Datasheet 2p7234 Datasheet [ru]

Page 1

Назначение

Транзистор 2П7234А кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с обогащенным р-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, в металлокерамическом корпусе КТ-97В, предназначенный для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Обозначение технических условий

• АЕЯР.432140.578 ТУ

Особенности

• Категория качества ВП

• Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 ºC

• Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4

• Масса не более 10 г.

p-канальный МОП транзистор

(предварительная спецификация)

КТ-97B

2П7234

Корпусное исполнение

• металлокерамический корпус КТ-97В (TO-254) для 2П7234А

• кристаллы на общей пластине для 2П7234А-5

Надежность

• 95 - процентный ресурс - 50 000

• Срок сохраняемости - 25 лет

Назначение выводов

Вывод Назначение

№1 Затвор

№2 Сток

№3 Исток

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 2

Таблица 1. Электрические параметры транзистора 2П7234А, изменяющиеся в процессе и после воздействия специальных факторов

−

|−0,8|

Норма

|−5,0| 25 ± 10 |−5,0| 125 ± 5 |−5,0| −60 ± 3

|−5,0|

Температура

среды, (корпуса), ºС

25 ± 10

Наименование параметра, единица

измерения, (режим измерения)

Буквенное обозначение

Остаточный ток стока, мА I

(UЗИ = 0 В, UСИ = −100 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = −80 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = −80 В)

Пороговое напряжение, В (U

= UCИ, IС = −0,25 мА)

ЗИ

не менее не более

С.ост

ЗИ.пор

Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации 2П7234А

Наименование параметра (режим измерения),

единица измерения

Максимально допустимое напряжение сток-исток, В U

Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В U

Максимально допустимый постоянный ток стока при Т

= 25 °С , А

кор

Максимально допустимый постоянный ток стока при Т

= 125 °С , А

кор

Максимально допустимый импульсный ток стока

≤ 100 мкс), А

1), 3)

Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А I

Максимально допустимый импульсный прямой ток диода

≤ 100 мкс), А 1)

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при Т

= 25 °С, Вт

кор

2), 3)

Максимально допустимая температура перехода, °С

Буквенное

обозначение

параметра

–100

СИ.mах

ЗИ.mах

–17

С.mах

–9,0

С.mах

–68

C(и) mах

–17

пр.mах

–68

пр(и) mах

150

mах

175

пер.mах

Норма

параметра

±20

Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт 3) R

Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя, мДж

(Т

1) Значения I

пер.нач.

= 25 °С, U

Cmax

= –25 В, IС = –17 А, Rг = 25 Ом, L = 2,7мГн)

СИ

, I

C (и)max

, I

пр (и ) max

в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 °С до 125 °С

определяются при условии не превышения Т

В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С максимально допустимая рассеиваемая мощность

пер max.

Θ пер-кор

520

АS

1,0

определяется по формуле: Р

Значения уточняются в ходе выполнения ОКР.

mах

= (Т

пер.mах

– Т

кор

)/R

Θ пер-кор

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 3

Таблица 3. Основные электрические параметры 2П7234А

Наименование параметра, единица

измерения (режим измерения)

обозначение

Остаточный ток стока, мкА I

(UЗИ = 0 В, UСИ = −100 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = −80 В) 1) (UЗИ = 0 В, UСИ = −80 В) 1)

Ток стока, А 2) (t

≤ 300 мкс, Q ≥ 50,

= −10 В, UСИ = −5,0 В)

ЗИ

Ток утечки затвора, нА

= ±20 В, UСИ = 0 В)

ЗИ

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом

≤ 300 мкс, Q ≥ 50,

= −10 В, IС = −11 А)

ЗИ

Крутизна характеристики, А/В

= −25 В, IС = −11 А,

СИ

≤ 300 мкс, Q ≥ 50)

Пороговое напряжение, В

= UCИ, IС = −0,25 мА)

ЗИ

Постоянное прямое напряжение диода, В

= 0 В, IС = 17 А,

ЗИ

≤ 300 мкс, Q ≥ 50)

При измерении параметра температура корпуса не должна превышать температуру окружающей

среды.

Значение параметра уточняется в ходе ОКР.

Буквенное

параметра

С. ост

Норма параметра

не менее не более

–

−

|−17|

З. ут

СИ. отк

−

6,2

ЗИ. пор

|−2,0|

пр

−

|−100| |−500| |−100|

−

|±100|

0,22

−

|−4,0|

5,0

Температура

среды, (корпуса),

ºС

25±10

(125±5)

-60±3

25±10

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 4

Требования стойкости к внешним воздействующим факторам

Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:

• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с

-2

(1 500 g) и

длительностью действия от 0,1 до 2,0 мс;

• линейное ускорение 5 000 м⋅с

-2

(500 g);

• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2⋅10

• атмосферное пониженное давление 1,3⋅10

-5

Па) 170 дБ;

-4

-6

(10

) Па (мм рт. ст.);

• повышенная рабочая и предельная температура среды (корпуса) 125 ºС;

• повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 ºС.

Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ

20.39.414.2 с характеристиками:

• 7.И

• 7.С

• 7.К

− по группе исполнения 3УС;

− по группе исполнения 4УС;

− по группе исполнения 2⋅10

− по группе исполнения 4УС;

− по группе исполнения 5⋅1К;

− по группе исполнения 0,5⋅1К.

-5

⋅ 1УС;

Значения характеристик 7.И

, 7.И7, 7.С1 и 7.С4 уточняются в ходе выполнения ОКР.

Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И

7.И с характеристикой 7.И

устанавливается в ходе ОКР, но не ниже 2⋅10

) при воздействии специальных факторов

−

⋅ 1УС. Критерии сбоя уточняются в ходе

ОКР.

