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BY4 ... BY16
2 2
±0.5
7.3
±0.3
Ø 1.2
±0.05
66
+4.0
Version 2013-04-03
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Nominal current
0.3 A ... 1 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
4000...16000 V
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Ø 7.3 x 22 [mm]
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
1.9 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Rep. peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspg.
V
[V]
RRM
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspg.
V
[V]
RSM
Max. forward current
Dauergrenzstrom
I
[A] 1)
FAV
Forward volt.
Durchlass-Spg.
VF [V] 2)
BY4 4000 4000 1.0 < 4.0
BY6 6000 6000 1.0 < 6.0
BY8 8000 8000 0.5 < 8.0
BY12 12000 12000 0.5 < 10.0
BY16 16000 16000 0.3 < 15.0
Leakage Current
Sperrstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Tj = 25°C
Tj = 100°C
TA = 25°C I
VR = V
VR = V
FSM
RRM
RRM
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
T
j
T
S
R
thA
< 1 µA
< 25 µA
30 A
-50...+150°C
-50...+150°C
< 25 K/W 1)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 At / Bei I
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
FAV,Tj
= 25°C
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Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
1
10
10
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
BY4
BY6
BY8
BY12
BY16
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
1
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
BY4...BY6
BY8...BY12
BY16
100
10
1
0.1
[µA]
I
R
Leakage current vs. junction temp. (typ. values)
Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.)
T
j
[°C]
0
50 100
150
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
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