Page 1
2П771
мощный вертикальный
n-канальный МОП-транзистор
Назначение
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением
n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в
радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Зарубежные прототипы
• Прототип STP40N10
Особенности
• Диапазон рабочих температур корпуса от - 60 до + 100 °C
• Категория качества ВП
Обозначение технических условий
• АЕЯР.432140.243ТУ
Корпусное исполнение
• пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220) – 2П771А
• пластмассовый корпус КТ-90 (D2PAK) - 2П771А91
• бескорпусной вариант без кристаллодержателя
и без выводов – 2П771А-5
• бескорпусной вариант на кристаллодержателе
и без выводов – 2П771А-6
Стойкость к воздействию спецфакторов
• И1, И
2, И3, К1 – 1У; С3 - 0.7х1У; К3 - 0.5х1У в соответствии с ГОСТ В 20.39.404 - 81
КТ-28-2
КТ-90
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
2П771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Основные электрические параметры 2П771А, 2П771А91
Паpаметpы Обозначение Ед.изм. Режимы измеpения Min Max
Поpоговое напpяжение Uзи поp В Iс=250мкА,Uзи=Uси 2,0 4,0
Ток стока * Iс А Uси=2,2B,Uзи=10В 40
Сопpотивление сток-исток
в откpытом состоянии
* Rси отк Ом Iс=20А,Uзи=10В 0,045
Остаточный ток стока Iс ост мкА Uси=Uси max,Uзи=0 250
Ток утечки затвора Iз ут нА
Uси=0,Uзи=±20В
-100 +100
Кpутизна ВАХ * S А/B Uси=25В,Iс=20А 14
Прямое напряжение диода * U пр В Ic=40A,Uзи=0 1,6
Время включения/выключения * ** tвкл/
* ** tвыкл
нс Uси=100В,
Rг=4,7 Ом ,Uзи=10В
220/
170
Iс=20А /Ic=40 А,
Входная емкость ** C
Выходная емкость ** C
Пpоходная емкость ** C
пФ Uзи=0,Uси=25В,f=1МГц 3100
11и
пФ Uзи=0,Uси=25В,f=1МГц 880
22и
пФ Uзи=0,Uси=25В,f=1МГц 250
12и
* tи ≤ 300мкс, Q ≥ 50
** справочные параметры
Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы 2П771А, 2П771А91
Паpаметpы Обозначение Ед. изм. Норма
Напpяжение сток-исток Uси max В 100
Напpяжение затвор-исток Uзи max В
Постоянный ток стока при Ткорп ≤ 25° С
Постоянный ток стока при Ткорп ≤ 100° С
Импульсный ток стока (tи ≤ 80 мкс)
Iс max А 40
Iс max А 28
Iс и max А 160
±20
Постоянный прямой ток диода Iпр. max А 40
Постоянный импульсный прямой ток диода Iпр. и max А 160
Максимально допустимая энергия одиночного импульса,
рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя
Е
AS
мДж
210
Uси=25 В, I с=40 А, Rr =25 Ом, L= 190 мкГн
Рассеиваемая мощность при Т корп. ≤ 25° С
Pmax Вт 150
Темпеpатуpа пеpехода (кристалла) Тпеp °С 175
Тепловое сопротивление переход-корпус Rtп-к °С / Вт 1,0
Тепловое сопротивление переход-среда (для КТ-28-2) Rtп-среда °С / Вт 62,5
2П771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
2
Page 3
2П771А-5
бескорпусное исполнение транзистора
Бескорпусные кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором,
обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом транзисторы 2П771А-5 c контактными
площадками без кристаллодержателя и без выводов. Поставка осуществляется на общей пластине, не
разделенной на кристаллы.
Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2П771А-5
Таблица 3. Основные электрические параметры 2П771А-5 при Т
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Остаточный ток стока (UЗИ = 0 В, UСИ = 104 В), мкА I
Ток утечки затвора (UЗИ = ± 35 В, UСИ = 0 В), нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(U
= 10 В, IС = 1 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом
ЗИ
Пороговое напряжение
= UCИ В, IС = 250 мкА), В
(U
ЗИ
Постоянное прямое напряжение диода
(U
= 0 В, IС = - 1 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
ЗИ
Буквенное
обозначение
- 100 25
С ост
-
I
З ут
R
- 0,08 25
СИ отк
U
ЗИ пор
- 1,0 25
U
пр
• Диапазон рабочих температур от минус 60 до 125 °С
• Металлизация планарной стороны: AL
• Металлизация непланарной стороны: Ti-Ni-Ag
• Пассивация: НТФСС
• Масса не более 0,027 г.
= (25±10) °С
ср
Норма
не менее не более
⏐±100 ⏐
2,0
4,0
Темпера-
тура
25
25
0
С
среды,
2П771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
3
Page 4
2П771А-6
бескорпусное исполнение транзистора
Бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, обогащением
n-канала и встроенным обратносмещенным диодом транзистор 2П771А-6 c контактными площадками на
кристаллодержателе без выводов.
Таблица 4. Основные электрические параметры 2П771А-6 при Т
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Остаточный ток стока
(U
= 0 В,UСИ = 104 В), мкА
ЗИ
Ток утечки затвора
(U
= ± 35 В, UСИ = 0 В), нА
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(U
= 10 В, IС = 1 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом
ЗИ
Пороговое напряжение
= UCИ В, IС = 250 мкА), В
(U
ЗИ
Буквенное
обозначение
I
- 100 25
С ост
I
-
З ут
R
- 0,08 25
СИ отк
2,0 4,0 25
U
ЗИ пор
Постоянное прямое напряжение диода
- 1,0 25
U
(U
= 0 В, IС = - 1 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), В
ЗИ
пр
• Диапазон рабочих температур от минус 60 до 125 °С.
• Металлизация планарной стороны: AL
• Покрытие кристаллодержателя: Au
• Пассивация: НТФСС
• Масса не более 0,6 г.
= (25±10) °С
ср
Норма
не
менее
не
более
⏐±100⏐
Темпера-
тура среды,
°С
25
2П771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
4
Page 5
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2П771 (декабрь 2010г., редакция 1.0)
5
Loading...