Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
NEU: in SMT
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
NEW: in SMT
5.4
Cathode marking
4.0
3.7
0.6
0.4
0.6
0.4
0.8
0.6
1.2
0.5
0.3
0.7
0.35
0.2
0.8
0.6
4.9
4.5
4.3
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Chip position
2.2
0.6
0.4
1.9
3.5
3.0
BP 104 F
BP 104 FS
feo06075feo06861
Photosensitive area
1.2
1.6
Approx. weight 0.1 g
Photosensitive area Cathode lead
2.20 mm x 2.20 mm
2.20 mm x 2.20 mm
Chip position
1.2
1.1
0...0.1
0.9
0.7
0.3
6.7
6.2
4.5
4.3
1.6
1.2
1.1
0.9
0.2
0...5˚
1.5
1.7
4.0
GEO06861
GEO06075
0.1
3.7
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Semiconductor Group 1 1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen
bei 950 nm
● kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
● DIL-Plastikbauform mit hoher Packungs-
dichte
● BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase
Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
BP 104 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
(*BP 104 )
Features
● Especially suitable for applications
of 950 nm
● Short switching time (typ. 20 ns)
● DIL plastic package with high packing
density
● BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Applications
● IR remote control of hi-fi and TV sets,
video tape recorders, dimmers, remote
controls of various equipment
● Photointerrupters
BP 104 FS Q62702-P1646
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C P
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
V
R
tot
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 85 °C
20 V
150 mW
Semiconductor Group 2 1997-11-19
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
BP 104 F
BP 104 FS
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
= 5 V, Ee = 1 mW/cm
R
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Symbol
Symbol
S
λ
S max
Wert
Value
Einheit
Unit
34 (≥ 25) µA
950 nm
λ 780 ... 1100 nm
A 4.84 mm
L × B
L
× W
H
2.20 × 2.20 mm × mm
0.5
mm
0.3 (BP 104 FS)
2
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
= 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
L
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage
Kapazität, VR= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
ϕ±60 Grad
deg.
I
R
S
λ
2 (≤ 30) nA
0.70 A/W
η 0.90 Electrons
Photon
V
I
t
V
C
r
SC
O
, t
F
f
0
330 (≥ 250) mV
17 µA
20 ns
1.3 V
48 pF
Semiconductor Group 3 1997-11-19
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics (cont’d)
BP 104 F
BP 104 FS
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von V
Temperature coefficient of V
Temperaturkoeffizient von I
Temperature coefficient of I
O
O
SC
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
= 10 V
R
Nachweisgrenze, VR= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
TC
V
TC
I
NEP
Wert
Value
– 2.6 mV/K
0.18 %/K
3.6 × 10
D* 6.1 × 10
–14
12
Einheit
Unit
W
√Hz
cm · √Hz
W
Semiconductor Group 4 1997-11-19
BP 104 F
BP 104 FS
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
100
S
rel
%
80
60
40
20
0
700
800 900 1000 1200
Dark current
I
= f (VR), E = 0
R
8000
pA
Ι
R
6000
4000
OHF00368
nm
λ
OHFD1781
Photocurrent IP= f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage V
34
10
µ
AmV
Ι
P
= f (Ee)
O
OHF01056
10
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
160
mW
P
V
O
tot
140
OHF00958
2
10
1
10
0
10
-1
10
0
10
Capacitance
C =f (V
), f = 1 MHz, E = 0
R
60
pF
50
40
10110
V
O
Ι
P
2
W/cm
µ
2
10
E
e
OHF01778
10
10
10
10
3
2
1
0
4
120
100
80
60
40
20
0
0
20 40 60 80 ˚C 100
T
Dark current
I
= f (TA), VR= 10 V, E = 0
R
3
10
nA
Ι
R
OHF00082
2
10
1
30
10
A
2000
0
10 20 30 V 40
0
Directional characteristics S
40 30 20 10
50
60
70
80
90
V
R
rel
= f (ϕ)
10
0
20
10
-1
0
-2
10C10-1100101102V
0
ϕ
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
R
OHF01402
10
20 40 60 80 ˚C 100
0
T
A
100
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
0
Semiconductor Group 5 1997-11-19
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