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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
T
= 25°C V
vj
= 80°CKollektor Dauergleichstrom
T
c
T
= 25°CDC collector current
c
= 1ms, Tc= 80°C
t
p
= 25°C; Transistor
T
c
= 1ms I
t
p
CES
I
C, nom
I
I
CRM
P
V
GES
I
FRM
1200 V
200 A
C
tot
F
295 A
400
1040
+/- 20
200
A
W
V
A
400 A
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
V
R
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
I
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter saturation voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
C
= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
I
C
I
= 8mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
C
= -15V...+15V
V
GE
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
vj
V
V
V
CEsat
GE(th)
Q
C
C
I²t
ISOL
min. typ. max.
- 1,7 2,15 V
- 2,0 - V
5,0 5,8
-
G
ies
res
-
-
7,8
k A²s
2,5 kV
6,5
1,9
0,5
-
-
-
µC
nF14
nF
V
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
V
= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V
GE
= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
V
CE
date of publication: 2002-10-07
revision: 3.0approved: SM TM; Wilhelm Rusche
1 (8)
I
I
CES
GES
-
DB_DF200R12KE3_3.0
2002-10-07
mA - - 5
nA - 400
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
= 200A, VCC= 600V
I
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
SC data
Modulinduktivität
stray inductance module
C
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
V
GE
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
I
= 200A, VCC= 600V
C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
V
GE
= 200A, VCC= 600V
I
C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
V
GE
= 200A, VCC= 600V
I
C
VGE= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 25°C
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
V
GE
IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
V
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
GE
IC= 200A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
V
= ±15V, RG= 3,6Ω, Tvj= 125°C
GE
≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
t
P
= 900V, V
V
CC
CEmax
= V
CES
- L
σCE
·di/dt
min. typ. max.
t
d,on
- 0,25 - µs
- 0,30 - µs
t
- 0,09 - µs
r
- 0,10 - µs
t
d,off
- 0,55 - µs
- 0,65 - µs
t
- 0,13 - µs
f
- 0,18 - µs
E
on
E
off
I
SC
L
σCE
-
15
-
- 800
-
20
- mJ
- mJ35
- A
- nH
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
= 25°C
T
c
Charakteristische Werte / characteristic values
Inversdiode / free wheel diode
= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
I
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
F
= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
I
F
I
=200A, -diF/dt= 2000A/µs
F
V
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
R
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
=200A, -diF/dt= 2000A/µs
I
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
= 200A, -diF/dt= 2000A/µs
I
F
V
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
R
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
R
CC´/EE´
E
0,7 -
V
I
RM
- 1,65 2,15 V
F
- 1,65 - V
- 150 -
- 190 -
Q
r
- 20 -
- 36 -
rec
- 9 -
- 17 -
-
mΩ
A
A
µC
µC
mJ
mJ
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Charakteristische Werte / characteristic values
Chopperdiode / chopper diode
= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
I
Durchlassspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
F
I
= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
F
=300A, -diF/dt= 3000A/µs
I
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
=300A, -diF/dt= 3000A/µs
I
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
=300A, -diF/dt= 3000A/µs
I
F
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
V
R
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Übergangs Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Inversdiode / free wheel diode
Chopper Diode / chopper diode
pro Modul / per module
= 1W/m*K / λ
λ
Paste
grease
= 1W/m*K
V
I
RM
Q
E
rec
R
thJC
- 1,65 2,15 V
F
- 1,65
- 210 -
- 270 -
r
- 30 -
- 56 -
- 14 -
- 26 -
- - 0,12 K/W
-
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
- - 0,20 K/W
- - 0,15 K/W
R
thCK
- 0,01 -
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operation temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Gewicht
weight
Schraube M6 / screw M6
Anschlüsse / terminals M6 2,5 - 5,0
T
T
vj max
vj op
T
stg
- - 150
-40 -
Al
2O3
°C
125 °C
°C-40 - 125
425
-
M
3,0
6,0 Nm
MNm
G
340 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
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Technische Information / technical information
j
A
h)
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Ausgangskennlinie (typisch)
output characteristic (typical)
400
360
320
280
240
200
[A]
C
I
160
120
80
40
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IC= f(VCE)
VGE= 15V
V
[V]
CE
usgangskennlinienfeld (typisc
output characteristic (typical) T
400
360
320
280
240
200
[A]
C
I
160
120
80
40
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
V
[V]
CE
IC= f(VCE)
= 125°C
v
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
400
360
320
280
240
200
[A]
C
I
160
120
80
40
0
5678910111213
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
= f(VGE)
I
C
V
= 20V
CE
V
[V]
GE
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
400
350
300
250
200
150
100
[A] of free wheel diode
F
I
50
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
[V]
V
F
= f(VF)
I
F
600
525
450
375
300
225
150
75
0
[A] of chopper diode
F
I
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Technische Information / technical information
Schalt
h)
Schalt
h)
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
verluste (typisc
Switching losses (typical)
80
70
60
50
40
E [mJ]
30
20
10
0
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
Eon
Eoff
Erec
= f (IC) , E
E
on
VGE=±15V, R
[A]
I
C
off
=3,6Ω, V
G
= f (IC) , E
=600V, Tvj=125°C
CE
= f (IC)
rec
verluste (typisc
Switching losses (typical)
100
90
80
70
60
50
E [mJ]
40
30
20
10
0
0 4 8 12162024283236
Eon= f (RG) , E
VGE=±15V, IC=200A, VCE=600V, Tvj=125°C
Eon
Eoff
Erec
R
[Ω]
G
= f (RG) , E
off
= f (RG)
rec
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
1
0,1
[K/W]
thJC
Z
0,01
0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Z
= f (t)
thJC
Zth : IGBT
Zth : Inversdiode
Zth : Diode Chopper
i
r
[K/kW] : IGBT 50,44
i
τ
[s] : IGBT
i
1
6,499E-02
2,601E-02
ri [K/kW] : Inversdiode 11,3683,98
[s] : Inversdiode 6,499E-02 2,601E-02
τ
i
r
[K/kW] : Chopper Diode 63,07 75,68 8,53
i
τ
[s] : Chopper Diode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03
i
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
450
400
350
300
250
[A]
C
I
200
150
IC,Chip
IC,Modul
234
60,45 6,83 2,28
2,364E-03
1,187E-05
100,88 3,78
2,364E-03
1,187E-05
2,84
1,187E-05
V
=±15V, Tvj=125°C, R
GE
=3,6Ω
G
100
50
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
[V]
V
CE
DB_DF200R12KE3_3.0
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
DF200R12KE3
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
clearance distance
8 (8)
20 mm
11 mm
DB_DF200R12KE3_3.0
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Nutzungsbedingungen
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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