Datasheet 2td8307 Datasheet

составной биполярный

2ТД8307А9

n-p-n транзистор

Назначение

Кремниевый эпитаксиально–планарный составной биполярный n-p-n транзистор предназначен для
использования в усилителях, электронных коммутационных устройствах, преобразовательной
аппаратуре специального назначения, а также в термостатированных и термостабилизированных
кварцевых генераторах.

Ближайший функциональный аналог – 2ТД543А9

Особенности

• Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 ºC

• Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4

• Масса прибора не более 1 г.

• Повышенная стойкость к СВВФ

КТ-99-1

Обозначение технических условий

• АЕЯР.432140.582ТУ

Корпусное исполнение

• металлокерамический корпус КТ-99-1 КФШЛ.432252.002ТУ
для поверхностного монтажа.

Стойкость к воздействию статического электричества

Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по VI степени жесткости ОСТ 11

073.062. Допустимое значение

электрического статического потенциала − 2 000 В.

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

1

Таблица 1. Электрические параметры составного биполярного транзистора, изменяющиеся в процессе
и после воздействия специальных факторов

Наименование параметра, единица

измерения (режим измерения)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*, В

(I

= 500 мА, IБ = 0,5 мА,tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

К

Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА

(U

= 80 В, UЭБ = 0)

КЭ

Обратный ток эмиттера*, мкА

= 5 В, IК = 0)

(U

ЭБ

Статический коэффициент передачи тока*, **

(I

= 150 мА, UКЭ = 10 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

К

* В процессе воздействия параметр не контролируется.
** При измерении в схеме с общей базой: U

= 8 В, IЭ = IК.

КБ

Буквенное

обозначение

параметра

U

КЭ нас

I

КЭК

I

ЭБО

h

21Э

Норма

параметра

не

менее

−

−

−

−

−

−

−

−

500
500
100

не

более

2,0
2,0

10,0

2 000
2 000

1 000
2 000
1 000

−

−

−

Темпе­ратура
среды,

°С

25±10
125±5
–60±3

25±10
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

Таблица 2. Предельно допустимые значения параметров одиночных импульсов при воздействии ЭМИ

Наименование параметра

(режим испытания), единица измерения

Максимально-допустимый импульсный ток
коллектора при положительном (на коллекторе)
импульсе напряжения по цепи коллектор-база, А

Максимально-допустимый импульсный ток
коллектора при положительном (на базе)
импульсе напряжения по цепи коллектор-база, А

Максимально-допустимый импульсный ток
эмиттера при положительном (на эмиттере)
импульсе напряжения по цепи эмиттер-база, А

Максимально-допустимый импульсный ток
эмиттера при положительном (на базе) импульсе
напряжения по цепи эмиттер-база, А

Значение параметра

при длительности

одиночного импульса

0,25 мкс 1,0 мкс 10 мкс

0,2 0,2 0,2

50 50 50

3,5 3,5 3,5

60 60 60

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

2

Таблица 3. Значения электрических параметров транзистора при приемке и поставке

Норма

параметра

не

менее

более

Наименование параметра, единица измерения

(режим измерения)

Буквенное

обозначение

параметра

не

Темпе­ратура
среды,

°С

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

= 500 мА, IБ = 0,5 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

(I

К

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В

(I

= 2 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

К

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

(I

= 500 мА, IБ = 0,5 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

К

Напряжение насыщения база-эмиттер, В

= 2 А, IБ = 8 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

(I

К

Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА

(U

= 80 В, UЭБ = 0)

КЭ

Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА

(U

= 40 В, RЭБ = ∞)

КЭ

Обратный ток эмиттера, мкА

(U

= 5 В, IК = 0)

ЭБ

Статический коэффициент передачи тока*
(IК = 150 мА, UКЭ = 10 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

Статический коэффициент передачи тока*

(IК = 2 А, UКЭ = 10 В, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)

U

U

U

U

КЭ нас

КЭ нас

БЭ нас

БЭ нас

I

КЭК

I

КЭО

I

ЭБО

h

21Э

h

21Э

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

−

–

−

1 000
1 000

400

3 000
3 000

600

1,3

1,25

1,5

1,7
1,5
1,8

1,9
1,7
2,2

2,0
1,8
2,4

1,0

2 000

10,0

10,0

1 000

10,0

1,0

1 000

10,0

−
–

−

−

−

−

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

25±10
125±5
–60±3

Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт R

* При измерении в схеме с общей базой: UКБ = 8 В, IЭ = IК.

Θ пер-кор

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

−

13,0 25±10

3

Таблица 4. Предельно-допустимые и предельные значения параметров и режимов эксплуатации

Наименование параметра режима, единица измерения

(режим измерения)

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В

(U

= 0)

ЭБ

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В

(I

= 0)

Б

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В U

Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А

≤ 6,3 мс, Q ≥ 2)

(t

и

Максимально допустимый постоянный ток базы, мА I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора*, Вт (при температуре корпуса от минус 60 до 85 °С)
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, Вт (при температуре корпуса 125 °С)

Максимально допустимая температура перехода, °С

Буквенное

обозначение

параметра

U

U

I

Т

80

КЭК mах

40

КЭО max

5

ЭБ mах

2,0

К mах

4,0

K, и max

100

Б max

5,0

Р

К mах

Р

1,92

К mах

150

пер mах

Норма

параметра

* В диап. температур корпуса от 85 до 125 °С Р

определяется по формуле: Р

К mах

Таблица 5. Справочные значения основных параметров при Т

Наименование параметра, единица измерения

(режим и условия измерения)

