Page 1
кремниевый биполярный
составной n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной n-р-n транзистор Дарлингтона.
Предназначен для использования в специализированных усилителях с большим коэффициентом
усиления, электронных коммутационных устройствах, преобразовательной аппаратуре специального
назначения.
Корпусное исполнение
• металлокерамический корпус КТ-99-1
ГОСТ 18472 для поверхностного монтажа
• масса транзистора − не более 1,0 г.
КТ-99-1
Обозначение технических условий
• AEЯP.432150.538
ТУ
2ТД543А9
Диапазон температур
• диапазон температур от - 60 до + 125 °С
Таблица 1. Значения электрических параметров транзистора, изменяющиеся в процессе и после
воздействия специальных факторов
Температура
среды,
корпуса,
°С
25±10
125±5
–60±3
25±10
125±5
–60±3
25±10
–60±3
25±10
–60±3
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока*
(U
= 10 В, IК = 500 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
КЭ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
= 1 000 мА, IБ = 4,0 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
(I
К
Обратный ток эмиттера, мА
(U
= 5 В, IК = 0)
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 80 В, UЭБ = 0)
КЭ
Буквенное
обозначение
параметра
h
21Э
U
КЭ нас
I
ЭБО
I
КЭК
Норма параметра
не
менее
1 000
1 000
400
−
−
−
−
−
−
−
не
более
−
−
−
2,4
2,4
2,4
1,0
1,0
2,0
2,0
Примечание: * При измерении в схеме с общей базой: U
= 8 В, IЭ = 500 мА.
КБ
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
1
Page 2
Таблица 2. Значения электрических параметров транзистора при приемке и поставке
Норма
параметра
не
менее
2 000
2 000
500
не
более
–
−
−
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока *
(UКЭ = 10 В, IК =500 мА,
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
t
и
Буквенное
обозначе-
ние па-
раметра
h
21Э
Температура сре-
ды, кор-
пуса,°С
25±10
125±5
–60±3
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 1
000 мА, I
t
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
и
= 4 мА,
Б
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(I
= 1 000 мА, IБ = 4 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
К
Граничное напряжение, В
(I
= 10 мА, IБ = 0)
К
Обратный ток эмиттера
(U
= 5 В, IК = 0), мкА
ЭБ
(U
= 5 В, IК = 0), мА
ЭБ
(U
= 5 В, IК = 0), мкА
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер
(U
= 80 В, UЭБ = 0), мкА
КЭ
(U
= 80 В, UЭБ = 0), мА
КЭ
(U
= 80 В, UЭБ = 0), мкА
КЭ
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт
= 5 Вт, tи ≤ 0,1 с, одиночный импульс)
(P
К
Примечание: * При измерении в схеме с общей базой: U
U
КЭ нас
U
БЭ нас
U
40
КЭОгр
I
ЭБО
I
КЭК
R
КБ
Υ пер-кор
= 8 В, IЭ = 500 мА.
−
−
−
−
−
−
−
–
−
–
−
−
−
1,6
1,4
1,7
2,2
2,0
2,4
−
1,0
1,0
10,0
1,0
2,0
10,0
25±10
125±5
–60±3
25±10
125±5
–60±3
25±10
25±10
125±5
–60±3
25±10
125±5
–60±3
13 25±10
Работоспособность транзистора
Во время и непосредственно после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И
допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия
работоспособность транзистора должна восстанавливаться.
Критерием работоспособности транзистора является значение обратного тока коллектор-эмиттер I
КЭК
.
Стойкость к воздействию статического электричества
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества должна быть по VI степени жесткости
ОСТ 11 073.062.
Допустимое значение электрического статического потенциала − 2 000 В.
