Datasheet D911SH Datasheet (Infineon)

SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Elekt ri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al p rop ert ies

Höchstzulässige Wert e / Maximum rated val ues
Periodische Rüc kwärts- S pitze nsperrspannu ng

Kenndaten

repetiti ve p eak rever se vol tag es

Durchlaßstrom-Grenzeffekti vwert

Elektrische Eigenschaften

ma xi mu m R M S o n- stat e cur re nt

Dauergrenzstr om
aver ag e on-state current

Stoßstrom-Grenz wer t
sur g e current

Grenzlasti nteg ral
I²t- value

Max. Aussc halt verluste
max. turn-o ff loss es

Charakteri stisch e Wer te / Ch aracteristic values
Gleichsp errspan nung

contin uous direct re verse volt age

Durchlaßspa nnung
on-stat e voltag e

Schl eusens pannung
threshold vol tag e

Ersatzwi derstand
sl ope r esist ance

Durchlaßkennlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A
on-stat e c haract eristic

TTF

Spitzenwert d er D ur chlass ver zögerung ssp annu ng
peak valu e o f for ward r ecovery volt age

Sperrstrom

reverse current

Sp er r verz ögerung sladung
reco ver ed c har g e

Rüc kstro mspitz e

peak reverse r eco ver y c urr ent

Ausschaltverlust Energie
turn-off energ y

Ab kli ngsanf theit
reverse recovery softness factor

D 911SH

Tvj = 0°C... T

V

vj max

I

TC = 85°C, f= 5 0Hz
TC = 60°C, f= 5 0Hz

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

, tP = 10 ms

vj max

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = T

T

vj

= T

, tP = 10 ms

vj max

vjmax

IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V

= 2800V,

CL

clamp circuit LS  0, 25µH,
R

= 68Ω, D

CL

= 34DSH 65,

CL

failure rate λ < 10 0

Tvj = T

, iF = 2500A

vj max

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

T

T

vj

I

FM

Tvj = T

V

vj max

r

vj max

vj max

= T

, diF/dt = 5 000A/µs

vjmax

= 4000A

, vR = V

vj max

RRM

T

= T

vjmax

vj

IFM = 25 00A, -di/dt = 1 000A/µs,
V

= 2800V,

CL

clamp circuit LS  0, 25µH,
R

CL

T

vj

= 68Ω, D

= T

vjmax

= 34DSH 65, E

CL

IFM = 2500 A, VR = 2800 V,
dirr/dt

= 1000A/µs, t = 200ns

(i=0)

4500 V

RRM

1780 A

FRMSM

I

890

FAVM

I

FSM

I²t

W

4 MW

max

V

estimate

R(D)

value

vF

typ.

(TO)

typ.

T

typ.

A 1,3 34
B 0,0 001 67
C -0,314
D 0,1 302

ma x.

A 1,39
B 0,0 001 91
C -0,303
D 0,1 308

V

typ. 350 V

FRM

i

max. 100 mA

R

Qr max. 2800 µAs

IRM max. 1200 A

ma x. 5 Ws

off

F

typ. 2,5

RRS

typ.

ma x.

ma x.

ma x.

1130 A A

17000

1445

2800 V

5,8 6 V

1,8 8
2,0 2 V V

1,5 68
1,5 92

A
A

10³ A²s
10³ A²s

V

m
m

prepar ed b y:

C. Schneider dat e of publi catio n: 2005-04-1 5

approved b y: J. Przybilla

revision: 7

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Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resi sta nce , junction to c ase

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Übergang s-Wär mewi ders ta nd
thermal resistance, case to heatsi nk

