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BPX 65
BPX 66
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon PIN Photodiode
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
BPX 65
BPX 66
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 350 nm bis 1100 nm
● BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
● BPX 66: Sperrstromarm (typ. 150 pA)
● Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),
geeignet bis 125oC
1)
Anwendungen
● schneller optischer Empfänger mit groβer
Modulationsbandbreite
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Features
● Especially suitable for applications from
350 nm to 1100 nm
● BPX 65: high photosensitivity
● BPX 66: low reverse current (typ. 150 pA)
● Hermetically sealed metal package (TO-18),
suitable up to 125oC
1)
Applications
● Fast optical sensor of high modulation
bandwidth
Gehäuse
Package
BPX 65 Q62702-P27 18 A3 DIN 41870, planes Glasfenster, hermetisch
BPX 66 Q62702-P80
dichtes Gehäuse, Lötspieβe im 2.54-mm-Raster
2
(
/10”), Anodenkennzeichnung: Nase am Gehäuse-
boden
18 A3 DIN 41870, flat glass lens, hermetically
sealed package, solder tabs 2.54 mm (2/10”) lead
spacing, anode marking: projection at package bottom
1)
Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85oC
1)
For operating conditions of TA > 85oC please contact us.
Semiconductor Group 342
10.95
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Grenzwerte
Maximum Ratings
BPX 65
BPX 66
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
T
S
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
Sperrspannung
V
R
Reverse voltage
Verlustleistung, T
= 25oC
A
P
tot
Total power dissipation
Kennwerte (T
= 25oC, Normlicht A, T = 2856 K)
A
Characteristics (TA = 25oC, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
–40 ... +80
230
Einheit
Unit
o
C
o
C
50 V
250 mW
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, V
= 5 V
R
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10% of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
S 10 (≥ 5.5) nA/Ix
λ
S max
850 nm
λ 350 ... 1100 nm
A 1.00 mm
L x B
1x1 mm
L x W
H 2.25 ... 2.55 mm
ϕ±40 Grad
deg.
2
Semiconductor Group 343
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Kennwerte (TA = 25oC, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25oC, standard light A, T = 2856 K)
BPX 65
BPX 66
Bezeichnung
Description
Dunkelstrom
Dark current
BPX 65: VR = 20 V
BPX 66: VR = 1 V
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung, E
= 1000 Ix
v
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, E
= 1000 Ix
v
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaβspannung, I
= 100 mA, E = 0
F
Forward voltage
Symbol
Symbol
I
R
Wert
Value
1 (≤ 5)
0.15 (≤ 0.3)
S
λ
0.55 A/W
η 0.80
V
L
I
K
tr, t
V
F
f
320 (≥ 270) mV
10 µA
12 ns
1.3 V
Einheit
Unit
nA
Electrons
Photon
Kapazität, V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
R
Capacitance
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
L
L
K
K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Nachweisgrenze, V
= 20 V, λ = 850 nm
R
Detection limit
C
TC
TC
0
V
I
11 pF
–2.6 mV/K
0.2 %/K
NEP 3.3 x 10
D* 3.1 x 10
–14
12
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 344
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BPX 65
BPX 66
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
Photocurrent IP= f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit-voltage V
Capacitance
C = f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
= f (Ev)
L
Total power dissipation P
Dark current
IR= f (TA), VR = 20 V, E = 0
= f (TA)
tot
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Semiconductor Group 345
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