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
2
6
Page 3
Таблица 3. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации
Наименование параметра режима,
единица измерения (режим измерения)
Максимально допустимое постоянное напряжение коллекторэмиттер, В (U
ЭБ
= 0)
Максимально допустимое постоянное напряжение
эмиттер-база, В
Максимально допустимое постоянное напряжение коллекторэмиттер, В (I
= 0)
Б
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
(при температуре корпуса от минус 60 до 125 °С), А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора
(при температуре корпуса от минус 60 до 125 °С, t
≤ 6,3 мс, Q ≥ 2), А
и
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
(при температуре среды от минус 60 до 25 °С), А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора
(при температуре среды от минус 60 до 25 °С, t
≤ 6,3 мс, Q ≥ 2), А
и
Максимально допустимый постоянный ток базы, мА I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора*, Вт (при температуре корпуса от минус 60 до 85 °С)
Буквенное
обозначение
параметра
U
U
U
80
КЭК mах
5
ЭБ mах
40
КЭО max
1,0
I
К mах
I
2,0
K,и max
I
0,5
K max
I
1,0
K,и max
100
Б max
Р
5,0
К mах
Норма
параметра
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора**, Вт (при температуре среды от минус 60 до 25 °С)
Максимально допустимая температура перехода, °С
Максимально допустимая температура хранения, °С
Примечание:
* В диапазоне температур корпуса от 85 до 125 °С Р
= (Т
Р
К MАХ
ПЕР MAX
определяется по формуле:
К mах
− Т
)/R
КОР
** В диапазоне температур среды от 25 до 125 °С Р
определяется по формуле:
К mах
Р
К MАХ
= (Т
ПЕР MAX
− Т
ОКР
)/R
Υ ПЕР-ОКР
(R
Υ ПЕР-ОКР
Υ ПЕР-КОР
= 156 °С/ВТ)
0,8
Р
К mах
Т
150
пер mах
150
Т
хр
.
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
3
Page 4
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов
и специальных сред по ГОСТ В 28146 и ГОСТ РВ 20.39.414.1 по группе 6У со следующими уточнениями:
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением − 15 000 м⋅с-2 (1 500
g) и длительностью действия от 0,1 до 2 мс;
• линейное ускорение − 5 000 м⋅с
-2
(500 g);
• акустический шум − в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2 ·10
• атмосферное пониженное давление − 1,3 ·10
-5
Па) − 170 дБ;
-4
(10-6) Па (мм рт. ст.);
• повышенная рабочая и предельная температура среды (корпуса) − 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха − 98 % при температуре 35 ºС.
Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ
20.39.414.2 с характеристиками:
• 7.И1 − по группе исполнения 2УС;
• 7.И
• 7.И
• 7.С
• 7.С
• 7.К
• 7.К
− по группе исполнения 2УС;
6
− по группе исполнения 5 ⋅ 2УС;
7
– по группе исполнения 1УС;
1
− по группе исполнения 1УС;
4
− по группе исполнения 1К;
1
− по группе исполнения 0,1 ⋅ 1К.
4
Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И8) при воздействии специального фактора
7.И с характеристикой 7.И
по критерию I
6
≤ 2,0 мА составляет 0,006 ⋅ 2УС.
КЭК
Транзистор должен быть стойким к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при
действии электромагнитных излучений (ЭМИ).
Требования надежности
Гамма - процентная наработка до отказа транзистора Т
допускаемых настоящими ТУ, должна быть не менее 50 000 ч, а в облегченных режимах при Т
°С (без теплоотвода − при Т
Вт) – не менее 150 000 ч в пределах срока службы Т
= 100 °С, P
окр
= 0,16 Вт; с теплоотводом − при Т
Кmax
– 25 лет.
сл
при γ = 95 % в режимах и условиях,
γ
= 100 °С, P
кор
пер
Кmax
= 125
= 1,9
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В
9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте
ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
Значения Т
в условиях, отличных от вышеуказанных, в зависимости от мест хранения, приведены в
сγ
таблице 2 ГОСТ В 28146.
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
4
Page 5
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в усилителях, коммутационных устройствах,
преобразовательной и другой аппаратуре специального назначения.
