Page 1
2П525
n-канальный МОП транзистор
(предварительная спецификация)
Назначение
Транзистор 2П525А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с изолированным затвором, с
обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для
использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре
специального назначения. Категория качества ВП.
Корпусное исполнение
• корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472 для 2П525А9
•
кристаллы на общей пластине для КП525А-5
Обозначение технических условий
КТ-99-1
• АЕЯР.432140.576 ТУ
Таблица 1. Основные электрические параметры 2П525А9
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Остаточный ток стока, мкА I
Буквенное
обозначение
параметра
С. ост
Норма параметра
не менее не более
Температура
среды,
ºС
(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В) – 25 25±10
(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)
(UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В)
Ток утечки затвора, нА
(U
= ±10 В, UСИ = 0 В)
ЗИ
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии, Ом
(t
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
и
(U
= 5 В, IС = 1 А)
ЗИ
1), 2)
Крутизна характеристики, А/В1)
= 3,0 В, IС = 1,0 А,
(U
СИ
t
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
и
Пороговое напряжение, В
= UCИ, IС = 1 мА)
(U
ЗИ
Постоянное прямое напряжение диода, В
(U
= 0 В, IС = −1,0 А,
ЗИ
t
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
и
I
З. ут
R
СИ. отк
S
U
ЗИ. пор
U
пр
−
−
− |±100|
−
0,5
1,5
−
100 125±5
100 -60±3
25±10
1,4
−
2,5
2,0
25±10
25±10
25±10
25±10
Примечания.
1)
Значение уточняется в ходе ОКР.
2)
При изменении температуры перехода сопротивление сток-исток в открытом состоянии меняется:
- при 100 °С увеличивается не более, чем на 50 %;
- при минус 60 °С уменьшается не более, чем на 30 %.
Вид температурной зависимости определяется в ходе ОКР.
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
1
Page 2
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации 2П525А9
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение
параметра
Норма
параметра
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
от минус 60 °С до 25 °С (без теплоотвода), А
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
от минус 60 °С до 25 °С (с теплоотводом), А
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 125 °С (без теплоотвода), А
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 125 °С (с теплоотводом), А
окр
1), 3)
1), 3), 4)
1), 3)
1), 3)
1), 3), 4)
Максимально допустимый импульсный ток стока (tи ≤ 100 мкс), А1)
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А3)
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода
(t
≤ 100 мкс), А1)
и
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
≤ 25 °С (без теплоотвода), Вт
окр
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
≤ 25 °С (с теплоотводом), Вт
окр
2), 3)
2), 3), 4)
Максимально допустимая температура перехода (кристалла), °С
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда
(без теплоотвода), °С/Вт
3)
U
100
СИ.mах
U
ЗИ.mах
I
0,66
С.mах
I
1,14
С.mах
I
0,29
С.mах
I
0,52
С.mах
I
2,28
C(и) mах
I
1,14
пр.mах
I
2,28
пр(и)mах
Р
1,0
mах
Р
3,0
mах
Т
150
пер.mах
R
Θ пер-окр
±10
125
Примечания
1)
Значения I
определяются при условии не превышения Т
2)
В диапазоне температур среды от 25 до 125 °С максимально допустимая рассеиваемая мощность
Cmax
, I
C (и)max
, I
пр (и )max
в диапазоне температур окружающей среды от минус 60 °С до 125 °С
пер max.
определяется по формуле:
Р
3)
Значения уточняются в ходе выполнения ОКР.
4)
При условии монтажа на плату, обеспечивающую величин у теплового
сопротивления переход-окружающая среда не более 40 °С/Вт.
