Datasheet FF800R12KL4C Datasheet (Infineon)

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 12 KL4C

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2

t - value, Diode

I

T

= 80 °C I

C

= 25 °C I

T

C

= 1 ms, TC = 80°C I

t

P

=25°C, Transistor P

T

C

= 1 ms I

t

P

= 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C

V

R

V

CES

C,nom.

C

CRM

tot

V

GES

I

F

FRM

2

I

1200 V

800 A

1250 A

1600 A

5,0 kW

+/- 20V V

800 A

1600 A

t

140

kA2s

Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 800A, VGE = 15V, Tvj = 25°C V

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage

Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge

Eingangskapazität
input capacitance

Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current

C

= 800A, VGE = 15V, Tvj = 125°C

I

C

= 32mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C V

I

C

= -15V...+15V Q

V

GE

f = 1MHz,T

f = 1MHz,T

V

CE

V

CE

V

CE

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V C

vj

= 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C I
= 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C

= 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C I

V

ISOL

min. typ. max.

CE sat

GE(th)

ies

res

CES

GES

- 2,1 2,6 V

- 2,4 2,9 V

4,5 5,5 6,5 V

- 8,6 - µC

G

-56-nF

- 3,6 - nF

- 0,02 1,5 mA

- 1 - mA

- - 600 nA

2,5 kV

prepared by: Mark Münzer date of publication: 02.09.1999

approved by: M. Hierholzer revision: 2

1(8)

Seriendatenblatt_FF800R12KL4C

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 12 KL4C

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor

I

= 800A, VCE = 600V

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)

Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)

Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)

Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse

Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse

Kurzschlußverhalten
SC Data

Modulinduktivität
stray inductance module

C

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C - 0,29 - µs
I

= 800A, VCE = 600V

C

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C - 0,17 - µs
I

= 800A, VCE = 600V

C

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C

V

GE

VGE = ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C - 1,1 - µs
I

= 800A, VCE = 600V

C

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 25°C

V

GE

= ±15V, RG = 1,8Ω, Tvj = 125°C - 0,11 - µs

V

GE

I

= 800A, VCE = 600V, VGE = 15V

C

= 1,8Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH

R

G

I

= 800A, VCE = 600V, VGE = 15V

C

= 1,8Ω, Tvj = 125°C, LS = 70nH

R

G

tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 1,8Ω
TVj≤125°C, VCC=900V, V

CEmax=VCES -LsCE

·dI/dt

min. typ. max.

t

d,on

t

r

t

d,off

t

f

E

on

E

off

I

SC

L

sCE

- 0,27 - µs

- 0,16 - µs

-1-µs

- 0,1 - µs

- 120 - mWs

- 130 - mWs

- 5300 - A

- 20 - nH

Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip
module lead resistance, terminals – chip

=25°C R

T

C

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode

I

= 800A, VGE = 0V, Tvj = 25°C V

Durchlaßspannung
forward voltage

Rückstromspitze
peak reverse recovery current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy

F

= 800A, VGE = 0V, Tvj = 125°C

I

F

= 800A, - diF/dt = 5700A/µsec

I

F

V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C I

R

V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

IF = 800A, - diF/dt = 5700A/µsec
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Q
V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

IF = 800A, - diF/dt = 5700A/µsec
VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C E
V

= 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C

R

CC‘+EE‘

- 0,18 - mΩ

min. typ. max.

- 1,8 2,3 V

F

- 1,7 2,2 V

RM

rec

- 420 - A

- 710 - A

- 73 - µAs

r

- 170 - µAs

- 25 - mWs

- 60 - mWs

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Seriendatenblatt_FF800R12KL4C

Technische Information / Technical Information

g

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 12 KL4C

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässi
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operation temperature

Lagertemperatur
storage temperature

e Sperrschichttemperatur

Transistor, DC, pro Modul / per module
Transistor, DC, pro Zweig / per arm - - 0,0250 K/W
Diode/Diode, DC, pro Modul / per module - - 0,0210 K/W
Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm - - 0,0420 K/W
pro Modul / per module
pro Zweig / per arm; λ

Paste

min. typ. max.

R

thJC

R

thCK

/ λ

= 1 W/ m * K - 0,012 - K/W

grease

T

vj

T

op

T

stg

- - 0,0125 K/W

- 0,006 - K/W

- - 150 °C

-40 - 125 °C

-40 - 125 °C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix

Innere Isolation
internal insulation

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
clearance

CTI
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque

Gewicht
weight

terminals M4 M2 1,7 2 2,3 Nm
terminals M8 8 10 Nm

Al

2O3

17 mm

10 mm

275

M1 4,25 5 5,75 Nm

G 1500 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

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Seriendatenblatt_FF800R12KL4C

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

1600

1400

1200

1000

[A]
I

800

C

600

400

200

FF 800 R 12 KL4C

Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)

Tj = 25°C
Tj = 125°C

VGE = 15V

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical)

1600

1400

1200

1000

[A]
I

800

C

600

400

VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V

Tvj = 125°C

200

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5

VCE [V]

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

1600

1400

1200

1000

[A]
I

800

C

600

400

200

FF 800 R 12 KL4C

Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical)

Tj = 25°C
Tj = 125°C

VCE = 20V

0

5 6 7 8 9 10 11 12

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)

1600

1400

1200

1000

[A]
I

800

F

600

400

Tj = 25°C
Tj = 125°C

200

0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

VF [V]

5(8)

Seriendatenblatt_FF800R12KL4C

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E
Switching losses (typical)

350

300

250

200

E [mJ]

150

100

50

Eoff
Eon
Erec

FF 800 R 12 KL4C

VGE = +15V, R

gon

= f (IC) , E

off

= R

=1,8 ΩΩΩΩ, VCE = 600V, Tj = 125°C

goff

= f (IC)

rec

E [mJ]

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600

IC [A]

Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , E
Switching losses (typical)

500

Eoff
Eon

400

300

200

100

Erec

VGE = +15V, IC = 600A , VCE = 600V , Tj = 125°C

= f (RG) , E

off

= f (RG)

rec

0

024681012

RG [ΩΩΩΩ]

6(8)

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

0,1

thJC

Z

0,01

[K / W]

0,001

FF 800 R 12 KL4C

Transienter Wärmewiderstand Z
Transient thermal impedance

Zth:Diode pro Zweig / per arm

Zth:IGBT pro Zweig / per arm

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [sec]

thJC

= f (t)

i

ri [K/kW]

τi [sec]

ri [K/kW]

τi [sec]

: IGBT 11,4 9,9 1,7 1,9
: IGBT 0,004 0,04 0,19 0,5
: Diode 17,9 9,8 11,3 3
: Diode 0,003 0,03 0,05 0,5

1234

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) V

1800

1600

1400

1200

1000

[A]

C

I

800

600

400

200

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

IC,Modul
IC,Chip

= +15V, Rg = 1,8Ohm, Tvj= 125°C

GE

7(8)

VCE [V]

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Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules

FF 800 R 12 KL4C

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Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der
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In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in
Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify.
Please note, that for any such applications we urgently recommend

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- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.

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