Datasheet CLY10 Datasheet (Siemens)

GaAs FET CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

D a t a s h e e t

*Power amplifier for mobile phones
*For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz
*Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V

* P

at V

=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ.

*High efficiency better 55 %

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type Marking Ordering code

(taped)

CLY 10 CLY 10 Q62702-L94 G S D S SOT 223

Pin Configuration

1 2 3 4

Package 1)

Maximum ratings Symbol Values Unit

Drain-source voltage V
Drain-gate voltage V
Gate-source voltage V
Drain current I
Channel temperature T
Storage temperature T
Total power dissipation (T

Total power dissipation (T

< 80 °C)

s

< 110 °C)

s

2)

2)

DS
DG
GS

Ch

stg

P

totDC

D

9V

12 V

-6 V

2.1 A

150 °C

-55...+150 °C

3.5

W

2.0

Thermal resistance

Channel - soldering point

1) Dimensions see chapter Package Outlines

2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load.

Siemens Aktiengesellschaft pg. 1/7 17.12.96

2)

R

thChS

≤20

K/W

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

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Electrical characteristics (TA = 25°C , unless otherwise specified)

Characteristics Symbol min typ max Unit

Drain-source saturation current

V

DS

= 3 V

= 0 V

V

GS

Drain-source pinch-off current

V

DS

= 3 V

V

GS

= -3.8 V

Gate pinch-off current

V

DS

= 3 V

V

GS

= -3.8 V

Pinch-off Voltage

V

DS

= 3 V

=200µA

I

D

Small Signal Gain *)

= 3 V

V

DS

Pin = 0 dBm

= 700 mA f = 1.8 GHz

I

D

Small Signal Gain **)

= 3 V

V

DS

Pin = 0 dBm

= 700 mA f = 1.8 GHz

I

D

Output Power

= 3 V

V

DS

Pin = 20.5 dBm

= 700 mA f = 1.8 GHz

I

D

I

DSS

I

I

V

GS(p)

G

G

P

D

G

1.2 1.6 2.4 A

- - 200 µA

-1035µA

-3.8 -2.8 -1.8 V

dB

-9-

dB

-8-

o

28 28.5 - dBm

Output Power

= 5 V

V

DS

Pin = 20 dBm

= 700 mA f = 0.9 GHz

I

D

1dB-Compression Point

V

DS

= 3 V

= 700 mA f = 1.8 GHz

I

D

1dB-Compression Point

V

DS

= 5 V

= 700 mA f = 1.8GHz

I

D

Power Added Efficiency

= 5 V

V

DS

Pin = 20 dBm

*

) Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz

Source Match: Γ

**

) Power matching conditions: f = 1.8 GHz

Source Match: Γ

Siemens Aktiengesellschaft pg. 2/7 17.12.96

= 700 mA f = 1.8 GHz

I

D

: MAG = 0.70, ANG -116°; Load Match: Γml: ;MAG 0.68, ANG -145°

ms

: MAG = 0.70, ANG -120°; Load Match: Γml: ;MAG 0.78, ANG -130°

ms

P

P

1dB

P

1dB

PAE

o

32.0 32.5 - dBm

- 28.5 - dBm

- 32.5 - dBm

40 55 - %

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

Compression Power vs. Drain-Source Voltage

f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS

P1dB

40

[dBm]

35
30
25

20
15

10

5
0

012345678

Drain-Source Voltage

[V]

ηη

80

[%]

70
60
50

40
30

20
10

0

D

Small Signal Gain

16

[dB]

14
12
10

8
6

4
2
0

012345678

Drain-Source Voltage

P1dB

4.0

[W]

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5
0

[V]

Output Characteristics

1,8
1,6
1,4
1,2

1
0,8
0,6

Draincurrent [A]

0,4
0,2

0

0123456

Siemens Aktiengesellschaft pg. 3/7 17.12.96

PtotDC

VGS=0V

VGS=-0.5V

VGS=-1V

VGS=-1.5V

VGS=-2V

VGS=-2.5V

Drain-Source Voltage [V]

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

typ. Common Source S-Parameters

VDS = 3 V ID = 700 mA Zo = 50 Ω

f S11 S21 S12 S22

GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG

0,1 0,97 -46,7 12,54 152,1 0,01013 71 0,55 -175,9

0,15 0,94 -66,5 11,55 139,8 0,01418 63,5 0,57 -175,9

0,2 0,92 -83,8 10,29 129,8 0,01729 57,8 0,58 -177,6

0,25 0,89 -98,3 9,27 121,5 0,01981 53,6 0,61 -178,6

0,3 0,88 -110,6 8,35 113,8 0,02179 49,5 0,62 -179,6
0,4 0,85 -130,5 6,8 102 0,02484 45,7 0,64 176,6
0,5 0,84 -145,7 5,67 92 0,02739 42,8 0,65 173,9
0,6 0,83 -157,8 4,85 83,9 0,02978 41 0,66 170,4
0,7 0,83 -167,9 4,2 76,8 0,03211 39,8 0,66 167,9
0,8 0,83 -176,7 3,69 70,1 0,03431 38,5 0,68 165,1
0,9 0,83 175,5 3,29 64,1 0,03669 37,2 0,68 162,1

1 0,83 168,6 2,95 58,5 0,03901 36,2 0,69 160,1
1,2 0,83 156,3 2,45 47,7 0,04357 33,1 0,69 154,8
1,4 0,84 145,5 2,07 37,7 0,04826 29,8 0,7 149,4
1,5 0,84 140,4 1,91 33 0,05055 28,2 0,72 147,3
1,6 0,85 135,6 1,77 28,3 0,05255 26,3 0,72 144,3
1,8 0,86 126,4 1,54 19,2 0,05666 22,1 0,73 139