Транзистор должен быть стойким к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при действии электромагнитных излучений (ЭМИ). Предельно допустимые значения параметров одиночных импульсов при воздействии ЭМИ определяются в ходе ОКР.

Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по II степени жесткости ОСТ 11

073.062. Допустимое значение статического потенциала −

100 В. Уточняется в ходе ОКР.

Требования надежности

Гамма − процентная наработка до отказа транзистора Т

при γ = 95 % в режимах и условиях,

допускаемых настоящими ТУ, должна быть не менее 50 000 ч, а в облегченных режимах – (устанавливаются в ходе ОКР) не менее 100 000 ч в пределах срока службы Т

– 25 лет.

сл

Гамма - процентный срок сохраняемости Т

транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке

сγ

изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В

9.003, а также вмонтированного в защищенную аппаратуру или находящегося в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.

Значения Т

в условиях, отличных от вышеуказанных, в зависимости от мест хранения приведены в

сγ

таблице 2 ГОСТ В 28146.

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 5

Указания по эксплуатации

Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.

Основное назначение транзистора – использование в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.

Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в

соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935.

Значение собственной резонансной частоты − определяется в ходе ОКР.

Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки − не выше 265 °С. Время пайки − не более 4 с. Время лужения − 2 с.

Допустимое число перепаек выводов транзисторов

при проведении монтажных (сборочных) операций

не более трех.

Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм.

Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.

При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким

образом, чтобы в месте выхода вывода

из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.

При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования:

• для улучшения теплового баланса, установку транзисторов на радиатор осуществлять с помощью теплопроводящих паст или специальных мягких прокладок;

• запрещается припайка теплоотводящей поверхности корпуса к

теплоотводу;

• допускается электрическая изоляция корпуса транзистора от радиатора, при этом задание электрического режима должно производится с учетом теплового сопротивления изолирующей прокладки или пасты.

При эксплуатации транзисторов в условиях механических воздействий транзисторы необходимо крепить за корпус.

Для транзисторов смонтированных в аппаратуру, максимально допустимую постоянную рассеиваемую мощность рассчитывают по формуле:

= ,

mах

Θ пер-кор

пер.mах

- Т

+ R

тепл

Θ тепл-кор

где R

Θ тепл-кор

− тепловое сопротивление теплоотвод – корпус; Т

– температура на теплоотводе.

тепл

Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.

Выбор режима эксплуатации транзистора необходимо производить согласно области

безопасной

работы (определяется в ходе ОКР).

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 6

+ 0,14

13,7

3 ± 0,05

- 0,1

∅ 3,65

+0,130,

-0,12

6,6

–0,2

1,2*

- 0,1

+ 0,14

13,7

34,2 ± 0,5

п.4

∅ 1,0 ± 0,05

3 вывода

14,0 ± 0,5

3,81±0,1 3,81±0,1

1. Назначение выводов: 01 - Затвор; 02 – Сток; 03 – Исток.

2. А - поверхность маркировки.

3. * размеры для справок.

4. Размеры В контролируются в зоне Б.

- 0 1

+ 0,2

20,2

0,84max*

0,14±0,05

п.4

3,81±0,2

Рисунок 1. Габаритный чертеж транзистора 2П7234А в корпусе КТ-97В

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 7

УТОЧНЕНИЕ

при поставке в бескорпусном

исполнении на общей пластине

в соответствии с РД 11 0723

Настоящее приложение содержит уточнения технических условий при поставке транзисторов в бескорпусном исполнении c контактными площадками без кристаллодержателя без выводов в соответствии с РД 11 0723

Обозначение транзистора при заказе

• транзистор 2П7234А-5 с контактными площадками без

кристаллодержателя, без выводов

АЕЯР.432140.578 ТУ, РД 11 0723

Таблица 4. Электрические параметры транзистора 2П7234А-5 при приемке и поставке

Наименование параметра, единица

измерения (режим измерения)

Остаточный ток стока, мкА

= 0 В, UСИ = −100 В)

ЗИ

Ток утечки затвора, нА

= ±20 В, UСИ = 0 В)

ЗИ

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом

≤ 300 мкс, Q ≥ 50,

= −10 В, IС = −1,0 А)

ЗИ

Пороговое напряжение, В

= UCИ, IС = −0,25 мА)

ЗИ

Буквенное

обозначение

параметра

–

С. ост

З. ут

СИ. отк

ЗИ. пор

Норма параметра

не менее не более

|−100|

−

|±3,0|

0,22 25±10

|−2,0| |−4,0|

Температура

среды,

25±10

ºС

Постоянное прямое напряжение диода, В (U

= 0 В, IС = 1,0 А,

ЗИ

≤ 300 мкс, Q ≥ 50)

пр

−

2,0 25±10

Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора, а также участки контактных площадок, к которым допускается производить пайку и сварку, указаны на чертежах. Чертежи прилагаются к ТУ и высылается потребителям по специальному запросу.

Описание внешнего вида прилагается к ТУ и высылается потребителям по специальному запросу.

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 8

4,3*

Rz 40 ( )

3,175

3,150

4,7 *

4,5*

1,525

1,150

0,190

* Примечание: размеры для справок

Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2П7234А-5

1,735

Исто

Затво

4,1*

0,780

2,565

Rz 0,4 *

Rz 0,05 *

0,30 ± 0,02*

Таблица 5. Физические характеристики кристалла 2П7234А-5

Диаметр пластины, мм 100 Размер кристалла, мм 4,7х4,3 Размер контактной площадки исток, мм 2,0х1,65 Размер контактной площадки затвор, мм 0,83х0,59 Толщина пластины, мм 0,3 Металлизация планарной стороны Al - Si (1%) Металлизация непланарной стороны V - Au

Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)

Page 9

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные

прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

2П7234 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)