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查询BR100/031LLD供应商
BR 100/03 LLD ... BR 100/04 LLD
Surface mount bidirectional Bidirektionale Silizium-Trigger-Dioden
Silicon-Trigger-Diodes (DIAC) für die Oberflächenmontage (DIAC)
Breakover voltage 28 ... 45 V
Durchbruchsspannung
Plastic case MiniMELF SOD-80
Kunststoffgehäuse MiniMELF DO-213AA
Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled see page 18
Dimensions / Maße in mm
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18
Maximum ratings Grenzwerte
Power dissipation – Verlustleistung TA = 50 /CP
Repetitive peak forward current t # 20 :sI
tot
FRM
150 mW 1)
2 A 1)
Periodischer Spitzenstrom
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T
Storage temperature – Lagerungstemperatur T
– 50…+100/C
j
– 50…+150/C
S
Characteristics Kennwerte
Breakdown voltage dV/dt = 10V/:s BR 100/03 LLD V
Durchbruchspannung BR 100/031 LLD V
BR 100/04 LLD V
Breakdown current – Durchbruchstrom V = 98 % V
Asymmetry of breakdown voltage *V
(BO)F
- V
BO
* )V
(BO)R
I
BO
BO
BO
BO
BO
28 ... 36 V
30 ... 34 V
35 ... 45 V
< 50 :A
< 3.8 V
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung dV/dt = 10V/:s )V
)I = I
Thermal resistance junction to ambient air R
to/auf IF = 10 mA
BO
thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
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F/R
< 300 K/W 1)
28.02.2002
> 5 V
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BR 100/03 LLD ... BR 100/04 LLD
Typical characteristic of a DIAC – Typische DIAC-Kennlinie
28.02.2002
Test circuit for a thyristor trigger – Meßschaltung für Thyristor-Zündschaltung
393
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