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Technische Information / Technical Information
D 368 S 10...14
Charakteristische Werte / Characteristic values
max.
m
Ω
V
1)
µs
1)
max.
max.
A
1)
µAs
1)
µs
1)
2)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak forward reverse voltage 1200 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage 1300 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge foward current
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = - 25°C...T
Tvj = + 25°C...T
TC =100°C
TC =78°C
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1 ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = T
Tvj = 25°C, tp = 1ms
Tvj = T
, tp = 10 ms
vj max
, tp = 1 ms
vj max
, tp = 10ms
vj max
, tp = 1ms
vj max
vj max
vj max
V
RRM
1000 V
1400 V
V
RSM
1100 V
1500 V
FRMSM
I
FAVM
730 A
368 A
465 A
I
FSM
6300 A
5200 A
13290 A
10970 A
I²t 198450 A²s
135200 A²s
88310 A²s
60170 A²s
Durchlaßspannung
Tvj = T
, iF = 1400 A
vj max
forward voltage
Schleusenspannung
Tvj = T
vj max
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = T
vj max
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaßverzögerungsspannung IEC 747-2 V
typical value of forward recovery voltage
Tvj = T
vj max
diF/dt=50A/µs, vR=0V
Durchlaßverzögerungszeit IEC 747-2, Methode / method II t
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovered time
Sanftheit
Softness
Tvj = T
diF/dt=50 A/µs, vR=0V
Tvj = 25°C, vR=V
Tvj = T
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =465 A,-diF/dt=50A/µs
vR=100V, v
DIN IEC 747-2, Tvj=T
iFM =465A,-diF/dt=50A/µs
vR=100 V; v
Tvj = T
iFM =A,-diF/dt=A/µs
vR<=0,5 V
vj max, iFM
, vR = V
vj max
RM<
RM<
RM<
vj max
RRM
=1400A
RRM
RRM
vj max
=200 V
vj max
=200 V
vj max
=200V
, vRM=0,8 V
RRM
v
V
r
T
fr
i
R
I
RM
Q
t
rr
SR
F
(TO)
FRM
2,25 V
1 V
0,8
typ 3,9
typ 4,1
10 mA
100 mA
75
r
210
3,45
µs/A
1) Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert für untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Fast Diode
Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, junction to case
Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R
thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,015 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T
max. junction temperature
Betriebstemperatur T
operating temperature
Lagertemperatur T
storage temperature
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thJC
beidseitig / two-sided, Θ =180°sin
beidseitig / two-sided, DC max. 0,075 °C/W
Anode / anode, Θ =180°sin
Anode / anode, DC max. 0,12 °C/W
Kathode / cathode, Θ =180°sin
Kathode / cathode, DC max. 0,2 °C/W
thCK
einseitig / single-sided max. 0,030 °C/W
vj max
c op
stg
S
max. 0,08 °C/W
max. 0,125 °C/W
max. 0,205 °C/W
150 °C
-40...+150 °C
-40...+150 °C
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Element mit Druckkontakt Durchmesser/diameter 21mm
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft F 3,2...7,6 kN
clamping force
Gewicht G typ. 60 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Feuchteklasse DIN 40040 C
humidity classification
Schwingfestigkeit f = 50Hz 5x9,81 m/s²
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S 10...14
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
τ
τ
τ
n
= ∑
τ
n=1
Fast Diode
Kühlung
cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
Pos.n 1 2 3 4 5 6 7
R
R
R
thn
n [s]
thn
n [s]
thn
n [s]
[°C/W]
[°C/W]
[°C/W]
0,00035 0,00965 0,0351 0,0299
0,000089 0,0015 0,0542 0,497
0,00035 0,00965 0,0402 0,0186 0,0512
0,000089 0,00151 0,0593 1,729 4,299
0,00031 0,00889 0,0369 0,0755 0,0784
0,000084 0,00134 0,0526 1,951 4,856
thJC
thJC
for DC
S
für DC
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
max
R
( 1 - EXP ( - t /
thn
))
n
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
=f(vF)
Tvj = T
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Fast Diode
2.000
1.750
1.500
1.250
D 368 S 10...14
S
1.000
[A]
F
i
750
500
250
0
0,5 1 1,5 2 2,5 3
vj max
vF [V]
F
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