Datasheet D475N Datasheet (Infineon) [de, en]

European Power­Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG

Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 475 N

70mm² Cu

ø3,2 x 15
SW41

M24 x 1,5

Type

N
K

Circuit

symbol

12,5

Cathode

Rope
Case

Anode

Case
Rope

Prot. flex.

tubing

red

blue

VWK July 1996

D 475 N

non-repetitive peak reverse voltage

thermal resistance,case to heatsink

Elektrische Eigenschaften Electrical properties

Höchstzulässige Werte Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C... t

Stoßspitzensperrspannung

tvj = +25°C... t

vj max

vj max

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current I
Dauergrenzstrom mean forward current tc = 100 °C I
Stoßstrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25°C, tp = 10 ms I

tvj = t

, tp = 10 ms 10,9 kA

vj max

Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t 819 kA2s

tvj = t

, tp = 10 ms 594 kA2s

vj max

Charakteristische Werte Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = t
Schleusenspannung threshold voltage tvj = t
Ersatzwiderstand slope resistance tvj = t
Sperrstrom reverse current tvj = t

, iF = 1,4 kA V

vj max

vj max

vj max

, VR = V

vj max

RRM

V

RRM

V

RSM

FRMSM

FAVM

FSM

T

V

T(TO)

r

T

i

R

= V

RRM

3200, 3600 V

4000 V

+ 100 V

745 A
475 A

12,8 kA

max. 1,78 V

0,765 V
0,612 mΩ

max. 40 mA

Thermische Eigenschaften Thermal properties

Innerer Widerstand thermal resistance, junction Θ = 180° sin R

thJC

max. 0,085 °C/W

to case DC max. 0,080 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t
Betriebstemperatur operating temperature t
Lagertemperatur storage temperature t

ohne Anschlußlasche/without contact lug R
mit Anschlußlasche/with contact lug max. 0,04 °C/W

thCK

vj max

c op

stg

max. 0,03 °C/W

160 °C

-40...+160 °C

-40...+160 °C

Mechanische Eigenschaften Mechanical properties

Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact ∅ = 34 mm
Anzugsdrehmoment tightening torque Gehäuseform/case design B M 60 Nm
Gewicht weight G 590 g
Kriechstrecke creepage distance 21 mm
Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s
Maßbild outline Seite/page
Polarität polarity Anode=Gehäuse/case

2

2,0

i

[kA]

F

1,5

1,0

0,5

D 475 N

⌠

i²dt

⌡

(normiert)

1,0

0,9

0,8

0,7

0,6

0,5

0

0 0,5 1,0 1,5 2,0

v

[V]

D 475N_1

F

Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic iF = f (vF)

tvj = 160 °C
tvj = 25 °C

I

14

F(0V)M

12

I

F(0V)M

[kA]

10

8

6

4

2

1a
2a

1b
1c

2b
2c

2,5

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

t [ms]

D475K_4

p

Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastinte gral / Norma lized i²t
∫i²dt = f(tp)

I

v

R

I

F(0V)M

[kA]

14

12

F(0V)M

v

R

10

8

1a
2a

6

1b

1c

4

2b
2c

2

0

0

D475N_5

0,1

0,2 0,3

t

[s]

Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum o verload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 475 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM

0

0 0,1 0,2 0,3

t

D475N_6

[s]

Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum o verload forward current IF(0V)M = f(t)
1 - IFAV(vor) = 0 A; tvj = tC = 25 °C
2 - IFAV(vor) = 475 A; tC = 100 °C; tvj = 160 °C
a - vR ≤ 50 V
b - vR = 0,5 VRRM
c - vR = 0,8 VRRM

D 475 N

0,03

Θ

T

∆

R

thJC

[°C/W]

0,02

0,01

Θ

0

30

D475N_3

T

60

90

Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderstä nden
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurv enform / Curre nt waveform

120

Θ

Θ

[°el]

150

4

10

9
8
7

6
5

Q
[µAs]

T

180

4

r

3

2

3

10

9
8
7
6

5

4

3

2

2

10

0,1

D 475N_7

1

-diF/dt

i

FM

10 100

[A/µs]

[A]

1600

800
400
200
100

50

Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-diF/dt)
tvj = tvjmax; vR ≤ 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM
Beschaltung / Snubber: C = 0 ,68 µF; R = 5,6 Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current iFM

0,10

0,08

Z

(th)JC

[°C/W]

0,06

0,04

0,02

0

-3

10

D 475N_2

10

-2

10

-1

10

0

Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärme widerstand
Transient thermal impedance ZthJC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Ano de-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

t [s]

10

Analytische Elemente de s transiente n Wärmewidersta ndes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC

Pos. n
Rthn °C/W

τn [s]

1 2 3 4 5 6 7

0,001
0,01

0,0051
0,004

0,0086
0,0336

0,03
0,425

0,0353
2,51

Analytische Funktion / Analytical function:

n

max

ZthJC = Rthn(1-EXP(-t/τn))

Σ

n=1

1

10

2

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