2 0,87 117,9 1,35 10,5 0,06018 17,8 0,75 134,2
2,2 0,88 110 1,19 2,1 0,06309 13,7 0,76 129,5
2,4 0,88 102,7 1,06 - 6 0,06575 9,6 0,76 124,8
2,5 0,88 99 0,99 -9,8 0,06683 7,3 0,77 121,7

3 0,9 83,3 0,74 -27,3 0,07096 -2,7 0,79 110,1
3,5 0,9 70,3 0,57 -41,4 0,0727 -11,6 0,81 99,4

4 0,91 59,4 0,46 -52,8 0,07424 -19,4 0,84 89,2
4,5 0,92 49,1 0,38 -63,3 0,07458 -27,5 0,85 80

5 0,93 39,4 0,33 -73,5 0,07561 -34,8 0,88 70,2
5,5 0,93 29,7 0,28 -82,9 0,07602 -42,6 0,89 60

6 0,92 20,8 0,25 -90,9 0,07392 -50,4 0,9 49

Siemens Aktiengesellschaft pg. 4/7 17.12.96

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

typ. Common Source S-Parameters

VDS = 5 V ID = 700 mA Zo = 50 Ω

f S11 S21 S12 S22

GHz MAG ANG MAG ANG MAG ANG MAG ANG

0,1 0,96 -48,5 14,2 150,6 0,01079 68,9 0,45 -171,9

0,15 0,93 -68,8 12,97 137,9 0,01503 60,6 0,47 -171,3

0,2 0,91 -86,4 11,48 127,5 0,01801 54,4 0,5 -173,3

0,25 0,88 -101 10,26 119,1 0,02041 50,1 0,53 -174,5

0,3 0,87 -113,2 9,19 111,4 0,02224 45,9 0,55 -175,6
0,4 0,84 -132,9 7,43 99,4 0,02486 41,7 0,56 -179,8
0,5 0,83 -147,7 6,17 89,4 0,02691 39,1 0,58 177,5
0,6 0,82 -159,5 5,25 81,2 0,02894 37,6 0,59 173,8
0,7 0,82 -169,4 4,54 73,9 0,03078 36,7 0,6 171,4
0,8 0,81 -177,9 3,98 67,1 0,03264 35,8 0,61 168,7
0,9 0,82 174,5 3,55 61 0,03469 35 0,61 165,8

1 0,82 167,7 3,17 55,1 0,03667 34,4 0,62 163,9
1,2 0,82 155,7 2,62 43,9 0,04065 32,4 0,64 158,8
1,4 0,83 145,1 2,2 33,6 0,04503 29,9 0,65 153,6
1,5 0,84 140,1 2,04 28,7 0,04721 28,8 0,66 151,6
1,6 0,84 135,4 1,88 23,8 0,04917 27,2 0,67 148,5
1,8 0,85 126,3 1,63 14,3 0,05335 23,5 0,69 143,3

2 0,86 118 1,42 5,1 0,05705 19,7 0,71 138,5
2,2 0,87 110,1 1,25 -3,6 0,0602 15,9 0,72 133,8
2,4 0,88 102,8 1,1 -12,2 0,06313 12 0,73 129
2,5 0,88 99,1 1,03 -16,1 0,06448 9,9 0,74 125,9

3 0,9 83,3 0,76 -34,4 0,06956 -0,2 0,77 113,9
3,5 0,91 70,3 0,57 -49 0,07219 -9 0,81 102,8

4 0,91 59,3 0,45 -60,5 0,07429 -17,1 0,83 92,1
4,5 0,92 48,9 0,37 -71,1 0,07489 -25,5 0,85 82,5

5 0,93 39,2 0,31 -81,2 0,07614 -32,9 0,89 72,3
5,5 0,93 29,5 0,26 -90,4 0,07667 -40,9 0,9 61,7

6 0,92 20,6 0,23 -97,9 0,07466 -48,6 0,91 51

Additional S-Parameter available on CD.

Siemens Aktiengesellschaft pg. 5/7 17.12.96

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

_________________________________________________________________________________________________________

Total Power Dissipation

P

totDC

= f(Ts)

Permissible Pulse Load

P

totmax/PtotDC

= f(tp)

Siemens Aktiengesellschaft pg. 6/7 17.12.96

HL EH PD 21

GaAs FET CLY 10

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CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions

Definition:

ΓΓ

Measured Data:

Typ f

[GHz]

CLY10

Note: Gain is small signal gain @ Γms and Γ

0.9 3 700 26.7 15.3 0.58 169 0.68 -156

1.5 3 700 28.5 10.0 0.70 -135 0.79 -132

1.8 3 700 28.5 9.0 0.70 -120 0.78 -123

2.4 3 700 27.9 7.2 0.77 -86 0.73 -107

V

DS

[V]

5 700 32.0 15.4 0.57 173 0.69 -157
6 700 33.8 14.9 0.56 174 0.68 -155

5 700 32.5 10.1 0.67 -127 0.76 -133
6 700 33.3 10.2 0.67 -134 0.72 -132

5 700 32.5 9.5 0.70 -120 0.78 -125
6 700 33.3 9.7 0.73 -125 0.77 -126

5 700 31.3 7.4 0.74 -92 0.65 -110
6 700 33.3 7.5 0.73 -87 0.70 -110

I

D

[mA]

P-

1dB

[dBm]

ml

Gain

[dB]

Γ

ms

MAG

Γ

ms

ANG

Γ

ml

MAG

Γ

ml

ANG

Siemens Aktiengesellschaft pg. 7/7 17.12.96

HL EH PD 21