Datasheet 2t847 Datasheet [ru]

Page 1

Назначение

Бескорпусные кремниевые планарные высоковольтные мощные N-P-N транзисторы 2Т847А-5/ИМ, поставляемые на общей пластине (неразделенными). Предназначенны для внутреннего монтажа в гибридных интегральных микросхемах (ГС), микросборках, блоках, а также для сборки дискретных приборов, обеспечивающих защиту транзисторов от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы специального назначения. Категория качества ВП.

Обозначение технических условий

• АЕЯР.432140.312 ТУ

, агрессивных газов и смесей и применяемых в аппаратуре

кремниевый биполярный

высоковольтный транзистор

2Т847А-5/ИМ

Рабочий температурный диапазон

• диапазон температур от - 60 до + 100 °C

Конструктивное исполнение

• бескорпусное исполнение; кристаллы на общей пластине ∅100 мм неразделенные;

• масса одного транзистора – не более 0,05 г.

Требования к устойчивости при специальных воздействиях

• Специальные воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018.

• Характеристики С3, И1 - И3, К1, К3 по 1У.

Справочные данные

• 95-процентный ресурс транзисторов (Тγ ) в режимах и условиях, допустимых ТУ, – 50000 ч.

• 95-процентный ресурс транзисторов (Тγ ) в облегченных режимах и условиях – 100000 ч.

Требования к устойчивости при климатических воздействиях

Климатические воздействия в составе ГС (микросборок) - по ОСТ В 11 336.018 со следующими уточнениями:

• повышенная рабочая температура корпуса 100 °С;

• смена температуры среды от минус 60 до 125 °С.

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

Page 2

Физические характеристики кристалла

Диаметр пластины Толщина кристалла

(100 ± 0,5) мм

(0,37 ± 0,02) мм

Размер кристалла (6,7 x 6,7) мм Пассивация НТФСС Металлизация планарной стороны AL – Si (1%) Металлизация непланарной стороны V – Au

Примечание:

• Координаты даны по слою пассивация

• Размеры для справок

• НТФСС – низкотемпературное фосфоросиликатное стекло

Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2Т847А-5/ИМ

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

Page 3

Таблица 1. Справочные значения основных параметров транзисторов в составе ГС (микросборок) при Т

= (25±10) ºС

кор

Наименование параметра,

режим и условия измерения.

Единица измерения

Статический коэффициент передачи тока

(UКЭ = 3 В, IК = 15 А, t

= (0,3-3) мс, Q ≥ 50)

Буквенное

обозначение

8 - -

21Э

минимальное типовое максимальное

Значение параметра

Обратный ток коллектора

= 650 В), мА

КБ

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50)

- - 5

КБО

Обратный ток эмиттера

= 8 В,

ЭБ

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

Граничное напряжение

= 0,1 А, LК = 40 мГн), В

- - 100

ЭБО

360 - -

КЭО гр

Напряжение насыщения коллекторэмиттер

= 15 А, IБ = 5 А,

= (0,3-3) мс, Q ≥ 50), В

- - 1,5

КЭ нас

Время спада

= 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А,

= 200 В, tи = 40 мкс), мкс

КЭ

- - 0,8

сп

Время рассасывания

= 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А,

= 200 В, tи = 40 мкс), мкс

КЭ

- - 3,0

рас

Таблица 4. Электрические параметры транзисторов в составе ГС (микросборок) в процессе и после воздействия специальных факторов

Наименование параметра (режим измерения),

единица измерения

Статический коэффициент передачи тока

= 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q ≥ 50)

КЭ

Буквенное

обозна-

чение

1,2 - 25±10

21Э

Норма

не менее не более

Температу-

ра,

°С

Обратный ток коллектора

= 650 В, tи = (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

КБ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

= 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q ≥ 50), В

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

- 10 25±10

КБО

- 10 25±10

КЭнас

Page 4

Таблица 2. Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения),

единица измерения

Обратный ток коллектора (UКБ = 650 В,

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

Обратный ток эмиттера (UЭБ = 8 В,

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

Граничное напряжение

= 0,1 А, tи = (0,3-1,0 мс, Q ≥ 50), В

Статический коэффициент передачи тока

(UКЭ = 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q ≥ 50)

Обратный ток коллектора1) (U

= 650 В)

КБ

= 400 В)

КБ

= 400 В)

КБ

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

Обратный ток эмиттера1 (U

= (0,3-10) мс, Q ≥ 50), мА

= 8 В,

ЭБ

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1)

= 15 А, IБ = 5 А, tи = (0,3-3) мс, Q ≥ 50), В

Граничное напряжение1)

= 0,1 А, LК = 40 мГн), В

Буквенное

обозначение

- 5 25±10

КБО

- 100 25±10

ЭБО

390 -

КЭО гр

21Э

КБО

- 100 25±10

ЭБО

- 1,5 25±10

КЭ нас

360 - 25±10

КЭО гр

Норма

не

менее

8 5 5

не

более

5 5 5

Время спада1)

= 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В,

= tи2 = 50 мкс), мкс

и1

- 0,8 25±10

сп

Время рассасывания1)

= 15 А, IБ1 = IБ2 = 3 А, UКЭ = 200 В,

= tи2 = 50 мкс), мкс

и1

Параметры, нормы для которых установлены для транзисторов в составе ГС (микросборок).

