How it Works
Datasheet
Loading...
2p7233
Datasheet
9 pgs218.44 Kb0

Datasheet 2p7233 Datasheet

Download
Page 1
Назначение
Обозначение технических условий
• АЕЯР.432140.577 ТУ
Особенности
• Категория качества ВП
• Диапазон рабочих температур от - 60 до +125 ºC
• Материал покрытия выводов - Н3, Зл.4
• Масса не более 10 г.
n-канальный МОП транзистор
(предварительная спецификация)
КТ-97B
2П7233
2
1
3
Корпусное исполнение
• металлокерамический корпус КТ-97В (TO-254) для 2П7233А
• кристаллы на общей пластине для 2П7233А-5
Надежность
• 95 - процентный ресурс - 50 000
• Срок сохраняемости - 25 лет
Назначение выводов
ч
Вывод Назначение
№1 Затвор
№2 Сток
№3 Исток
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 1. Электрические параметры транзистора 2П7233А, изменяющиеся в процессе и после воздействия специальных факторов
−
−
Норма
Температура
среды, (корпуса), ºС
25 ± 10 5,0 5,0
125 ± 5
−60 ± 3
− 25 ± 10
Наименование параметра, единица
измерения, (режим измерения)
Остаточный ток стока, мА I
Буквенное обозначение
С.ост
не менее не более
(UЗИ = 0 В, UСИ = 60 В) − 5,0 (UЗИ = 0 В, UСИ = 48 В) (UЗИ = 0 В, UСИ = 48 В)
Пороговое напряжение, В (U
= UCИ, IС = 0,25 мА)
ЗИ
0,5
U
ЗИ.пор
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации 2П7233А
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В U
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В
Максимально допустимый постоянный ток стока при Т
= 25 °С, А
кор
Максимально допустимый постоянный ток стока при Т
= 125 °С, А
кор
Максимально допустимый импульсный ток стока
(t
≤ 100 мкс), А
и
1), 2)
1), 2)
1), 2)
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А I
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода 1)
(t
≤ 100 мкс), А
и
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность при Т
= 25 °С, Вт
кор
2), 3)
Максимально допустимая температура перехода (кристалла), °С
Тепловое сопротивление переход-корпус2), °С/Вт
Буквенное
обозначение
параметра
60
СИ.mах
U
ЗИ.mах
I
40
С.mах
I
20
С.mах
I
160
C(и) mах
40
пр.mах
I
160
пр(и) mах
150
Р
mах
175
Т
пер.mах
Θ пер-кор
R
Норма
параметра
±10
1,0
Максимально допустимая энергия одиночного импульса, рассеиваемая транзистором в режиме лавинного пробоя
(Т
1) Значения I
= 25 °С, UСИ = 25 В, IС = 40 А, Rг = 25 Ом, L = 179мкГн)
пер.нач.
Cmax
, I
C (и)max
, I
пр (и ) max
в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 °С до 125 °С
определяются при условии не превышения Т
2)
Значения уточняются в ходе выполнения ОКР.
3)
В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 °С максимально допустимая рассеиваемая мощность
2)
, мДж
пер max.
245
Е
АS
определяется по формуле:
Р
mах
= (Т
пер.mах
– Т
кор
)/R
Θ пер-кор
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
2
Page 3
Таблица 3. Основные электрические параметры 2П7233А
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Буквенное
обозначение
параметра
Остаточный ток стока, мкА I
С. ост
Норма параметра
не менее не более
Температура
среды, (корпуса),
ºС
(UЗИ = 0 В, UСИ = 60 В) – 250 25±10 (UЗИ = 0 В, UСИ = 48 В) 1) (UЗИ = 0 В, UСИ = 48 В) 1)
Ток стока 2), А (t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50,
и
U
= 5 В, UСИ = 2,2 В)
ЗИ
Ток утечки затвора, нА
(U
= ±10 В, UСИ = 0 В)
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии
(t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50,
и
U
= 5,0 В, IС = 31 А)
ЗИ
= 4,0 В, IС = 25 А)
U
ЗИ
2)
, Ом
Крутизна характеристики, А/В
= 25 В, IС = 31 А,
(U
СИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
и
Пороговое напряжение, В
= UCИ, IС = 0,25 мА)
(U
ЗИ
Постоянное прямое напряжение
I
С
I
З. ут
R
СИ. отк
S
U
ЗИ. пор
U
пр
диода, В
(U
= 0 В, IС = −40 А,
ЗИ
t
≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
и
1)
При измерении параметра температура корпуса не должна превышать температуру окружающей
среды.
2)
Значение параметра уточняется в ходе ОКР.
−
−
40
− |±100|
−
−
23
1,0
−
1000 (125±5)
250
−60±3
25±10
25±10
0,030 0,042
−
2,0
2,5
25±10
25±10
25±10
25±10
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с
-2
(1 500 g) и
длительностью действия от 0,1 до 2,0 мс;
• линейное ускорение 5 000 м⋅с
-2
(500 g);
• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления (относительно 2⋅10
• атмосферное пониженное давление 1,3⋅10
-5
Па) 170 дБ;
-4
-6
(10
) Па (мм рт. ст.);
• повышенная рабочая и предельная температура среды (корпуса) − 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 ºС.
Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ
20.39.414.2 с характеристиками:
• 7.И
• 7.И
• 7.И
• 7.И
• 7.С
• 7.С
• 7.К
• 7.К
− по группе исполнения 3УС;
1
− по группе исполнения 4УС;
6
− по группе исполнения 4УС;
7
− по группе исполнения 2⋅10
8
− по группе исполнения 4УС;
1
− по группе исполнения 4УС;
4
− по группе исполнения 5⋅1К;
1
− по группе исполнения 0,5⋅1К.
