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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Features:
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
• Speziell entwickelt für beschaltungslosen
• Specially designed for snubberless operation
Betrieb
• Niedrige Verluste, weiches Ausschalten • Low losses, soft recovery
• Volle Sperrfähigkeit bei 140°C mit 50Hz • Full blocking capability at 140°C with 50Hz
• Hohes di/dt und niedriger Wärmewiderstand
durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und
Mo-Trägerscheibe
• High di/dt and low thermal resistance by
using low temperature-connection NTV
between silicon wafer and molybdenum
• Elektroaktive Passivierung durch a-C:H • Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
2
t-value
I
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = 0°C ... T
f = 50Hz
Tc = 60°C. f = 50Hz
TC = 85°C, f = 50Hz
TC = 60°C, f = 50Hz
Tvj = T
Tvj = T
I
FM
clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, R
C
CL
Tvj = T
vj max
, Tp = 10ms
vj max
, Tp = 10ms
vj max
= 2500A, VCL = 2800V,
= 3µF, DCL = 34DSH65
vj max
CL
= 68Ω
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I2t
W
max
6500 V
3800 A
1950
2400AA
9,68 ⋅ 10
44 kA
6
9MW
A2s
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Durchlaßrechenkennlinie 250 A ≤ iF ≤ 3200 A
On-state characteristics for calculation
VABiCi Di
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
FFF F
()
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
D 1951 SH 65T
failure rate λ < 100
estimate value
Tvj = T
, iF = 2500A
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
vj max
Tvj = T
, diF/dt = 500A/µs
vj max
Tvj = T
vj max, vR
= V
RRM
Zieldaten / Possible Data
V
R(D)
V
F
V
(TO)
r
T
A
B
C
D
V
FRM
i
R
typ.
max
-0,038712
3200 V
1,78 V
0,89
max.
0,73603
9,78E-05
0,06652
typ. 50 V
250 mA
4V
mΩ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
)/(
dtdi
0
irr
F
=
RRS
rf
=
)/(
dtdi
max
I
= 2500A, VCL = 2800V,
FM
clamp circuit Lσ ≤ 0,25 µH, R
C
= 3µF, DCL = 34DSH65
CL
Tvj = T
vj max
I
= 2500A, VR = 2800V
FM
-di
/dt
= 1000A/µs, dt = 80ns
rr
(i=0)
Tvj = T
vj max
CL
= 68Ω
I
RM
Q
r
E
off
F
RRS
max 1500 A
max 4300 µAs
10,0 Ws
typ.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
R
T
T
T
thJC
thCK
vj max
c op
stg
max
max
max
max
max
-40...+150 °C
0,0045
0,00855
0,0095
0,0015
0,003
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
140 °C
0...+140 °C
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Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clampig force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50Hz
101DSH65
F 55...91 kN
G
typ
2500 g
33 mm
20 mm
C
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
. Outline Drawing
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
4000
3500
3000
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
On-State Characteristics ( VF )
upper limit of scatter range
2500
2000
1500
1000
typ.
= 140°C
T
vj
max.
= 140°C
T
vj
500
0
0123456
[V]
V
F
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Technische Information / Technical Information
(
)
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
D 1951 SH 65T
−⋅=
å
n
1)(
nthJCth
Zieldaten / Possible Data
= f (t)
(th)JC
−
τ
/
t
n
eRtZ
doppelseitige Kühlung
double sided cooling
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
1 0,00238 1,03 0,00562 5,69 0,00653 6,08
2 0,00108 0,16 0,00083 0,59 0,00072 0,81
3 0,00073 0,03 0,00124 0,139 0,00129 0,16
4 0,00031 0,0071 0,00068 0,02 0,00070 0,025
5 0,00018 0,0058 0,00026 0,0068
0,0045 - 0,00855 - 0,0095 -
anodenseitige Kühlung
anode sided cooling
kathodenseitige Kühlung
cathod sided cooling
k
a
0,01
0,009
0,008
0,007
0,006
d
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t/[sec.]
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0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0
Z (th) JC / [K/W]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Stoßstrom / Grenzlastintegral Charakteristik
Surge Current / I²t value Characteristics
D 1951 SH 65T
I
= f ( tp ) / i2 dt = f ( tp )
FSM
Zieldaten / Possible Data
1,E+06
Sine half-wave, T
=140 ° C , v
vj
R
= 0
1,E+08
1,E+05
1,E+04
0,1 1 10 100
Time / [ms]
1,E+07
1,E+06
ò
ò
ò
ò
−−−−−
−−−−−
−−−−−
−−−−−
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Reverse Recovery Charge Qr = f ( - di/dt )
Upper limit of scatter range for VF = 3,8V @2500A, 140°C
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
Conditions: T
5500
5000
4500
4000
IFM =
2500A
3500
3000
1000A
= 140 ° C
vj
Parameter: I
FM
clamping circuit CCL = 3 µF R
VCL = 2800 V
= 68Ω 34DSH65
CL
2500
2000
1500
1000
500
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
BIP AC / 2001-11-21, Schneider / Keller Release 4.1 Seite/pageSH8
500A
250A
-di/dt / [A/µs]
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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Reverse Recovery Current I
Upper limit of scatter range for VF = 3,8V @2500A, 140°C
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
= f ( - di/dt )
RM
Conditions: T
2000
1750
1500
1250
= 140 ° C
vj
Parameter: I
FM
clamping circuit CCL = 3 µF R
VCL = 2800 V
= 68Ω 34DSH65
CL
1000
750
500
250
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IFM =
2500A
1000A
500A
250A
-di/dt / [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Reverse Recovery Energy E
Upper limit of scatter range for VF = 3,8V @2500A, 140°C
D 1951 SH 65T
Zieldaten / Possible Data
= f ( - di/dt )
off
Conditions: T
10
9
8
7
IFM =
6
2500A
= 140 ° C
vj
Parameter: I
FM
clamping circuit CCL = 3 µF R
VCL = 2800 V
= 68Ω 34DSH65
CL
5
4
3
2
1
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
1000A
500A
250A
-di/dt / [A/µs]
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