Page 1
переключательный мощный
высоковольтный n-p-n транзистор
2Т845А/ИМ
Назначение
Кремниевый планарный переключательный мощный n-р-n транзистор в металлостеклянном корпусе.
Предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных
ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Особенности
• Категория качества ВП
• Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
• Ток коллектора 5 А
• Мощность коллектора 50 Вт
Коэффициент передачи тока 15 …100
•
Диапазон рабочих температур
• от - 60 до + 125 ºC
Обозначение технических условий
• АЕЯР.432140.255 ТУ
Корпусное исполнение
• металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
1
Page 2
Таблица 1. Электрические параметры транзистора при приемке и поставке
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока
(U
= 5 В, IК =2 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
КЭ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 400 В, RБЭ = 10 Ом)
КЭ
(U
= 300 В, RБЭ = 10 Ом)
КЭ
(U
= 400 В, RБЭ = 10 Ом)
КЭ
Обратный ток эмиттера, мА
(U
= 4 В)
ЭБ
Граничное напряжение, В
(I
= 0,1 А, I
К
= 0,3 А, L = 40 мГн)
Кнас
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(I
= 2 А, IБ = 0,4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
К
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(I
= 2 А, IБ = 0,4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
К
Время спада, мкс (IК = 2 А, UКЭ = 200 В,
I
= IБ2 = 0,1 А, tИ1 = tИ2 = 50 мкс)
Б1
Буквенное
обозначение
параметра
h
21Э
I
КЭR
I
ЭБО
U
КЭО гр
U
КЭ нас
U
БЭ нас
t
сп
Норма
параметра
не менее не более
15
8
8
–
−
−
−
400
−
−
−
100
150
100
1,0
3,0
1,0
1,0 25±10
−
1,5 25±10
1,5 25±10
0,35 25±10
Температура сре-
ды, кор-
Таблица 2. Электрические параметры, изменяющиеся в течение минимальной наработки
Норма параметра
не менее не более
−
2,0 25±10
Наименование параметра, единица измерения
(режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока
(U
= 5 В, IК =2 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
КЭ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 400 В, RБЭ = 10 Ом)
КЭ
Буквенное
обозначение
параметра
h
12 130 25±10
21Э
I
КЭR
пуса,°С
25±10
125±5
–60±3
25±10
125±5
–60±3
25±10
Температура
среды,
корпуса,
°С
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
2
Page 3
Таблица 3. Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в процессе и после
воздействия специальных факторов
Температура
среды,
корпуса,
°С
25±10
Наименование параметра, единица измерения
(режим измерения)
Статический коэффициент передачи тока
= 5 В, IК =2 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
(U
КЭ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 400 В, RБЭ = 10 Ом)
КЭ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(I
= 2 А, IБ = 0,5 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
К
Буквенное
обозначение
параметра
h
5
21Э
I
КЭR
U
КЭ нас
Норма параметра
не менее не более
−
−
−
3,0 25±10
5,0 25±10
Таблица 4. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора
Наименование параметра режима,
единица измерения (режим измерения)
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В
(R
= 10 Ом)
БЭ
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер, В
(R
= 10 Ом)
БЭ
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В U
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I
Буквенное
обозначение
параметра
U
U
КЭR, и mах
400
КЭR mах
400
4
ЭБ mах
5
К mах
Норма
параметра
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А I
Максимально допустимый постоянный ток базы, А I
Максимально допустимый импульсный ток базы, А I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора
1)
, Вт (при температуре корпуса не более 50 °С)
Максимально допустимая температура перехода, °С
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт R
1)
При температуре корпуса более 50 °С постоянная рассеиваемая мощность коллектора
определяется по формуле:
Р
КMАХ
= (Т
ПЕР MAX
− Т
КОР
)/R
Υ ПЕР-КОР
.
