Page 1
переключательный мощный
высоковольтный n-p-n транзистор
2Т839А/ИМ
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор. Предназначен для использования в
схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах
и блоках аппаратуры специального назначения.
Особенности
• Категория качества ВП
• Напряжение коллектор-база 1500 В
• Ток коллектора 10 А
• Мощность коллектора 65 Вт
Диапазон рабочих температур
• от - 60 до + 125 ºC
Обозначение технических условий
• АЕЯР.432140.254 ТУ
Корпусное исполнение
• металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
1
Page 2
Таблица 1. Электрические параметры транзистора при приемке и поставке
Норма
параметра
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Буквенное
обозначение
параметра
не менее не более
Тем-
пература
среды,
корпуса,
°С
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) I
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) I
Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) I
Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) I
Статический коэффициент передачи тока
= 10 В, IК = 4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)*
(U
КЭ
Граничное напряжение, В
(I
= 100 мА, L = 40 мГн)
К
КБО
КБО
КБО
ЭБО
h
5
21Э
U
700
КЭО гр
Время спада, мкс
t
(I
= 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В,
К
t
= tИ2= 50 мкс)
И1
сп
* В схеме с общей базой: U
= 9,0 В, IЭ = 4,8 А.
КБ
Таблица 2. Справочные значения основных параметров при Т
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Буквенное
обозначение
параметра
−
−
−
−
−
= (25±10) °С
кор
Мини-
мальное
0,2 25±10
1,0 125±5
1,0
−60±3
10 25±10
−
−
25±10
25±10
1,5 25±10
Значение параметра
Типо-
вое
Макси-
мальное
Статический коэффициент передачи тока
(U
= 10 В, IК = 4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)*
КЭ
Граничное напряжение, В
(I
= 100 мА, L = 40 мГн)
К
Обратный ток эмиттера, мА
(U
= 5 В)
ЭБ
Обратный ток коллектора мА
(U
= 1 500 В)
КБ
Обратный ток коллектор-эмиттер, мА
(U
= 300 В)
КЭ
Время спада, мкс (IК = 5 А, U
I
= IБ2 = 1,8 А, tИ1 = tИ2 = 50 мкс)
Б1
= 500 В,
КЭ
* В схеме с общей базой: U
= 9,0 В, IЭ = 4,8 А.
КБ
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
h
5
21Э
U
700
КЭО гр
I
ЭБО
I
I
КБО
КЭR
t
сп
− −
− −
− −
− −
− −
− −
10
0,2
1,0
1,5
2
Page 3
Таблица 3. Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в течение минимальной
наработки
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Буквенное
обозначение
параметра
Норма
параметра
не менее не более
Температура
среды,
корпуса, °С
Статический коэффициент передачи тока
(U
= 10 В, IК = 4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
КЭ
h
3
21Э
−
Таблица 4. Электрические параметры транзистора, изменяющиеся в процессе и после
воздействия специальных факторов
Наименование параметра,
единица измерения (режим измерения)
Обратный ток коллектора
(U
= 1500 В), мА
КБ
Статический коэффициент передачи тока
= 10 В, IК = 4 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
(U
КЭ
Буквенное
обозначение
параметра
I
КБО
h
1,5
21Э
Норма
параметра
не менее не более
−
3 25±10
−
Температура
Таблица 5. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора
Буквенное
Наименование параметра,
единица измерения (режим и условия измерения)
обозна-
чение
параметра
25±10
среды,
корпуса, °С
25±10
Норма
параметра
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В *
1 500
U
КБ mах
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В
(R
= 10 Ом, длительность нарастания импульса должна быть не менее
ЭБ
U
1 500
КЭR max
3 мкс) *
Максимально допустимое постоянное напряжение база-эмиттер, В U
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А I
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
коллектора, Вт (при Т
Максимально допустимая температура перехода, °С
от минус 60 до 25 °С) **
кор
Т
Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт R
5
ЭБ mах
10
К mах
10
K, и max
Р
65
К mах
150
пер mах
Θ пер-кор
1,92
* Примечание: В диапазоне температур корпуса от минус 40 до 75 °С. При снижении температуры
корпуса до минус 60 и повышении до 125 °С напряжение линейно снижается до 1 100 В.