mах
= (Т
пер.mах
– Т
окр
)/R
Θ пер-окр
Таблица 3. Электрические параметры транзистора 2П525А9, изменяющиеся в процессе и после
воздействия специальных факторов
Наименование параметра, единица
измерения, режим измерения
Остаточный ток стока, мкА I
Буквенное
обозначение
параметра
С.ост
UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В − 250
UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В
UЗИ = 0 В, UСИ = 100 В
Норма параметра
не менее не более
−
−
1 000
1 000
Температура
среды, °С
25 ± 10
125 ± 5
−60 ± 3
Пороговое напряжение, В
= UCИ, IС = 1,0 мА)
(U
ЗИ
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
U
ЗИ.пор
0,5
25 ± 10
−
2
Page 3
Таблица 4. Справочные данные транзистора 2П525А9 при Т
= (25±10) °С
окр
Значение параметра
–
0,5
1,5
–
–
Типо-
вое
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Наименование параметра, режим и условия
измерения, единица измерения
Остаточный ток стока
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 100 В), мкА
СИ
Ток утечки затвора
(U
= ±10 В, U
ЗИ
= 0 В), нА
СИ
Постоянное прямое напряжение диода
= 0 В, IС= - 1,0 А,tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
(U
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом
состоянии *
=5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс,Q ≥ 50), Ом
(U
ЗИ
Крутизна характеристики
(U
= 3,0 В, IС = 1,0 А, tи ≤ 2 мс,
СИ
Q ≥ 50), А/В
Пороговое напряжение
= UСИ, IС = 1 мА), В
(U
ЗИ
Входная емкость**
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f =1 МГц), пФ
СИ
Выходная емкость**
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f = 1 МГц), пФ
СИ
Проходная емкость**
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f =1 МГц), пФ
СИ
Время включения **
= 1,0 А, U
(I
С
R
= 50 Ом, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), нс
г
= 50 В, U
СИ
ЗИ
=10 В
Время выключения **
= 1,0 А, U
(I
С
R
= 50 Ом, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), нс
г
= 50 В, UЗИ =10 В
СИ
Буквенное
обозначе-
ние
параметра
I
–
С.ост
–
I
З.ут
U
–
пр
R
СИ.отк
Мини-
мальное
S
U
ЗИ.пор
–
С
11И
–
С
22И
–
С
12И
t
вкл
t
выкл
* При изменении температуры перехода сопротивление сток-исток в открытом состоянии меняется:
- при 100 °С увеличивается не более, чем на 50 %;
- при минус 60 °С уменьшается не более, чем на 30 %.
Вид температурной зависимости определяется в ходе ОКР.
** Значение уточняется в ходе ОКР
Макси-
мальное
25
⏐±100⏐
2,0
1,4
–
2,5
425
170
75
42
275
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
3
Page 4
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов
и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с
-2
(1500 g) и
длительностью действия (0,1 – 2) мс;
• линейное ускорение 5 000 м⋅с
-2
(500 g);
• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2⋅10
• атмосферное пониженное давление 1,3⋅10
-5
Па) 170 дБ;
-4
-6
(10
) Па (мм рт. ст);
• повышенная рабочая и предельная температура среды 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 ºС.
Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ
20.39.414.2 с характеристиками:
• 7.И
• 7.И
• 7.И
• 7.С
• 7.С
• 7.К
• 7.К
− по группе исполнения 0,5⋅5УС;
1
− по группе исполнения 4УС;
6
− по группе исполнения 0,5⋅6УС;
7
− по группе исполнения 50⋅5УС;
1
− по группе исполнения 5⋅4УС;
4
− по группе исполнения 2К;
1
− по группе исполнения 1К.
4
Значения характеристик 7.И
, 7.И7, 7.С1, 7.С4, 7.К.1, 7.К4 уточняются в ходе выполнения ОКР.
1
Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И
7.И с характеристикой 7.И
устанавливается в ходе ОКР, но не ниже 2⋅10-5 ⋅ 1УС. Критерии сбоя уточняются в ходе
6
) при воздействии специальных факторов
8
ОКР.
Транзистор должен быть стойким к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при
действии электромагнитных излучений (ЭМИ).
Стойкость к воздействию статического электричества
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества по II степени жесткости ОСТ 11
073.062. Допустимое значение статического потенциала − 100 В. Уточняется в ходе ОКР.
Требования надежности
Гамма − процентная наработка до отказа транзистора Т
при γ = 95 % в режимах и условиях,
γ
допускаемых настоящими ТУ, должна быть не менее 50 000 ч, а в облегченных режимах –
(устанавливаются в ходе ОКР) не менее 100 000 ч в пределах срока службы Т
– 25 лет.
сл
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по ГОСТ В
9.003, а также вмонтированного в защищенную аппаратуру или находящегося в защищенном комплекте
ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
4
Page 5
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в источниках вторичного электропитания и другой
преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано
в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935.
