Page 1
2П524
N-канальный МОП транзистор
Назначение
2П524 - кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с
обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом, предназначенный для
использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре
специального назначения. Категория качества ВП.
Корпусное исполнение
• корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472 для 2П524А9
• кристаллы на общей
пластине для 2П524А-5
Обозначение технических условий
КТ-99-1
• АЕЯР.432140.519 ТУ
Таблица 1. Основные электрические параметры 2П524А9
Наименование параметра, единица
измерения (режим измерения)
Буквенное
обозначение
параметра
Норма параметра
не менее не более
Температура
среды, ºС
Остаточный ток стока, мкА
(UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В)
(U
= 0 В, UСИ = 60 В)
ЗИ
(UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В)
(UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В)
Ток утечки затвора, нА
(U
= ±10 В, UСИ = 0 В)
ЗИ
Сопротивление сток-исток
в открытом состоянии, Ом
(t
≤ 2 мс, Q ≥ 50)
и
(U
= 5 В, IС = 1 А)
ЗИ
(U
= 3,5 В, IС = 1 А)
ЗИ
Крутизна характеристики, А/В
(U
= 1,4 В, IС = 1,0 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
СИ
Пороговое напряжение, В
(U
= UCИ, IС = 1 мА)
ЗИ
−
I
С. ост
–
−
−
I
З. ут
−
R
СИ. отк
−
–
S 0,5
U
1,0 2,0 25±10
ЗИ. пор
1
10
25±10
25±10
25 125±5
25 -60±3
|±100|
1,0
1,1
−
25±10
25±10
25±10
25±10
Постоянное прямое напряжение диода, В
(U
= 0 В, IС = −1,0 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
ЗИ
пр
−
2,0 25±10
U
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
1
Page 2
Таблица 2. Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации 2П524А9
Наименование параметра (режим измерения),
единица измерения
Буквенное
обозначение
параметра
Норма
параметра
Максимально допустимое напряжение сток-исток, В U
Максимально допустимое напряжение затвор-исток, В
Максимально допустимый постоянный ток стока при
от минус 60 °С до 25 °С (без теплоотвода), А
Т
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
от минус 60 °С до 25 °С (с теплоотводом), А *
Т
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 100 °С (без теплоотвода), А
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 100 °С (с теплоотводом), А*
окр
U
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 125 °С (без теплоотвода), А
окр
Максимально допустимый постоянный ток стока при
Т
= 125 °С (с теплоотводом), А*
окр
Максимально допустимый импульсный ток стока (tи ≤ 100 мкс), А
I
Максимально допустимый постоянный прямой ток диода, А I
Максимально допустимый импульсный прямой ток диода
≤ 100 мкс), А
(t
и
I
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
≤ 25 °С (без теплоотвода), Вт **
окр
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
≤ 25 °С (с теплоотводом), Вт *, **
окр
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
= 125 °С (без теплоотвода), Вт **
окр
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность
при Т
Максимально допустимая температура перехода (кристалла), °С
= 125 °С (с теплоотводом), Вт *, **
окр
Т
Тепловое сопротивление переход-окружающая среда
(без теплоотвода), °С/Вт
R
50
СИ.mах
ЗИ.mах
I
0,8
С.mах
I
1,4
С.mах
I
0,4
С.mах
I
0,8
С.mах
I
0,3
С.mах
I
0,6
С.mах
2,8
C(и) mах
1,4
пр.mах
2,8
пр(и)mах
1,0
Р
mах
3,0
Р
mах
Р
0,2
mах
Р
0,625
mах
150
пер.mах
Θ пер-окр
±10
125
* При условии монтажа на плату, обеспечивающую величин у теплового сопротивления переход-
окружающая среда не более 40 °С/Вт.
