Datasheet 2p7145 Datasheet

Page 1

2П7145

N-канальный

полевой транзистор

Назначение

Кремниевые эпитаксиально - планарные полевые n-канальные со встроенным диодом транзисторы 2П7145А/ИМ, 2П7145Б/ИМ в металлостеклянном корпусе КТ-9 и транзисторы 2П7145А1/ИМ, 2П7145Б1/ИМ в металлокерамическом корпусе КТ-97С. Предназначены для работы в преобразователях

напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения.

Ближайший функциональный аналог

• IRFP250 фирмы International Rectifier

Обозначение технических условий

КТ-97С

• АЕЯР.432140.295ТУ

Особенности

• U

• R

• I

= 200 В

СИ

= 0,085 Ом

СИ

= 30 А

• встроенный диод

• диапазон рабочих температур от – 60 до + 125 °С

• категория качества ВП

Корпусное исполнение

• 2П7145А/ИМ, Б/ИМ - металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3)

• 2П7145А1/ИМ, Б1/ИМ - металлокерамический корпус КТ-97С (ТО-258)

• 2П7145А-5/ИМ, Б-5/ИМ – кристаллы на общей пластине

Назначение выводов

Вывод

(корпус КТ-9)

№1 Исток №1 Затвор

Назначение

(корпус КТ-9)

Вывод

(корпус КТ-97С)

КТ-9

Назначение

(корпус КТ-97С)

№2 Затвор №2 Сток

№3 Сток №3 Исток

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 2

Конструктивные требования

Масса транзисторов 2П7145А/ИМ и 2П7145Б/ИМ не более 20 г и не более 10 г для транзисторов 2П7145А1/ИМ и 2П7145Б1/ИМ.

Показатель герметичности транзисторов не более 5·10

-4

л·мкм рт.ст/с.

Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 Н для транзисторов 2П7145А/ИМ и 2П7145Б/ИМ и не более 40 Н для транзисторов 2П7145А1/ИМ и 2П7145Б1/ИМ.

Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.

Требования к электрическим параметрам и режимам эксплуатации

процессе и после воздействия специальных факторов с характеристиками 7И6 допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность восстанавливается. Критериями работоспособности являются параметры I

с.ост

, U

ЗИ.пор

Стойкость транзисторов к воздействию статического электричества по III степени жесткости ОСТ 11

073.062. Допустимое значение статического потенциала не более 200 В.

Требования по стойкости к внешним воздействующим факторам

Механические, климатические и биологические воздействия по ГОСТ В 28146, в том числе:

• степень жесткости по повышенной относительной влажности – ХI.

Значение характеристик специальных факторов 7И1, 7С1, 7

С4 – 1Ус; 7И7 – 0,5х2Ус; 7И6 – 4Ус

соответствуют ГОСТ РВ 20.39.414.2

Уровень бессбойной работы 7И8 – 1,1х10

-6

х1Ус.

Критерием работоспособности является восстановление электрических параметров до значений, указанных в таблице 2.

Транзисторы должны быть стойкими к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при действии электромагнитного импульса по РД В 319.03.30.

Максимально-допустимая энергия при положительном импульсном воздействии по цепи сток-исток:

• 0,25 мкс – 8,5 мДж,

• 1,0 мкс – 25 мДж,

• 10 мкс

– 148 мДж.

Максимально-допустимая энергия при отрицательном импульсном воздействии по цепи сток-исток:

• от 0,25 до 1,0 мкс – 2,1 мДж,

• 10 мкс – 14,8 мДж.

Максимально-допустимое положительное импульсное напряжение затвор-исток:

• от 0,25 до 10 мкс – 32,4 В.

Максимально-допустимое отрицательное импульсное напряжение затвор-исток:

• от 0,25 до 10 мкс – 28,4 В.

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 3

Требования надежности

Минимальная наработка транзисторов (Т Минимальная наработка транзисторов (Т

) в режимах и условиях, допускаемых ТУ -25000ч.

н.м

) в облегченных режимах РК = 0,7 Р

н.м

Кмах

, Т

= (100±5) ºС–

корп

50000 ч.

Групповой показатель безотказности - интенсивность отказов при испытании в течение наработки в режимах и условиях, допускаемых ТУ, (λ

) при доверительной вероятности Р* = 0,6 не более 10-6 1/ч.

Минимальный срок сохраняемости 25 лет по ГОСТ В 28146.

Указания по эксплуатации

Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.

Основное назначение транзисторов – использование в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, пускорегуляторах и другой аппаратуре специального назначения.

Допустимое значение статического потенциала не более 200 В.

Значение собственной нижней резонансной

частоты 7,1 кГц для транзисторов 2П7145А/ИМ,

2П7145Б/ИМ и 6,8 кГц для транзисторов 2П7145А1/ИМ, 2П7145Б1/ИМ.

