Datasheet D1331SH Datasheet (Infineon)

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Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Technische Information /
technical information
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Date of Publication: 2014-06-01
Key Parameters
V
RRM
4500 V
I
FAVM
1310 A (TC=85 °C)
I
FSM
28000 A
VT0
2,13 V
rT
0,948 mΩ
R
thJC
7,5 K/kW
Clamping Force
36 52 kN
Max. Diameter
121 mm
Contact Diameter
86 mm
Height
26 mm
For type designation please refer to actual short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
Hohe DC Sperrstabilität
High DC blocking stability
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
High surge current capability
Hoher Gehäusebruchstrom
High case non-rupture current
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Typical Applications
Mittelspannungsumrichter
Medium voltage converters
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed Power - Applikationen
Pulsed power applications
content of customer DMX code
DMX code
DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
7
SP material number
8..16
9
datecode (production day)
17..18
2
datecode (production year)
19..20
2
datecode (production month)
21..22
2
vT class (optional)
23..26
4
QR class (optional)
27..30
4
www.ifbip.com support@infineon-bip.com
1 2
enndaten
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technical information
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj = 0°C... T
vj max
V
RRM
4500
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current
Tc = 85°C
I
FRMSM
2060
A
Dauergrenzstrom average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz TC = 70°C, f=50Hz TC = 55°C, f=50Hz
I
FAVM
1310 1520 1710
A A A
Stoßstrom-Grenzwert surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I
FSM
28000
A
Grenzlastintegral I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = T
vj max
, tP = 10 ms
I²t
3920
10³ A²s
Max. Ausschaltverluste max. turn-off losses
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, V
CL
= 2800V clamp circuit LS ≤ 0,25µH R
CL
= 68, C
CL
= 3µF
D
CL
= 34DSH65
P
RQ
5
MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung continuous direct reverse voltage
failure rate < 100
V
R(D)
estimate
value
2800
V
Durchlaßspannung on-state voltage
Tvj = T
vj max
, iF = 2500A
vF typ.
max.
3,6 4,2
V V
Schleusenspannung threshold voltage
Tvj = T
vj max
V
(TO)
typ.
max.
1,59 1,83
V V
Ersatzwiderstand slope resistance
Tvj = T
vj max
r
T
typ.
max.
0,804 0,948
mΩ mΩ
Durchlaßkennlinie 200A iF 3000A on-state characteristic
Tvj = T
vj max
typ.
A
1,399
B
-0,000119
C
-0,2373
D
0,0872
max.
A
1,398
B
-0,000131
C
-0,24
D
0,1006
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vjmax
, diF/dt = 5000A/µs
I
FM
= 4000A
V
FRM
typ.
280
V Sperrstrom reverse current
Tvj = T
vj max
, vR = V
RRM
i
R
max.
150
mA Sperrverzögerungsladung recovered charge
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, V
CL
= 2800V,
-di/dt = 1000A/µs clamp circuit LS ≤ 0,25µH,
R
CL
= 68Ω, C
CL
= 3µF,
D
CL
= 34DSH65,
Q
r
max.
3500
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max.
1500
A
Ausschaltverlust Energie turn-off energy
W
RQ
max. 7
Ws
Abklingsanftheit reverse recovery softness factor
T
vj
= T
vjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
-dirr/dt
(i=0)
= 1000A/s, Δtrf = 200ns
F
RRS
typ.
1,6
prepared by:
TM date of publication:
2014-06-01
approved by:
JP
revision:
10.1
F
FFF
iD1)i(LnCiBAv
Elektrische Eigenschaften
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC
R
thJC
max. max. max. max.
8,55
7,5 13,3 17,2
K/kW K/kW K/kW K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided
R
thCH
max. max.
2,5
5,0
K/kW K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature
T
vj max
140
°C
Betriebstemperatur operating temperature
T
c op
0...+140
°C
Lagertemperatur storage temperature
T
stg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft clamping force
F
36...52
kN
Gewicht weight
G typ. 1350
g
Kriechstrecke creepage distance
33
mm Luftstrecke
air distance
17
mm
Feuchteklasse humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s²
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
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Maßbild
1 2
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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R,t – Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
1 2 3 4 5 6 7
beidseitig
two-sided
R
thn
[°C/W]
2,95 2 1,54
0,98
0,03
τ
n
[s]
0,78
0,131
0,0217
0,00514
0,00104
anodenseitig
anode-sided R
thn
[°C/W]
8,04
0,81
2,39
1,6
0,46
τ
n
[s]
5,11
0,359
0,0962
0,012
0,00332
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
12,1
0,4
2,44
1,55
0,71
τ
n
[s]
4,97
0,489
0,121
0,0153
0,00427
Analytische Funktion / Analytical function:
max
n
n=1
thn
thJC
n
-t
e1R
Z
bl
al
cl
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Z
thJC
[K/kW]
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
R
R,T-Werte
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typ.
max.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0 1 2 3 4 5
iF[A]
vF[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj
max
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
Q
r
[µAs]
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,R
CL
= 68
C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
Tc beidseitig
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
RM
[A]
-di/dt [A/µs]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,R
CL
= 68
C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
W
RQ
[Ws]
-di/dt [A/µs]
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy E
off
= f(-di/dt)
Tvj=T
vjmax
, clamp circuit LS ≤ 0,25µH,R
CL
= 68
C
CL
= 3µF, D
CL
= 34DSH65
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typ.
0
50
100
150
200
250
300
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
V
FRM
[V]
diF/dt [A/µs]
Spitzenwert-Durchlassverzögerungsspannung / peak value forward recovery voltage V
FRM
= f(diF/dt)
Tvj=T
vjmax
, I
FM
= 4000A
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- the conclusion of Quality Agreements;
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