Datasheet D2200N Datasheet (Infineon) [de, en]

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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Dauergrenzstrom average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Grenzlastintegral I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung on-state voltage
Schleusenspannung threshold voltage
Ersatzwiderstand slope resistance
Durchlaßkennlinie 600 A ≤ iF ≤ 11000 A on-state characteristic
Sperrstrom reverse current
FFF
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature
Lagertemperatur storage temperature
prepared by:
approved by: M.Leifeld
H.Sandmann date of publication: 2009-06-15
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
D2200N
= -40°C... T
T
vj
I
= 100 °C
T
C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms I
I
Tvj =25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
T
= T
vj
vj max
iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
F
Tvj = T
vj max
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, θ = 180°sin Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
T
vj max
tP = 10 ms
, tP = 10 ms
, iF = 9,4 kA , iF = 2,0 kA
V
r
A=
, vR = V
RRM
revision: 2.0
V
2000
RRM
4900 A
FRMSM
I
2200 A
FAVM
FAVM
FRMS
41000
I
FSM
I²t 8405
v
F
(TO)
0,145
T
iR
R
thJC
R
thCH
T
vj max
c op
T
stg
max. max.
-4,860E-01
B= C= D=
-40...+160 °C
-40...+160 °C
1,750E-04 2,311E-01
-9,977E-03
max.
max. max. max. max. max. max.
max. max.
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2200 2400
3150 A
4950 A
35000
6125
2,3 1,2V V
0,83 V
150 mA
0,0169 0,0160 0,0329 0,0320 0,0329 0,0320
0,0025 0,0050
160
V V V
A A
10³A²s 10³A²s
mΩ
°C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
°C/W °C/W
°C
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht weight
Kriechstrecke creepage distance
Schwingfestigkeit vibration resistance
Mechanische Eigenschaften
D2200N
F 24...60 kN
G typ. 600 g
25 mm
f = 50 Hz 50 m/s²
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Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Maßbild
Maßbild
D2200N
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IFBIP D AEC / 2009-05-11, H.Sandmann
1: Anode/ Anode
2: Kathode/
Cathode
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−
=
τ
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
[°C/W] 0,000037 0,000393 0,00138 0,00177 0,00503 0,00739 -
thn
two-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W]
thn
anodenseitig
anode-sided
τ
[s]
n
R
[°C/W] 0,000042
thn
kathodenseitig
cathode-sided
τ
[s]
n
Analytische Funktion / Analytical function:
D2200N
für DC
0,000204 0,001180 0,01030 0,05420 0,21900 1,15000 -
0,000042
0,000193
0,000193
0,000578
0,001660
0,000578
0,001660
0,00184
0,01610
0,00184
0,01610
0,00617
0,16400
0,00617
0,16400
thJC
for DC
thJC
0,00487
2,46000
0,00487
2,46000
n
max
Σ
n=1
0,0185
-
6,1100
-
0,0185
-
6,1100
-
-t
n
thnthJC
e1RZ
0,035
0,030
0,025
0,020
[°C/W]
0,015
thJC
Z
0,010
0,005
0,000
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
t [s]
= f(t)
c a
b
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Erhöhung des Z
Rise of Z
Diagramme
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
th DC
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
12.000
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
∆Z
th Θ rec
[°C/W]
∆Z
th Θ sin
[°C/W]
D2200N
∆Z
Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
0,00136
0,00088
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
Z
th Θ rec
Z
th Θ sin
th Θ rec
= Z = Z
/ ∆Z
0,00219
0,00123
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
th DC
th DC
th Θ sin
+ ∆Z + ∆Z
th Θ rec
th Θ sin
0,00284
0,00172
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
0,00384
0,00257
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
0,00568
0,00441
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
10.000
8.000
6.000
[A]
F
i
4.000
2.000
Durchlasskennlinie
T
= T
vj
vj max
0
0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6
V
[V]
F
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
8000
7000
6000
5000
[W]
4000
FAV
P
3000
2000
1000
0
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
D2200N
Durchlassverluste
b
c
d
e
f
Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load)
I
[A]
FAV
Durchlassverlustleistung / On-state power loss P
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
FAV
= f(I
FAV
a
)
Tc beidseitig
Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs­ belastung / Reverse voltage load)
[°C]
C
T
180
160
140
120
100
80
60
40
20
d bef
c
a
0
0 100020003000400050006000
I
[A]
FAV
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
= f(I
C
FAV
)
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
100000
[µAs]
r
Q
10000
1000
0,1 1 10 100
D2200N
Qr Diagramm
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
T
= T
vj
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
vjmax , vR
≤ 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
iFM = 3200A
1600A
800A 400A
200A
100A
-di/dt [A/µs]
40
35
30
25
[kA ]
20
F(OV)M
I
15
10
5
0
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Typical dependency of maximum overload on-state current I
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
I
= f (pulses, VRM) ; Tvj = T
F(OV)M
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
F(OV)M
as a number of a sequence of
F(OV)M
vj max
RM
RM
0-5 0V 0,33 V
0,67 V
RRM
RRM
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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D2200N
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- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures.
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