95-процентный ресурс транзистора (Тγ) в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50000 ч.

95-процентный ресурс транзистора (Тγ) в облегченных режимах и условиях - 100000 ч.

Справочное значение интенсивности отказов приборов при эксплуатации ( эксплуатации и по данным по аналогичным транзисторам 1⋅10

-6

1/ч.

λэ), полученное по данным

Транзисторы пригодны для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура пайки не выше 265 °С.

Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с.

Допустимое число перепаек выводов транзисторов при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не

менее 5 мм.

При распайке температура корпуса не должна превышать 125 °С.

Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзисторов, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний на предприятии-потребителе.

Не допускается прикладывать к выводам вращающих усилий.

Транзисторы необходимо применять с теплоотводами. Крепление транзисторов к теплоотводу

должно

обеспечивать надежный тепловой контакт.

Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаком (в 3-4 слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 4

Таблица 1. Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке

Наименование параметра

(режим измерения), единица измерения

Буквенное

обозначение

Норма

Температура,

не менее не более

Остаточный ток стока

= 0 В,UСИ = 200 В), мкА

ЗИ

= 0 В,UСИ = 160 В), мкА

ЗИ

= 0 В,UСИ = 160 В), мкА

ЗИ

Ток утечки затвора

= ±20 В,UСИ = 0 В), нА

ЗИ

Ток стока

= 10 В,UСИ = 4,0 В,

ЗИ

≤ 300 мкс, Q ≥50), А

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ 2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии *

= 10 В, IС = 18 А,

ЗИ

≤ 300 мкс, Q ≥ 50), Ом

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ 2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Крутизна характеристики (U

= 25 В, IС = 18 А,

СИ

≤ 300 мкс, Q ≥ 50), А/В

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ 2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Пороговое напряжение (U

= UCИ, IС = 250 мкА), В

ЗИ

С. ост

З. ут

30 26

СИ. отк

12 10

2,0 4,0 25±10

ЗИ. пор

250 500 250

⎜±100⎜

0,085 0,100

25±10 125±5

-60±3

25±10

25±10 25±10

25±1 25±1

25±10 25±10

Постоянное прямое напряжение диода (U

= 0 В, IС = - 30 А,

ЗИ

≤ 300 мкс, Q ≥50), В

- 2,0 25±10

пр

* При температуре корпуса (25±10) °С значения параметра уточняются в соответствии с рисунком 4.

Таблица 2. Электрические параметры транзисторов, изменяющиеся в процессе и после воздействия специальных факторов

Наименование параметра

(режим измерения), единица

измерения

Остаточный ток стока

= 0 В,UСИ = 200 В), мкА

ЗИ

Пороговое напряжение

= UCИ, IС = 250 мкА), В

ЗИ

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Буквенное

обозна-

чение

- 500 25±10

С. ост

0,5 4,0 25±10

ЗИ. пор

Норма

Температура, °С

не менее не более

Page 5

Таблица 3. Предельно-допустимые электрические режимы эксплуатации транзисторов

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения

Максимально допустимое напряжение сток-исток, В U

Максимально допустимое напряжение затвор-сток, В U

Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В U

Буквенное

обозначение

200

СИ mах

100

ЗС mах

ЗИ mах

Максимально допустимый постоянный ток стока

= 25 °С, Uзи = 10 В, Uси = 4 В), А *

(Т

корп

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ 2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

С mах

Максимально допустимый импульсный ток стока

≤ 80 мкс, Q ≥ 300), А *

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ

C(и) mах

2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Максимально допустимая рассеиваемая мощность при Т

= от минус 60 до 25 °С, Вт*1

корп

Тепловое сопротивление переход-корпус, ºС/Вт

Максимально допустимая температура перехода (кристалла), ºС Т

При условии не превышения Р

mах.

150

mах

Θ пер-кор

150

пер mах

Норма

±20

30 26

120 104

0,83

*1 В диапазоне температур корпуса от 25 до 125 ºС максимально допустимую рассеиваемую мощность рассчитывают по формуле: Р

mах

= (Т

пер.mах

- Т

кор

)/R

Θ пер-кор

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 6

Таблица 4. Справочные значения основных параметров при Т

Наименование параметра, режим и

условия измерения, единица

измерения

Остаточный ток стока

= 0 В, UСИ = 200 В), мкА

ЗИ

Ток утечки затвора

= ±20 В, UСИ = 0 В), нА

ЗИ

Буквенное

обозначение

С. ост

З. ут

Ток стока *

= 10 В, UСИ = 4,0 В), А

ЗИ

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ

2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Постоянное прямое напряжение диода*

= 0 В, IС= - 30 А), В

ЗИ

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии *

=10 В, IС = 18 А), Ом

ЗИ

,*1

пр

СИ. отк

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ 2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