Применение транзистора в функциональных схемах, режимах и условиях, отличных от требований ТУ
,
должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.907.8.
В диапазоне частот от 40 до 20 000 Гц резонансные частоты не обнаружены.
95-процентный ресурс транзистора Тγ в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 50 000 ч.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и
паяльником.
Температура пайки − не
выше 265 °С.
Время пайки − не более 4 с. Время лужения – 2 с.
Перепайка выводов транзистора не допускается.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний
потребителем.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий.
Допускается
применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.
Рисунок 1. Эквивалентная электрическая схема транзистора
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
5
Page 6
Таблица 4. Предельно допустимые значения параметров одиночных импульсов при воздействии ЭМИ
Значение параметра
Наименование параметра
(режим измерения), единица измерения
при длительности
одиночного импульса
0,25 мкс 1,0 мкс 10 мкс
Максимально-допустимый импульсный ток коллектора при
положительном (на коллекторе) импульсе напряжения по цепи
0,16 0,16 0,16
коллектор-база, А
Максимально-допустимый импульсный ток коллектора при
положительном (на базе) импульсе напряжения по цепи коллектор-
35 35 35
база, А
Максимально-допустимый импульсный ток эмиттера при
положительном (на эмиттере) импульсе напряжения по цепи
1,4 1,4 1,4
эмиттер-база, А
Максимально-допустимый импульсный ток эмиттера при
положительном (на базе) импульсе напряжения по цепи эмиттер-
14 14 14
база, А
Максимально-допустимый импульсный ток коллектора при
положительном (на эмиттере) импульсе напряжения по цепи
коллектор-эмиттер, А
Максимально-допустимый импульсный ток коллектора при
положительном (на коллекторе) импульсе напряжения по цепи
коллектор-эмиттер, А
Таблица 5. Значения основных параметров при Т
Наименование параметра,
единица измерения (режим и условия
измерения)
Статический коэффициент передачи тока*
= 10 В, IК = 500 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
(U
КЭ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
= 1 000 мА, IБ = 4 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
(I
К
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(I
= 1 000 мА, IБ = 4 мА, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
К
Граничное напряжение, В
(I
= 10 мА, IБ = 0)
К
Обратный ток эмиттера, мкА
(U
= 5 В, IК = 0)
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мкА
(U
= 80 В, U
КЭ
ЭБ
= 0)
= (25±10) °С
кор
Буквенное
обозначение
параметра
h
21Э
U
КЭ нас
U
БЭ нас
U
КЭОгр
I
ЭБО
I
КЭК
44 44 44
2 2 2
Значение параметра
мини-
мальное
типовое
2 000
− −
− −
40
− −
− −
макси-
мальное
− −
1,6
2,2
− −
1,0
1,0
Тепловое сопротивление переход-корпус, °C/Вт
= 5 Вт, tи ≤ 0,1 с, одиночный импульс)
(P
К
Примечание: * При измерении в схеме с общей базой: U
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
R
Υ пер-кор
= 8 В, IЭ = 500 мА.
КБ
− −
13
6
Page 7
0
0
5
,
+
0,48
2 вывода
5,25 мах
-0,18
4,25
0,5±0,2
0,5±0,2
–0,13
0,55
-0,15
2 вывода
01
02
3 ± 0,1
3,13 –
0,48–
0,13
2 вывода
4,6
0,55–
2 вывода
*
+0,05
-0,18
03
0,1*
03
03
0,15
5,25 max
0,5mах
02 03
*
4 вывода
0,44 mах
1,7 max
А
Габаритный чертеж корпуса КТ-99-1
для транзистора 2ТД543А9
0,06*
1. Назначение выводов:
2,6 –
01 - База; 02 – Эмиттер; 03 – Коллектор.
2. А - поверхность маркировки.
01
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
7
Page 8
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2ТД543А9 (январь 2012г., редакция 1.1)
прототипы не подразумевают
8
Loading...