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BP 103
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
● Hohe Linearität
● TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieβharz, mit Basisanschluβ
Features
● Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
● High linearity
● TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
BP 103
fet06017
Anwendungen
● Computer-Blitzlichtgeräte
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Applications
● Computer-controlled flashes
● Photointerrupters
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
BP 103 Q62702-P75
BP 103-2 Q62702-P79-S1
BP 103-3 Q62702-P79-S2
BP 103-4 Q62702-P79-S4
BP 103-5
1)
Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
1)
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
1)
Q 62702-P781
Semiconductor Group 211
10.95
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Grenzwerte
Maximum Ratings
BP 103
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t ≤ 5 s
Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
Symbol
Symbol
T
; T
op
stg
T
S
T
S
V
CE
I
C
I
CS
Wert
Value
Einheit
Unit
– 40 ... + 80 °C
260 °C
300 °C
50 V
100 mA
200 mA
Emitter-Basisspannung
Emitter -base voltage
Verlustleistung,
T
= 25 °C
A
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
V
EB
P
tot
R
thJA
7V
150 mW
500 K/W
Semiconductor Group 212
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Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
BP 103
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
= 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
e
E
= 1000 Ix, Normlicht/standard light a
v
V
= 5 V
CB
Kapazität
Capacitance
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CE
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CB
V
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0
EB
Dunkelstrom
Dark current
V
= 35 V, E = 0
CE
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
Einheit
Unit
850 nm
420 ... 1130 nm
A 0.12 mm
L× B
0.5 × 0.5 mm × mm
L × W
H 0.2 ... 0.8 mm
ϕ±55 Grad
deg.
I
I
C
C
C
I
PCB
PCB
CE
CB
EB
CEO
0.9
2.7
8
11
19
µA
µA
pF
pF
pF
5 (≤ 100) nA
2
Semiconductor Group 213
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BP 103
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
E
= 1000 Ix.
v
Normlicht/standard light A
V
= 5 V
CE
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
= 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
C
Kollektor-EmitterSättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
PCEmin
1)
× 0.3
2
I
= I
C
E
= 0.5 mW/cm
e
Stromverstärkung
Current gain
E
= 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
e
Symbol
Symbol
I
PCE
I
PCE
tr,t
f
V
CEsat
I
PCE
I
PCB
Wert
Value
Einheit
Unit
-2 -3 -4 -5
80 ... 160
0.38
125 ... 250
0.6
200 ... 400
0.95
≥ 320
1.4
µA
mA
57 9 12µs
150 150 150 150 mV
140 210 340 530
1)
I
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
PCEmin
1)
I
is the min. photocurrent of the specified group
PCEmin
Semiconductor Group 214
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BP 103
Relative spectral sensitivity
S
= f (λ)
rel
Output characteristics
I
= f (VCE), IB= Parameter
C
Photocurrent
I
= f (Ee), VCE= 5 V
PCE
Output characteristics
I
= f (VCE), IB= Parameter
C
Total power dissipation
P
= f (TA)
tot
Dark current
I
= f (VCE), E = 0
CEO
Photocurrent
I
PCE/IPCE25
o
= f (TA), VCE= 5 V
Dark current
I
CEO/ICEO25
o
= f (TA), VCE = 25 V, E = 0
Semiconductor Group 215
Collector-emitter capacitance
C
= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
CE
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BP 103
Collector-emitter capacitance
C
= f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
CB
Directional characteristics S
rel
= f (ϕ)
Emitter-base capacitance
C
= f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
EB
Semiconductor Group 216
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