** Примечание: При температуре корпуса от 25 до 125 °С Р
= (Т
Р
КMАХ
ПЕР MAX
– Т
КОР
) / R
Θ ПЕР-КОР
определяют по формуле:
К mах
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
3
Page 4
Конструктивные требования
Масса транзистора не более 20 г.
Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10
-4
л·мкм рт.ст/с.
Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
Требования к электрическим параметрам и режимам эксплуатации
В процессе и после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И
допускается
6
временная потеря работоспособности. По истечении 50 мс от начала воздействия работоспособность
восстанавливается. Критериями работоспособности являются параметры I
КБО, h21Э
.
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по VI степени жесткости ОСТ 11
073.062. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В.
Требования по стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических и биологических
факторов и специальных сред по группе − 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 и ГОСТ В 28146 со следующими
уточнениями:
•
механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с-2 (1 500 g)
и длительностью действия от 0,1 до 2 мс;
• механический удар многократного действия с пиковым ударным ускорением 1 500 м⋅с
-2
(150 g)
и длительностью действия от 1 до 5 мс;
• линейное ускорение − 5 000 м⋅с
-2
(500 g);
• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2·10
• атмосферное пониженное давление − 1,3 ·10
-5
Па) 170 дБ;
-4
-6
(10
) Па (мм рт. ст);
• повышенная рабочая и предельная температура среды (корпуса) − 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха − 98 % при температуре 35 ºС.
Значения характеристик 7.И
, 7.С4 − по группе исполнения 1УС; 7.С1 – 1УС, 7.И6 – 4УС ГОСТ РВ
1
20.39.414.2. Остальные требования по стойкости к воздействию специальных факторов к транзистору не
предъявляются.
Уровень бессбойной работы транзистора при воздействии специальных факторов 7.И с характеристикой
7.И
(по критерию I
6
≤ 3 мА) составляет (2,8 х 10 –5) х 1УC.
КБО
Требования надежности
Минимальная наработка транзистора в режимах Т
менее 25 000 ч, а в облегченных режимах (Р
К max
= 0,7 Р
и условиях, допускаемых ТУ, должна быть не
н.м
К max
; Т
= 100 ºС, Т
кор
= 125 ºС) – 50 000 ч.
пер
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В
9.003, а также вмонтированных в защищенную аппаратуру или находящихся в защищенном комплекте
ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
Значения Т
в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения приведены в
сγ
таблице 2 ГОСТ В 28146.
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
4
Page 5
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных
ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения.
Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц.
Допустимое значение
статического потенциала 2 000 В.
95-процентный ресурс транзистора Т
в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч.
γ
95-процентный ресурс транзистора Т
в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч.
γ
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником.
Температура припоя − не выше 265 °С. Время пайки − не более 4 с. Время лужения − 2 с.
Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не
более трех.
Расстояние от корпуса до
места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм.
При распайке температура корпуса не должна превышать 125 °С. За температуру корпуса принимается
температура любой точки основания транзистора диаметром не более 19 мм со стороны опорной
плоскости.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора
, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на
предприятии-потребителе.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий.
Транзистор необходимо применять с теплоотводом. Крепление транзистора к теплоотводу должно
обеспечивать надежный тепловой контакт.
Не рекомендуется эксплуатация транзистора при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми
обратными токами во всем диапазоне температур.
При конструировании схем следует учитывать возможность самовозбуждения за счет паразитных
связей.
Для транзистора, смонтированного в аппаратуру, максимально допустимую постоянную рассеиваемую
мощность рассчитывают по формуле:
Р
Кmах
= (Т
пер.mах
− Т
тепл
) / (R
Θ пер-кор
+ R
Θ кор – тепл
)
где R
Т
Υ кор-тепл
тепл
− тепловое сопротивление корпус - теплоотвод;
– температура на теплоотводе.
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в 3 − 4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
5
Page 6
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
6
Page 7
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2Т839А/ИМ (январь 2012г., редакция 1.1)
7
Loading...