- 3,0 25±10

рас

Темпера-

тура,

°С

25±10 25±10 100±5

-60±3

25±10 100±5

-60±3

Таблица 3. Электрические параметры транзисторов в составе ГС (микросборок), изменяющиеся в течение минимальной наработки в пределах времени, равного минимальному сроку сохраняемости

Наименование параметра (режим измерения),

единица измерения

Статический коэффициент передачи тока

= 3 В, IК = 15 А, tи = (0,3-3) мс, Q ≥ 50)

КЭ

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

Буквенное

обозна-

чение

21Э

Норма

не менее не более

5 - 25±10

Темпера-

тура,

°С

Page 5

Таблица 5. Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации в составе ГС (микросборок) в диапазоне рабочих температур

Наименование параметра, режим и условия измерения, единица

измерения

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер

≤ 10 Ом), В

ЭБ

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер

≤ 10 Ом, t

ЭБ

= (10-20) мкс, tф/1,5 мкс), В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер – база, В U

Максимально допустимый постоянный ток коллектора2), А I

Максимально допустимый импульсный ток коллектора (tи ≤ 2 мс)

, А

Максимально допустимый постоянный ток базы2), А I

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора

3), 4) ,5)

, Вт

Буквенное

обозначение

КЭR max

КЭR, и max

К, и mах

ЭБ mах

К mах

Б mах

125

К mах

Норма

650

(при температуре корпуса от минус 60 до 25 °С)

Максимально допустимая температура перехода (кристалла)3), °С

Тепловое сопротивление переход-корпус3), °С/Вт R

В диапазоне температур корпуса от минус 40 до 75 °С. При снижении температуры корпуса до

минус 60 и повышении до 100 °С напряжение снижается линейно до 350 В.

При условии непревышения P

При сборке в условный корпус КТ-9.

При температурах корпуса Т

рассчитывают по формуле Р

Максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность коллектора Р

составе ГС (микросборок, приборов) при температурах корпуса Т формуле Р где R

К mах

Υ пер-кор

= (Т

. - тепловое сопротивление переход-корпус конкретных ГС (микросборок,

пер max

- Т

кор)

приборов). При температурах корпуса от минус 60 до 25 °С Р величине, рассчитанной для температуры корпуса Т

с учетом области безопасной работы.

К max

(КТ-9) от 25 до 100 °С Р

кор

К mах

/ R

Θ пер-кор

= (200 - Т

кор)

/1,4

К mах

= 25 °С.

кор

от 25 до 100 °С рассчитывают по

кор

принимается равным

К mах

200

пер mах

Υ пер-кор

1,4

транзисторов в

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

Page 6

Требования к устойчивости при механических воздействиях

Механические воздействия в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.

Требования к надежности

Минимальная наработка транзисторов в составе ГС (микросборок) в режимах и условиях, допускаемых ТУ, - 25000 ч, а в следующих облегченных режимах: P

К max

= 0,5 P

К max

, Т

= (100 ± 5) °С – 50000 ч.

кор

Срок хранения транзисторов до момента их герметизации в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11

336.018.

Минимальный срок сохраняемости в составе ГС (микросборок) – по ОСТ В 11 336.018.

Указания по применению и эксплуатации

Указания по применению и эксплуатации – по ОСТ В 11 336.018, ОСТ 11 336.907.0, ОСТ 11 0272 с дополнениями и уточнениями, изложенными в настоящем разделе.

Основное назначение транзисторов – использование в неремонтируемых гибридных схемах, микросборках, блоках или дискретных приборах, имеющих герметичные корпуса (или иную защиту от воздействия света, влаги, соляного тумана, плесневых грибков,

инея и росы, агрессивных сред) и используемых в схемах вторичных источников питания и других схемах аппаратуры специального назначения.

При производстве транзисторов строго руководствоваться требованиями 5.4 ОСТ 11 336.018 и ОСТ 11 0272. При извлечении из тары, проверке и в процессе эксплуатации бескорпусных транзисторов необходимо обеспечить защиту от воздействия статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062. Допустимое

значение статического потенциала 2000 В, степень жесткости – VI.

После проведения операций: разделение на кристаллы, присоединение выводов и установка в корпус при соблюдении требований ОСТ В 11 336.018 и ТУ транзисторы должны соответствовать требованиям ОСТ В 11 336.018 и ТУ в течение времени минимальной наработки и сохраняемости.

При технологических операциях недопустимо попадание на поверхность транзисторов пыли, масел, жиров, графита, спирта и других загрязнений, особенно, токопроводящих. На всех стадиях производства и сборки транзисторов запрещается брать бескорпусные транзисторы незащищенными руками.

Предприятию-потребителю при производстве ГС (микросборок) необходимо проводить технологические (отбраковочные) испытания согласно ОСТ В 11 0219.

Не допускается повторное присоединение вывода к контактной площадке.

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)

Page 7

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные

прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

2Т847А-5/ИМ (февраль 2011г., редакция 1.1)