Page 1
2Т652
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий транзистор 2Т652А в
металлокерамическом корпусе, предназначенный для использования в аппаратуре специального
назначения. Бескорпусные транзисторы 2Т652А-2 предназначены для применения в составе
специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры. Диапазон рабочих температур
окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
Обозначение технических условий
• аАО.339.304 ТУ для 2Т652А
• аАО.339.285 ТУ для 2Т652А-2
Корпусное исполнение
• металлокерамический корпус КТЮ-27-3 для 2Т652А
• бескорпусное исполнение для 2Т652А-2
Таблица 1. Основные электрические параметры 2Т652А при Т
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения
Обратный ток коллектора, (U
Обратный ток эмиттера, (U
= 50 В), мкА I
КБ
= 4 В), мкА I
ЭБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером, (U
= 3 В, IК = 500 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50)
КЭ
Время рассасывания,
(I
= 500 мА, I
К
= I
= 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50), нс
Б1
Б2
Емкость коллекторного перехода,
= 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц), пФ
(U
КБ
Емкость эмиттерного перехода
= 0, IК = 0, f = 107 Гц), пФ
(U
ЭБ
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
(I
=500 мА, IБ = 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50), В
К
Напряжение насыщения база-эмиттер,
(I
= 500 мА, IБ = 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50), В
К
Граничное напряжение,
(I
= 10 мА, IБ = 0, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50), В
К
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим
эмиттером, (U
= 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц), МГц
КЭ
окр. среды
= 25 °С
Буквенное
обозначение
КБ0
ЭБ0
h
21Э
t
рас
С
С
U
КЭ нас
U
БЭ нас
U
КЭОгр
f
гр
Норма
не менее не более
- 30
- 100
25 100
- 100
- 12
К
- 110
Э
- 0,65
- 1,2
36 -
200 -
2Т652 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 2. Основные электрические параметры 2Т652А-2 при Т
окр. среды
= 25 °С
Норма
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения
Обратный ток коллектора, мкА, при U
Обратный ток эмиттера, мкА, при U
= 50 В I
КБ
= 4 В I
ЭБ
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим
эмиттером, при U
= 3 В, IК = 500 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50
КЭ
Время рассасывания, нс,
при I
= 500 мА, IБ1 = I
К
= 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50
Б2
Буквенное
обозначение
- 30
КБО
- 100
ЭБО
25 100
h
21Э
- 100
t
рас
не менее не более
Емкость коллекторного перехода, пФ, при UКБ = 10 В, IЭ = 0, f = 107 Гц СК - 12
Емкость эмиттерного перехода, пФ, при UЭБ = 0, IК = 0, f = 107 Гц СЭ - 110
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В,
при I
= 500 мА, IБ = 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50
К
Напряжение насыщения база-эмиттер, В,
при I
= 500 мА, IБ = 50 мА, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50
К
Граничное напряжение, В, при IЭ = 10 мА, IБ = 0, τn ≤ 30 мкс, Q ≥ 50
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим
эмиттером, МГц, при U
= 10 В, IК = 50 мА, f = 108 Гц
КЭ
- 0,65
U
КЭнас
- 1,2
U
БЭнас
36 -
U
КЭО гр
200 -
f
гр
2Т652 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Рисунок 1. Чертеж корпуса КТЮ-27-3 для 2Т652А
Б
К
Э
Рисунок 2. Чертеж кристалла 2Т652А-2
2Т652 (январь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2Т652 (январь 2011г., редакция 1.0)
4
Loading...