Значение собственной резонансной частоты − определяется в ходе ОКР.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст
и паяльником.
Температура пайки − не выше 265 °С.
Время пайки − не более 4 с. Время лужения − 2 с.
Перепайка транзистора не допускается.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.
При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода
из корпуса вывод не испытывал вращающих или изгибающих усилий.
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом
исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
Типовые значения и разброс основных параметров транзистора, зависимости электрических параметров
от электрических режимов и температуры определяются в ходе ОКР.
Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.
Для обеспечения теплового сопротивления R
≤ 40 °С/Вт рекомендуется применение
Θпер-окр
теплоотводящей металлизированной площадки размером не менее 15 х 25 мм на стеклотекстолите
толщиной 1 мм СФ-1-50-1,0 ГОСТ 10316.
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
5
Page 6
0
0
р
0,55
-0,15
2 вывода
4,6
+0,05
-0,18
03
5
,
+
-0,18
4,25
5,25 max
А
01
02 03
0,5mах
4 вывода
0,48
2 вывода
–0,13
0,44 mах
3 ± 0,1
1,7 max
3,13 –
0,1*
0,5±0,2
0,55–
0,15
2 вывода
*
03
5,25 мах
0,06*
2,6 –
Габаритный чертеж корпуса КТ-99-1
для транзистора 2П525А9
1. Назначение выводов:
01 - Затвор; 02 – Исток; 03 – Сток.
2. А - пове
хность маркировки.
0,5±0,2
02
0,48–
2 вывода
0,13
03
*
01
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
6
Page 7
УТОЧНЕНИЕ
при поставке в бескорпусном
исполнении на общей пластине
в соответствии с РД 11 0723
Настоящее приложение содержит уточнения технических условий при поставке транзисторов в
бескорпусном исполнении c контактными площадками без кристаллодержателя, без выводов в
соответствии с РД 11 0723
Обозначение транзистора при заказе
• транзистор 2П525А-5 с контактными площадками без
кристаллодержателя, без выводов
АЕЯР.432140.576 ТУ, РД 11 0723.
Таблица 5. Электрические параметры транзистора 2П525А-5 при приемке и поставке
Норма
параметра
−
| ±3 |
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Остаточный ток стока, мкА
= 0 В,UСИ = 100 В)
(U
ЗИ
Ток утечки затвора, мкА
= ± 10 В, UСИ = 0 В)
(U
ЗИ
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии
(U
= 5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс, Q≥ 50)
ЗИ
*
, Ом
Пороговое напряжение, В
= UCИ, IС = 1 мА)
(U
ЗИ
Буквенное
обозначение
параметра
I
– 25 25
С. ост
I
З. ут
– 1,4 25
R
СИ. отк
1,5 2,5 25
U
ЗИ. пор
не менее не более
Температура
среды,
°С
25
Постоянное прямое напряжение диода, В
(U
= 0 В, IС = - 1 А, tи ≤ 2 мс, Q≥ 50)
ЗИ
– 2,0 25
U
пр
* Значения уточняются в ходе выполнения ОКР.
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора, а также участки контактных
площадок, к которым допускается производить пайку и сварку, указаны на чертеже. Чертеж прилагается
к ТУ и высылается потребителям по специальному запросу.
Описание внешнего вида транзистора прилагается к ТУ и высылается потребителям по специальному
запросу.
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
7
Page 8
р
1,6 *
1,5*
Исток
1,043
0,126
1,2 *
1,1 *
0,500
0,534
0,700
0,256
0,664
1,443
Затво
Rz 40 ( )
Rz 0,4 *
Rz 0,05 *
0,34 ± 0,02*
Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2П525А-5
* Примечание: размеры для справок
Таблица 6. Физические характеристики кристалла 2П525А-5
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла, мм 1,6х1,2
Размер контактной площадки исток, мм 0,4х0,2
Размер контактной площадки затвор, мм 0,13х0,13
Толщина пластины, мм 0,34
Металлизация планарной стороны Al - Si (1%)
Непланарная сторона подложка n+
Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
8
Page 9
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные
прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2П525 (ноябрь 2011г., редакция 1.0)
9
Loading...