**
В диапазоне температур среды от 25 до 125 °С максимально допустимая рассеиваемая
мощность снижается линейно:
Р
mах
= (Т
пер.mах
– Т
окр
) / R
Θ пер-окр
Таблица 3. Электрические параметры транзистора 2П524А9, изменяющиеся в процессе и после
воздействия специальных факторов
Наименование параметра,
единица измерения, режим
измерения
Буквенное
обозначение
параметра
Норма параметра
не менее не более
Температура
среды, °С
Остаточный ток стока, мкА
UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В
UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В
UЗИ = 0 В, UСИ = 40 В
I
С.ост
−
−
−
100
100
100
25 ± 10
125 ± 5
−60 ± 3
Пороговое напряжение, В
(U
= UCИ, IС = 1,0 мА)
ЗИ
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
U
0,5
ЗИ.пор
−
25 ± 10
2
Page 3
Таблица 4. Справочные данные транзистора 2П524А9 при Т
= (25±10) °С
окр
Наименование параметра, режим и условия
измерения, единица измерения
Остаточный ток стока
(U
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 0 В, U
ЗИ
= 40 В), мкА
СИ
= 60 В), мкА
СИ
Ток утечки затвора
= ±10 В, U
(U
ЗИ
= 0 В), нА
СИ
Постоянное прямое напряжение диода
= 0 В, IС= - 1,0 А,tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), В
(U
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом
состоянии *
(U
=5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс,Q ≥ 50), Ом
ЗИ
=3,5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс,Q ≥ 50), Ом
(U
ЗИ
Крутизна характеристики
= 1,4 В, IС = 1,0 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50), А/В
(U
СИ
Пороговое напряжение
(U
= UСИ, IС = 1 мА), В
ЗИ
Буквенное
Значение параметра
обозначение
пораметра
I
С.ост
I
– –
З.ут
U
– – 2,0
пр
R
СИ.отк
Мини-
мальное
–
–
–
–
Типовое
–
–
–
–
Макси-
мальное
1
10
⏐±100⏐
1,0
1,1
S 0,5 – –
1,0 – 2,0
U
ЗИ.пор
Входная емкость
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f =1 МГц), пФ
СИ
Выходная емкость
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f = 1 МГц), пФ
СИ
Проходная емкость
(U
= 0 В, U
ЗИ
= 25 В, f =1 МГц), пФ
СИ
С
– – 425
11И
С
– – 170
22И
С
– – 75
12И
Время включения
(I
= 0,29 А, U
С
R
= 50 Ом, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), нс
г
= 30 В, U
СИ
=10 В
ЗИ
– – 42
t
вкл
Время выключения
(I
= 0,29 А, U
С
R
= 50 Ом, tи ≤ 300 мкс, Q ≥ 50), нс
г
*
При изменении температуры перехода сопротивление сток-исток в открытом состоянии меняется:
= 30 В, UЗИ =10 В
СИ
– – 275
t
выкл
- при 100 °С увеличивается не более, чем на 50 %;
- при минус 60 °С уменьшается не более, чем на 30 %
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
3
Page 4
Таблица 5. Предельно допустимые значения параметров одиночных импульсов при воздействии ЭМИ
Значение параметра при
Наименование параметра (режим измерения),
длительности одиночного импульса
единица измерения
0,25 мкс 1,0 мкс 10 мкс
Максимально допустимое положительное (на истоке)
импульсное напряжение по цепи (сток-исток), В
8 8 5
Максимально допустимая энергия при положительном (на
истоке) импульсе напряжения по цепи (сток-исток), мДж
Максимально допустимое положительное (на стоке)
импульсное напряжение по цепи (сток-исток), В
1,28 5,1 8
66 66 74
Максимально допустимая энергия при положительном (на
стоке) импульсе напряжения по цепи (сток-исток), мДж
0,7 2,8 3,8
Максимально допустимое положительное
(на затворе) импульсное напряжение по цепи (затвор-исток), В
40 40 40
Максимально допустимое положительное
(на истоке) импульсное напряжение по цепи (затвор-исток), В
35 35 35
Значения электрических параметров транзистора, изменяющиеся в процессе и после воздействия
специальных факторов, должны соответствовать нормам, установленным в таблице 3. Значения
остальных параметров должны соответствовать нормам, установленным в таблице 1.
Во время и непосредственно после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И
6
допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия
работоспособность транзистора должна восстанавливаться. Критерием работоспособности транзистора
является значение остаточного тока стока I
, указанное в таблице 3.
С.ост
Стойкость транзистора к воздействию статического электричества должна быть по II степени жесткости
ОСТ 11 073.062. Допустимое значение статического потенциала − 100 В.
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
4
Page 5
Требования стойкости к внешним воздействующим факторам
Транзистор должен быть стойким к воздействию механических, климатических, биологических факторов
и специальных сред по ГОСТ В 28146, по группе 6У ГОСТ РВ 20.39.414.1 со следующими уточнениями:
• синусоидальная вибрация в диапазоне частот от 1 до 2 000 Гц с амплитудой ускорения 400 м⋅с
(40 g);
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 15 000 м⋅с
-2
(1500 g) и
длительностью действия (0,1 – 2) мс;
• механический удар одиночного действия с пиковым ударным ускорением 300 000 м⋅с
-2
(30 000 g)
и длительностью действия 0,1 мс;
-2
• линейное ускорение 5 000 м⋅с
(500 g);
-2
• акустический шум в диапазоне частот от 50 до 10 000 Гц с уровнем звукового давления
(относительно 2⋅10
• атмосферное пониженное давление 1,3⋅10
-5
Па) 170 дБ;
-4
-6
(10
) Па (мм рт. ст);
• повышенная рабочая и предельная температура среды 125 ºС;
• повышенная относительная влажность воздуха 98 % при температуре 35 ºС.
Транзистор должен быть стойким к воздействию специальных факторов 7.И, 7.С, 7.К по ГОСТ РВ
20.39.414.2 с характеристиками:
• 7.И
• 7.И
• 7.И
• 7.С
• 7.С
• 7.К
• 7.К
− по группе исполнения 3УС;
1
− по группе исполнения 4УС;
6
− по группе исполнения 4⋅4УС;
7
− по группе исполнения 5⋅4УС;
1
− по группе исполнения 1УС;
4
− по группе исполнения 5⋅1К;
1
− по группе исполнения 0,5⋅1К.