Höchstzulässige Sperrschichttempera tur
maxi mu m junction te mp er at ure

Betr iebs temperatur
operati ng temp erat ure

Lagerte mper atur
storage t emperat ure

Mechan is che Eigen schaften / Mech anic al pro pe rt ies

Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee anne x

Si-Element mit Druc kkont a kt
Si-pellet with press ure co ntac t

Anpress kra ft
cl ampi ng force

Gewic ht
wei g ht

Kriechstrecke
cr eepag e di sta nce

Luftstrec ke
air distanc e

Feucht eklass e
humidit y classification

Schwingfestigkeit
vibra ti on r esistanc e

D 911SH

Kühlfläc he / co oling surfac e
beids eitig / two-side d,  = 1 80°sin

beids eitig / two-side d, DC
Ano de / ano de, DC
Kath ode / c at hod e, DC

Kühlfläc he / co oling surface
beids eitig / two-side d

einseiti g / single-si de d

T

T

T

Seite 3

65DSX 45

F 27...45 kN

G typ. 850 g

30 mm

17 mm

DIN 40040 C

f = 50 Hz 50 m/s²

R

thJ C

R

thC H

140 °C

vj max

0...+1 40 °C

c op

-40...+1 50 °C

stg

ma x.
ma x.

ma x.
ma x.

ma x.
ma x.

0,0 111
0,0 100

0,0 174
0,0 236

0,0 030
0,0 060

page 3

°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

Maßbild

D 911SH

1: Anode/Anode

12

2: Kathode/Cathode

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Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

R,t – Werte
R

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R,T-Werte

beidseitig

Analytische Elemente des transienten Wärmew iderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

R

[°C/W] 0,0 035 4 0,0 037 3 0,0015 5 0,0009 3 0,0002 5

thn

D 911SH

thJC

thJC

two-sided

anodenseitg

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,0 106 0,0003 9 0,0 046 2 0,0 011 6 0,0 0063

thn

0,9 0,1 18 0,0 282 0,0042 2 0,0 013 4

anode-sided

kathodenseitig

τ

[s]

n

R

[°C/W] 0,0 168 7 0,0 002 4 0,0042 6 0,0013 0,0 009 3

thn

4,8 9 0,253 0,0 883 0,0093 2 0,00185

cathode-sided

τ

[s]

n

4,5 2 0,745 0,1 13 0,0 214 0,0 035 9

Analytische Funktion / Analytical function:

n

ma x

Σ

-t

τ

n

−=

thnthJC

e1RZ

n=1

0,03

c

a

d

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s ]

0,025

0,02

0,015

0,01

0,005

0

[K/W]

th JC

Z

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

= f(t) for DC

th J C

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

3000

Diagramme

Diagramme

2500

2000

D 911SH

Durchlasskennlinie

typ. max.

1500

iF [V]

1000

500

0

01234567

F [V ]

v

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

T

vj

= Tvj

max

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Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

35 00

30 00

25 00

20 00

D 911SH

Tc beidseitig

IFM=2500A

IFM=1000A

[µA s]

r

Q

15 00

IFM=500A

10 00

500

IFM=100A

0

0 200 40 0 600 80 0 1000 12 00 1400

-di/d t [A/µ s ]

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj=T

vjmax

R

, V

= 2800V, clamp circuit LS  0,25µH,

CL

= 68C

CL

= 3µF, D

CL

= 34DSH65

CL

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

14 00

12 00

10 00

800

[A]

RM

I

600

400

200

0

0 200 40 0 600 80 0 1000 12 00 1400

D 911SH

IFM=2500A

IFM=1000A

IFM=50 0A

IFM=10 0A

-di/d t [A/µ s ]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)

Tvj=T

vjmax

R

, V

= 2800V, clamp circuit LS  0,25µH,

CL

= 68C

CL

= 3µF, D

CL

= 34DSH65

CL

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SH

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Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

6

5

4

3

[Ws]

off

E

2

1

0

0 200 40 0 600 800 1000 1200 1400

D 911SH

-d i/dt [A /µs ]

Ausschaltverlust Energie / turn-off energy E

Tvj=T

vjmax

R

, V

= 2800V, clamp circuit LS  0,25µH,

CL

= 68C

CL

= 3µF, D

CL

= 34DSH65

CL

IFM=2500A

IFM=100A

= f(-di/dt)

off

IFM=1000 A

IFM=500A

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Driv e Dio d e

45 0

40 0

35 0

30 0

25 0

[V]

FRM

V

20 0

15 0

10 0

50

0

0 1 000 200 0 3 000 4000 5 000 6000

Ta bei Sinus

Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung / peak forward recovery vol tage V

D 911SH

/dt [A/µs]

di

F

vjmax

, I

= 4000A

FM

Tvj=T

typ

= f(diF/dt)

FRM

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