
= 1300 V
≈ 8000 A
≈ 6000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v
CEM
= V
CES
- 15nH x |dic/dt|
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FZ 800 R 16 KF4
1600
1400
i
C
[A]
1200
1000
800
600
400
200
0
1 2 3 4 5
FZ 800 R 16 KF4 / 1
vCE [V]
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15 V
tvj = 25°C
tvj = 125°C
1400
1200
i
C
[A]
1000
800
600
400
200
0
1 2 3 4 5
FZ 800 R 16 KF4 / 2
vCE [V]
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) /
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125°C
VGE =
20 V
15 V
12 V
10 V
9 V
8 V
i
[A]
1600
1400
C
tvj =
125 °C
25 °C
1200
1000
800
600
400
200
0
5 6 7 8 9 10 11 12
FZ 800 R 16 KF 4 / 3
vGE [V]
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
2000
i
C
[A]
1500
1000
500
0
0 500 1000 1500 2000
FZ 800 R 16 KF4 / 4
vCE [V]
Bild / Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich /
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C
vLF = vLR = 15 V
RG = 2,4 Ω
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10
Z
(th)JC
[°C/W]
10
FZ 800 R 16 KF4
-1
7
Diode
3
2
-2
7
5
4
3
IGBT
i
[A]
F
1600
1400
1200
1000
800
600
400
2
-3
10
-3
10
FZ 800 R 16 KF4 / 5
-2
2 3 4 5 7 2 3 4 5 7 2 3 4 5 72 3 4 5 7
10
Bild / Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) /
Transient thermal impedance (DC)
200
-1
10
0
10
10
t [s]
0
1
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5
FZ 800 R 16 KF 4 / 6
vF [V]
Bild / Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25°C
tvj = 125°C
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