Крутизна характеристики* (U

= 25 В, IС = 18 А), А/В

СИ

2П7145А/ИМ, 2П7145А1/ИМ

2П7145Б/ИМ, 2П7145Б1/ИМ

= (25±10) °С

корп

Значение параметра

Мини-

мальное

30 26

12 10

Типо-

вое

Макси-

мальное

250

⎜±100⎜

2,0

0,085 0,100

Пороговое напряжение (U

= UСИ, IС = 250 мкА), В

ЗИ

Входная емкость

= 0 В, UСИ = 25 В, f =1 МГц), пФ

ЗИ

Выходная емкость

= 0 В, UСИ = 25 В, f = 1 МГц), пФ

ЗИ

Проходная емкость

= 0 В, UСИ = 25 В, f =1 МГц), пФ

ЗИ

2,0

ЗИ. пор

5500

11И

1100

22И

350

12И

4,0

Время включения* (IС = 30 А,

140

= 100 В, UЗИ =10 В

СИ

= 6,2 Ом, Rс = 3,2 Ом), нс

вкл

Время выключения*

= 30 А, UСИ = 100 В, UЗИ =10 В

= 6,2 Ом, Rс = 3,2 Ом), нс

190

выкл

≤ 300 мкс, Q ≥ 50.

* t

При температуре корпуса (25±10) °С значения параметра уточняются в соответствии с рисунком 4.

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 7

Рисунок 1. Габаритный чертеж корпуса КТ-9 (TO-3)

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 8

Рисунок 2. Габаритный чертеж корпуса КТ-97С (TO-258)

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 9

УТОЧНЕНИЕ

при поставке транзистора в бескорпусном

исполнении на общей пластине в соответствии с РД 11 0723

Настоящее приложение содержит уточнения ТУ при поставке транзистора в бескорпусном исполнении на общей пластине (далее транзистор) в соответствии с РД 11 0723:

1. Тип (типономинал) поставляемого транзистора указан в таблице:

Условное обозначение

транзистора

Обозначение

габаритного

чертежа

Код ОКП

2П7145А-5/ИМ СФНК.432147.053 ГЧ 63 4128 6125

2. Условное обозначение транзистора при заказе:

• Транзистор 2П7145А-5/ИМ на общей пластине АЕЯР.432140.295 ТУ, РД 11 0723.

Условное обозначение транзистора в конструкторской документации:

• Транзистор 2П7145А-5/ИМ АЕЯР.432140.295 ТУ, РД 11 0723.

3. Общий вид, габаритные размеры, установочные и присоединительные размеры транзистора, а также участки контактных площадок, к которым допускается производить пайку

и сварку, указаны на чертеже.

4. Электрические параметры транзистора при приемке и поставке соответствуют нормам, приведенным

в таблице:

Норма

Наименование параметра, единица

измерения, (режим измерения)

Буквенное

обозначение

Температура, °С

не менее не более

Остаточный ток стока

= 0 В, UСИ = 200 В), мкА

ЗИ

Ток утечки затвора

= ±20 В, UСИ = 0 В), нА

ЗИ

Пороговое напряжение

= UCИ, IС = 250 мкА), В

ЗИ

- 100 25±10

С ост

- ±100 25±10

З ут

2,0 4,0 25±10

ЗИ пор

Сопротивление сток-исток в открытом состоянии

= 10 В, IС = 1 А, tи ≤ 1 мс), Ом*

ЗИ

Постоянное прямое напряжение диода

= 0 В, IС = - 1,0 А, tи ≤ 1 мс), В

ЗИ

- 0,085 25±1

СИ отк

- 1,0 25±10

ПР

* При измерении Rси в диапазоне температур окружающей среды необходимо вносить поправку на температурный уход значения параметра согласно рисунку 5.

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 10

Физические характеристики кристалла

Диаметр пластины Толщина кристалла

(100 ± 0,5) мм

(0,42 ± 0,02) мм

Размер кристалла (7,7 x 5,8) мм Пассивация НТФСС Металлизация планарной стороны Al – Si (1%) Металлизация непланарной стороны (V – Au) или (Ti – Ni – Ag)

Примечание:

• Координаты даны по слою пассивация

• Размеры и шероховатость поверхностей для справок

• НТФСС – низкотемпературное фосфоросиликатное стекло

Рисунок 3. Габаритный чертеж кристалла 2П7145А-5/ИМ

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 11

Рисунок 4. Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в открытом

состоянии от температуры корпуса

Рисунок 5. Нормализованная зависимость сопротивления сток-исток в открытом

состоянии от температуры среды

окр

отк

СИ

(Т

окр

= 25 °С)

отк

СИ

1,6

)

1,5

1,4

1,3

1,2

1,1

0,9

0,8

10 20 30 40 50 60 70 80 90

окр

, °C

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)

Page 12

ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные

прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте:

http://www.integral.by

2П7145 (январь 2012г., редакция 1.1)