Статический коэффициент передачи тока*, **

(U

= 10 В, IК = 150 мА)

КЭ

(U

= 10 В, IК = 2 А)

КЭ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер*, В

(I

= 500 мА, IБ = 0,5 мА)

К

= 2 А, IБ = 8 мА)

(I

К

Напряжение насыщения база-эмиттер*, В

(I

= 500 мА, IБ = 0,5 мА)

К

(I

= 2 А, IБ = 8 мА)

К

Обратный ток эмиттера, мкА

(U

= 5 В, IК = 0)

ЭБ

Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА

(U

= 80 В, UЭБ = 0)

КЭ

Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА

= 40 В, RЭБ = ∞)

(U

КЭ

Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт R

Тепловое сопротивление переход-среда, °C/Вт R

Буквенное

обозначение

параметра

h

21Э

U

КЭ нас

U

БЭ нас

I

ЭБО

I

КЭК

I

КЭO

Θ пер-кор

Θ пер-окр

= (25±10) °С

окр

= (Т

К mах

пер max

Значение параметра

мини-

мальное

типовое

1 000
3 000

−

−

−

−

− −

− −

− −

− −

− −

−

−

−

−

−

−

− Т

кор

)/R

.

пер-кор

Θ

макси-

мальное

−

−

1,3
1,7

1,9
2,0

1,0

1,0

10,0

13,0

156,0

* tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50
** При измерении в схеме с общей базой: U

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

= 8 В, IЭ = IК.

КБ

4

Работоспособность транзистора

Во время и непосредственно после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И
допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия
работоспособность транзистора должна восстанавливаться.

Критерием работоспособности транзистора является значение обратного тока коллектор-эмиттер I

КЭК

.

Стойкость к воздействию статического электричества

Стойкость транзистора к воздействию статического электричества должна быть по VI степени жесткости
ОСТ 11 073.062.

Допустимое значение электрического статического потенциала − 2 000 В.

Требования стойкости к внешним воздействующим факторам

Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ

20.39.414.2 с характеристиками:

6

• 7.И

• 7.И

• 7.И

• 7.С

• 7.С

• 7.К

• 7.К

− по группе исполнения 2УС;

1

− по группе исполнения 2УС;

6

− по группе исполнения 5УС;

7

– по группе исполнения 5УС;

1

− по группе исполнения 5УС;

4

− по группе исполнения 2 ⋅ 2К;

1

− по группе исполнения 2 ⋅ 2К.

4

Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И

7.И с характеристикой 7.И

по критерию I

6

≤ 2,0 мА составляет 1 ⋅ 10-2 ⋅ 1УС.

КЭК

) при воздействии специального фактора

8

Транзистор должен быть стойким к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при
действии электромагнитных излучений (ЭМИ).

Требования надежности

Гамма - процентная наработка до отказа транзистора Т
допускаемых ТУ, должна быть не менее 100 000 ч, а в облегченных режимах при Т

°С – не менее 200 000 ч в пределах срока службы Т

– 25 лет.

сл

при γ = 95 % в режимах и условиях,

γ

= 115 °С, Т

пер

= 100

кор

Гамма - процентный срок сохраняемости Т

транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке

сγ

изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В

9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте
ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

5

Указания по эксплуатации

Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.

Основное назначение транзистора – использование в усилителях, электронных коммутационных
устройствах, преобразовательной и другой аппаратуре специального назначения, а также в
термостатированных и термостабилизированных кварцевых генераторах.

Применение транзистора в

функциональных схемах, режимах и условиях, отличных от требований ТУ,

должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.907.8.

В диапазоне частот от 10 до 20 000 Гц резонансные частоты не обнаружены.

95-процентный ресурс транзистора Тγ в режимах и условиях, допускаемых ТУ, – 100 000 ч.

Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки

оплавлением паяльных паст и
паяльником. Температура пайки − не выше 265 °С. Время пайки − не более 4 с. Время лужения – 2 с.
Перепайка выводов транзистора не допускается.

Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний
потребителем.

Не допускается прикладывать

к выводам вращающих и изгибающих усилий.

Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.

Эквивалентная электрическая схема транзистора приведена на

рисунке.

Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.

Рисунок 1. Эквивалентная электрическая схема транзистора

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

6

0

0

5
,

+

0,48

2 вывода

5,25 мах

-0,18

4,25

0,5±0,2

0,5±0,2

–0,13

0,55

-0,15

2 вывода

01

02

Габаритный чертеж корпуса КТ-99-1 (КФШЛ.432252.002ТУ)

+0,05

4,6

-0,18

03

5,25 max

0,5mах

4 вывода

0,44 mах

1,7 max

Габаритный чертеж корпуса КТ-99-1

3 ± 0,1

3,13 –

0,1*

0,55–

0,15

2 вывода

03

02 03

*

для транзистора 2ТД8307А9

1. Назначение выводов:
01 - База; 02 – Эмиттер; 03 – Коллектор.

2. А - поверхность маркировки.

0,48–

0,13

2 вывода

0,06*

2,6 –

03

*

01

А

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

7

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

прототипы не подразумевают

2ТД8307А9 (май 2012г., редакция 1.1)

8