4
-5
⋅ 1УС;
Значения характеристик 7.И
, 7.И7, 7.С1 и 7.С4 уточняются в ходе выполнения ОКР.
1
Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И
7.И с характеристикой 7.И
устанавливается в ходе ОКР, но не ниже 2⋅10-5 ⋅ 1УС.
6
) при воздействии специальных факторов
8
Критерии сбоя уточняются в ходе ОКР.
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по II степени жесткости ОСТ 11
073.062. Допустимое значение статического потенциала −
100 В. Уточняется в ходе ОКР.
Требования надежности
Гамма − процентная наработка до отказа транзистора Т
при γ = 95 % в режимах и условиях,
γ
допускаемых настоящими ТУ, должна быть не менее 50 000 ч, а в облегченных режимах – (устанавливаются в ходе ОКР) не менее 100 000 ч в пределах срока службы Т
– 25 лет.
сл
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В
9.003, а также вмонтированного в защищенную аппаратуру или находящегося в защищенном комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
Значения Т
в условиях, отличных от вышеуказанных, в зависимости от мест хранения приведены в
сγ
таблице 2 ГОСТ В 28146.
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
4
Page 5
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935.
Значение собственной резонансной частоты − определяется в ходе ОКР.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником.
Температура пайки − не выше 265 °С. Время пайки − не более 4 с. Время лужения − 2 с.
Допустимое число перепаек выводов
транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций
не более трех.
Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.
При монтаже транзистора корпус должен быть
закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода
из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.
При монтаже транзисторов на теплоотводящий радиатор необходимо соблюдать следующие требования:
• для улучшения теплового баланса, установку транзисторов на радиатор осуществлять с помощью теплопроводящих паст или специальных мягких прокладок;
• запрещается припайка теплоотводящей поверхности
корпуса к теплоотводу;
• допускается электрическая изоляция корпуса транзистора от радиатора, при этом задание электрического режима должно производится с учетом теплового сопротивления изолирующей прокладки или пасты.
Т
Р
= ,
mах
R
Θ пер-кор
пер.mах
- Т
+ R
.
тепл
Θ тепл-кор
где R
Θ тепл-кор
− тепловое сопротивление теплоотвод – корпус; Т
– температура на теплоотводе.
тепл
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
Типовые значения и разброс основных параметров транзистора, зависимости электрических
параметров
от электрических режимов и температуры определяются в ходе ОКР.
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
5
Page 6
+ 0,14
13,7
3 ± 0,05
- 0,1
∅ 3,65
+0,130,
-0,12
А
6,6
–0,2
1,2*
- 0,1
+ 0,14
13,7
34,2 ± 0,5
5*
п.4
Б
∅ 1,0 ± 0,05
3 вывода
14,0 ± 0,5
01
3,81±0,1 3,81±0,1
1. Назначение выводов: 01 - Затвор; 02 – Сток; 03 – Исток.
2. А - поверхность маркировки.
3. * размеры для справок.
4. Размеры В контролируются в зоне Б.
02
03
В
- 0 1
+ 0,2
20,2
0,84max*
0,14±0,05
п.4
3,81±0,2
Рисунок 1. Габаритный чертеж транзистора 2П7233А в корпусе КТ-97В
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
6
Page 7
УТОЧНЕНИЕ
при поставке в бескорпусном
исполнении на общей пластине
в соответствии с РД 11 0723
Настоящее приложение содержит уточнения технических условий при поставке транзисторов в бескорпусном исполнении c контактными площадками без кристаллодержателя, без выводов в соответствии с РД 11 0723
Обозначение транзистора при заказе
• транзистор 2П7233А-5 с контактными площадками без
кристаллодержателя, без выводов
АЕЯР.432140.577 ТУ, РД 11 0723
Таблица 4. Электрические параметры транзистора 2П7233А-5 при приемке и поставке
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Остаточный ток стока, мкА
(U
= 0 В, UСИ = 60 В)
ЗИ
Ток утечки затвора, мкА
(U
= ±10 В, UСИ = 0 В)
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом
Буквенное
обозначение
параметра
I
– 250 25±10
С. ост
I
З. ут
СИ. отк
R
Норма параметра
не менее не более
−
−
|±3|
0,03 25±10
Температура
(tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50, UЗИ = 5 В, IС = 1 А)
Пороговое напряжение, В (U
= UCИ, IС = 0,25 мА)
ЗИ
U
1,0 2,0 25±10
ЗИ. пор
среды,
25±10
ºС
Постоянное прямое напряжение диода, В
= 0 В, IС = -1 А, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50)
(U
ЗИ
U
пр
−
1,4 25±10
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора, а также участки контактных площадок, к которым допускается производить пайку и сварку, указаны на чертежах. Чертежи прилагаются к ТУ и высылается потребителям по специальному запросу.
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
7
Page 8
р
к
Y
Rz 40 ( )
3,175
3,150
4,7 *
4,5*
Исто
Rz 0,4 *
Rz 0,05 *
1,525
1,150
1,735
0,780
2,565
0,190
Затво
Х
4,1*
4,3*
0,42 ± 0,02*
Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2П7233А-5
* Примечание: размеры для справок
Таблица 5. Физические характеристики кристалла 2П7233А-5
Диаметр пластины, мм 100 Размер кристалла, мм 4,7х4,3 Размер контактной площадки исток, мм 2,0х1,65 Размер контактной площадки затвор, мм 0,83х0,59 Толщина пластины, мм 0,42 Металлизация планарной стороны Al - Si (1%) Металлизация непланарной стороны V - Au Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
8
Page 9
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2П7233 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
9
Loading...
Buy Points How it Works FAQ Contact Us Questions and Suggestions Privacy Policy Cookie Policy Terms of Use