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Diotec
DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Rectifier Arrays Gleichrichter Sätze
Nominal power dissipation 1.2 W
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage 150 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0,6 g
Dimensions / Maße in mm Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
3
1 2
"DAP": com. anodes / gemeinsame Anode "DAN": com. kathodes / gemeinsame Kathode
1 2
3
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspannung
V [V] V [V]
R RM
DAN 208 100 150
DAP 208 100 150
Max. average forward rectified current, R-load T = 25°C I 1 A )
A FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak fwd. surge current, 50 Hz half sine-wave, T = 25°C I 10 A
A FSM
superimposed on rated load, one diode only
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast, für eine Diode
1
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+150°C
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) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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j
S
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DAN 208 / DAP 208 (1.2 W)
Diotec
Characteristics Kennwerte
Forward voltage T = 25°C I = 1 A V < 1.2 V
j F F
Durchlaßspannung
Leakage current T = 25°C V = 100 V I < 10 µA
j R R
Sperrstrom
Thermal resistance junction to ambient air R < 45 K/W )
thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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