Page 1
2Т649А-2
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ - генераторные n-p-n бескорпусные транзисторы 2Т649А-2
предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и
преобразования частоты в составе специальных гибридных интегральных микросхем, блоков и
аппаратуры.
Обозначение технических условий
• аАО.339.283 ТУ
Корпусное исполнение
• бескорпусное
исполнение
Диапазон температур
• диапазон рабочих температур от - 60 до + 125
Таблица 1. Основные электрические параметры 2Т649А-2 при Т
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения
Обратный ток коллектора, мА, при U
Обратный ток эмиттера, мА, при U
= 30 В I
КБ
= 2,5 В I
ЭБ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пс,
при U
= 10 В, IЭ = 30 мА, f = 100 МГц
КБ
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим
эмиттером, МГц,
при U
при U
= 10 В, IК = 100 мА, f = 300 МГц
КЭ
= 10 В, IК = 200 мА, f = 300 МГц
КЭ
Выходная мощность (медианное значение), мВт,
при Р
= 200 мВт, UКБ = 20 В, IК = 100 мА f = 3 ГГц
вх
°С
окр. среды
= (25±10) °С
Буквенное
обозначение
- 0,2
КБО
- 0,2
ЭБО
τ
к
f
гр
Р
500 -
вых
Норма
не менее не более
- 3,0
-
1300
1000
2Т649А-2 (январь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Рисунок 1. Габаритный чертеж 2Т649А-2
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2Т649А-2 (январь 2011г., редакция 1.0)
2
Loading...