7,5
K,и max
1,5
Б max
4
Б,и max
Р
50
К mах
Т
150
пер mах
Υ пер-кор
2
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
3
Page 4
Таблица 5. Справочные значения основных параметров при Т
Наименование параметра,
единица измерения
(режим и условия измерения)
Статический коэффициент передачи
тока (U
= 5 В, IК = 2 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)*
КЭ
Граничное напряжение, В
(I
= 0,1 А, L = 40 мГн, I
К
= 0,3 А)
Кнас
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
(I
= 2 А, IБ = 0,4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
К
Напряжение насыщения база-эмиттер, В
(I
= 2 А, IБ = 0,4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
К
Обратный ток эмиттера, мА
(U
= 4 В)
ЭБ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 400 В, R
КЭ
= 10 Ом)
БЭ
Буквенное
обозначение
параметра
h
15
21Э
U
400
КЭО гр
U
КЭ нас
U
БЭ нас
I
ЭБО
I
КЭR
= (25±10) °С
кор
Мини-
мальное
− −
− −
− −
− −
Значение параметра
Типовое
−
− −
Макси-
мальное
100
1,5
1,5
1,0
1,0
Время спада, мкс
(I
= 2 А, U
К
I
= IБ2 = 0,1 А, tИ1 = t
Б1
= 200 В,
КЭ
= 50 мкс)
И2
сп
− −
0,35
t
* В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А.
Требования надежности
Минимальная наработка транзистора Т
менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (Р
в режимах и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не
н.м.
К max
= 0,7 Р
К max
; Т
= 100 ºС, Т
кор
= 125 ºС) – 50 000 ч.
пер
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В
9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте
ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
Значения Т
в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения, приведены в таблице
сγ
2 ГОСТ В 28146.
Конструктивные требования
• Масса транзистора не более 20 г.
• Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10
-4
л·мкм рт.ст/с.
• Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
• Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
4
Page 5
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных
ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения.
Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 11 кГц.
Допустимое значение
статического потенциала 2 000 В.
95-процентный ресурс транзистора Т
в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 50 000 ч.
γ
95-процентный ресурс транзистора Т
в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч.
γ
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником.
Температура припоя − не выше 265 °С. Время пайки − не более 4 с. Время лужения − 2 с.
Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не
более трех.
Расстояние от корпуса до места
лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм.
При распайке температура корпуса не должна превышать 125 °С. За температуру корпуса принимается
температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной
плоскости.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора, что
должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на
предприятии-потребителе.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий.
Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно
обеспечивать надежный тепловой контакт.
Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми
обратными токами во всем диапазоне температур.
При конструировании
схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных
связей.
Для транзистора, смонтированного в аппаратуру, максимально допустимую постоянную рассеиваемую
мощность рассчитывают по формуле:
где R
Т
= (Т
Р
Кmах
Υ кор-тепл
тепл
− тепловое сопротивление корпус - теплоотвод;
– температура на теплоотводе.
пер.mах
− Т
тепл
) / (R
Υ пер-кор
+ R
Υ кор – тепл
)
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в 3 − 4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
5
Page 6
Требования к электрическим параметрам и режимам эксплуатации
В процессе и после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И
допускается
6
временная потеря работоспособности. По истечении 50 мс от начала воздействия работоспособность
восстанавливается. Критерием работоспособности является параметр I
КЭR
.
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по VI степени жесткости ОСТ 11
073.062. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В.
Требования по стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических и биологических
факторов и специальных сред по группе − 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 и ГОСТ В 28146 со следующими
уточнениями:
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с-2 (1 500 g) и
длительностью действия от 0,1 до 2 мс;
• механический удар многократного действия с пиковым ударным ускорением 1 500 м⋅с
-2
(150 g)
и длительностью действия от 1 до 5 мс;
• линейное ускорение − 5 000 м⋅с
-2
(500 g);
• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2·10
• атмосферное пониженное давление − 1,3·10
-5
Па) 170 дБ;
-4
-6
(10
) Па (мм рт. ст);
• повышенная рабочая и предельная температура среды (корпуса) − 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха − 98 % при температуре 35 ºС.
Значения характеристик 7.И
, 7.С4 − по группе исполнения 1УС 7.С1 – 1УС, 7.И6 – 4УС ГОСТ РВ
1
20.39.414.2. Остальные требования по стойкости к воздействию специальных факторов к транзистору не
предъявляются.
Уровень бессбойной работы транзистора при воздействии специальных факторов 7.И с характеристикой
7.И
(по критерию I
6
≤ 3 мА) составляет (1 х 10 –4) х 2УC.
КЭR
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
6
Page 7
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
7
Page 8
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2Т845А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
8
Loading...