Datasheet D1961SH Datasheet (Infineon)

SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

Kenndaten

repetitive peak reverse voltage

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

Elektrische Eigenschaften

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom
average on-state current

Stoßstrom-Grenzwert
surge current

Grenzlastintegral
I²t-value

Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses

Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage

Durchlaßspannung
on-state voltage

Schleusenspannung
threshold voltage

Ersatzwiderstand
slope resistance

Durchlaßkennlinie 200A ≤ iF ≤ 3000A
on-state characteristic

FFF

Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage

Sperrstrom

reverse current

Sperrverzögerungsladung
recovered charge

Rückstromspitze

peak reverse recovery current

Ausschaltverlust Energie
turn-off energy

Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor

prepared by:

C. Schneider

approved by: J. Przybilla

D 1961SH

T

= 0°C... T

vj

I

TC = 85°C, f=50Hz
T

= 60°C, f=50Hz

C

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

= T

vj

Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
T

vj

T

vj

I

FM

clamp circuit L
R

CL

C

CL

failure rate λ < 100

Tvj = T

Tvj = T

Tvj = T

T

vj

iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(

F

T

vj

I

FM

Tvj = T

T

vj

I

FM

clamp circuit L
R

CL

D

CL

T

vj

I

FM

-di

, tP = 10 ms

vj max

= T

, tP = 10 ms

vj max

= T

vjmax

= 2500A, V

= 68Ω, D
= 3µF

, iF = 2500A

vj max

V

vj max

r

vj max

= T

vj max

= T

, diF/dt = 5000A/µs

vjmax

= 4000A

, vR = V

vj max

= T

vjmax

= 2500A, V

= 68, C
= 34DSH65, -di/dt = 1000A/µs E

= T

vjmax

= 2500A, VR = 2800 V,

/dt

= 1000A/µs, trf = 200ns

rr

(i=0)

date of publication: 2006-07-19

V

vj max

RRM

FRMSM

I

FAVM

I

FSM

I²t

W

= 2800V,

CL

 0,25µH,

S

= 34DSH65,

CL

max

V

R(D)

vF

(TO)

T

typ.

max.

typ. 280 V

V

FRM

i

RRM

max. 150 mA

R

Qr max. 12000 µAs

= 2800V,

CL

 0,25µH,

S

= 3µF,

CL

IRM max. 2250 A

max. 21 Ws

off

F

typ. 1,6

RRS

revision: 2

estimate

value

A 0,72096
B -0,000113
C -0,0806
D 0,0469
A 0,6986
B -0,0000753
C -0,07067
D 0,0506

typ.

max.

typ.

max.

typ.

max.

4500 V

3980 A

1960
2530A A

40000

8000

5MW

2800 V

2,16

2,5V V

1,11
1,25V V

0,42

0,5

A
A

10³ A²s
10³ A²s

m
m

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case

Thermische Eigenschaften

Mechanische Eigenschaften

Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
operating temperature

Lagertemperatur
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Anpresskraft
clamping force

Gewicht
weight

Kriechstrecke
creepage distance

Luftstrecke
air distance

Feuchteklasse
humidity classification

Schwingfestigkeit
vibration resistance

D 1961SH

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,  = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided

T

T

T

Seite 3

76DSX45

F 36...52 kN

G typ. 1350 g

33 mm

17 mm

DIN 40040 C

f = 50 Hz 50 m/s²

R

thJC

R

thCH

vj max

0...+140 °C

c op

-40...+150 °C

stg

max.

0,00855

max.

0,0075

max.

0,0133

max.

0,0172

0,0025

max.
max.

140 °C

page 3

0,005

°C/W
°C/W
°C/W
°C/W

°C/W
°C/W

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

Maßbild

D 1961SH

1: Anode/Anode

12

2: Kathode/Cathode

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SH

−

=

τ

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

R,t – Werte
R

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

R,T-Werte

beidseitig

two-sided

anodenseitig

anode-sided

kathodenseitig
cathode-sided

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z

Analytical elements of transient thermal impedance Z

R

thn

R

thn

R

thn

[°C/W]

τ

[s]

n

[°C/W]

τ

[s]

n

[°C/W]

τ

[s]

n

0,00295 0,002 0,00154 0,00098 0,00003

0,78 0,131 0,0217 0,00514 0,00104

0,00804 0,00081 0,00239 0,0016 0,00046

5,11 0,359 0,0962 0,012 0,00332

0,0121 0,0004 0,00244 0,00155 0,00071

4,97 0,489 0,121 0,0153 0,00427

Analytische Funktion / Analytical function:

D 1961SH

n

max

Σ

thJC

thJC

thnthJC

e1RZ

-t

n

n=1

0,02

0,018

cl

al

bl

0,001 0,01 0,1 1 10 100

t [s]

0,016

0,014

0,012

0,01

0,008

0,006

0,004

0,002

0

[K/W]

th JC

Z

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z

a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

= f(t) for DC

thJC

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

3500

Diagramme

Diagramme

3000

2500

2000

D 1961SH

Durchlasskennlinie

typ. max.

[A]

F

i

1500

1000

500

0

0123

v

[V]

F

Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)

T

= Tvj

vj

max

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

14000

12000

10000

8000

D 1961SH

Tc beidseitig

IFM=2500A

IFM=1000A

[µAs]

r

Q

6000

IFM=500A

4000

2000

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

-di/dt [A/µs]

IFM=250A

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

T

vj=Tvjmax

, clamp circuit LS  0,25µH,R

C

CL

= 3µF, D

= 34DSH65

CL

= 68

CL

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

2500

2000

1500

[A]

I

RM

1000

500

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

D 1961SH

IFM=2500A

IFM=1000A

IFM=500A

IFM=250A

-di/dt [A/µs]

Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)

T

vj=Tvjmax

, clamp circuit LS  0,25µH,R

C

= 3µF, D

CL

= 34DSH65

CL

= 68

CL

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

25

20

15

[Ws]

off

E

10

5

0

0 200 400 600 800 1000 1200 1400

D 1961SH

-di/dt [A/µs]

Ausschaltverlust Energie / turn-off energy E

T

vj=Tvjmax

, clamp circuit LS  0,25µH,R

C

= 3µF, D

CL

= 34DSH65

CL

CL

= f(-di/dt)

off

= 68

IFM=2500A

IFM=1000A

IFM=500A

IFM=250A

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

300

250

200

[V]

150

FRM

V

100

50

0

0 1000 2000 3000 4000 5000 6000

Ta bei Sinus

Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage V

D 1961SH

typ.

/dt [A/µs]

di

F

T

vj=Tvjmax

, I

FM

= 4000A

= f(diF/dt)

FRM

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SH

Datenblatt / Data sheet

Schnelle beschaltungslose Diode

Fast Hard Drive Diode

D 1961SH

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der
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übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application
Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

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Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please
contact the sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

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