4
Уровень бессбойной работы транзистора (характеристика 7.И
7.И с характеристикой 7.И
по критерию I
6
≤ 100 мкА составляет 5 ⋅ 10-4 ⋅ 1УС.
C.ост
) при воздействии специальных факторов
8
Транзистор должен быть стойким к воздействию одиночных импульсов напряжения, возникающих при
действии электромагнитных излучений (ЭМИ).
Требования надежности
Гамма − процентная наработка до отказа транзистора Т
при γ = 95 % в режимах и условиях,
γ
допускаемых настоящими ТУ, должна быть не менее 50 000 ч, а в облегченных режимах при
= 85 °С, Т
Т
окр
= 120 °С – не менее 100 000 ч в пределах срока службы Тсл – 25 лет.
пер max
Гамма - процентный срок сохраняемости Т
транзистора при γ = 99,5 % при хранении в упаковке
сγ
изготовителя в условиях отапливаемых хранилищ, хранилищ с кондиционированием воздуха по
ГОСТ В 9.003, а также вмонтированного в защищенную аппаратуру или находящегося в защищенном
комплекте ЗИП во всех местах хранения, должен быть не менее 25 лет.
Значения Т
в условиях, отличных от указанных в зависимости от мест хранения приведены в
сγ
таблице 2 ГОСТ В 28146.
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
5
Page 6
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.935 с
дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе.
Основное назначение транзистора – использование в источниках вторичного электропитания и другой
преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Применение транзистора в режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть
согласовано
в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.935.
Значение собственной резонансной частоты − 19,20 кГц.
95-процентный ресурс транзистора (Тγ) в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст
и паяльником.
Температура пайки − не выше 265 °С. Время пайки −
не более 4 с. Время лужения − 2 с.
Перепайка транзистора не допускается.
Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и
надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением испытаний потребителем.
При монтаже транзистора корпус должен быть закреплен таким образом, чтобы в месте выхода вывода
из корпуса вывод не испытывал
вращающих или изгибающих усилий.
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в
аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии
транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730
ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя.
Допускается применять транзистор в условиях воздействия механичесских
с пиковым ударным ускорением 300 000 м/с
2
(30 000g) и длительностью действия от более 0,1 мс до 5
ударов одиночного действия
мс по положительным результатам испытаний в составе аппаратуры, проводимых потребителем.
Дополнительное крепление транзистора производят заливкой компаундом ППУ ОСТ 6-55-455 или
другим материалом по физико-химическим свойствам не хуже указанного.
Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.
Для обеспечения теплового сопротивления
R
≤ 40 °С/Вт рекомендуется применение
Θпер-окр
теплоотводящей металлизированной площадки размером не менее 15 х 25 мм на стеклотекстолите
толщиной 1 мм СФ-1-50-1,0 ГОСТ 10316.
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
6
Page 7
0
0
0,55
-0,15
2 вывода
4,6
+0,05
-0,18
03
5
,
+
-0,18
4,25
5,25 max
А
01
02 03
0,5mах
4 вывода
0,48
2 вывода
–0,13
0,44 mах
3 ± 0,1
1,7 max
3,13 –
0,1*
0,5±0,2
0,55–
0,15
2 вывода
*
03
5,25 мах
0,06*
2,6 –
Габаритный чертеж корпуса КТ-99-1
для транзистора 2П524А9
1. Назначение выводов:
01 - Затвор; 02 – Исток; 03 – Сток.
2. А - поверхность маркировки.
0,5±0,2
02
0,48–
2 вывода
0,13
03
*
01
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
7
Page 8
УТОЧНЕНИЕ
при поставке в бескорпусном
исполнении на общей пластине
в соответствии с РД 11 0723
Настоящее приложение содержит уточнения технических условий при поставке транзисторов в
бескорпусном исполнении c контактными площадками без кристаллодержателя, без выводов в
соответствии с РД 11 0723
Обозначение транзистора при заказе
• транзистор 2П524А-5 с контактными площадками без
кристаллодержателя, без выводов
АЕЯР.432140.519 ТУ, РД 11 0723.
Обозначение транзистора в конструкторской документации другой продукции
• транзистор 2П524А-5 АЕЯР.432140.519 ТУ, РД 11 0723.
Таблица 5. Электрические параметры транзистора 2П524А-5 при приемке и поставке
Наименование параметра, единица измерения,
(режим измерения)
Остаточный ток стока, мкА
(U
= 0 В,UСИ = 40 В)
ЗИ
(U
= 0 В,UСИ = 60 В)
ЗИ
Ток утечки затвора, мкА
(U
= ± 10 В, UСИ = 0 В)
ЗИ
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии, Ом
(U
= 5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
ЗИ
= 3,5 В, IС = 1 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
(U
ЗИ
Пороговое напряжение, В
(U
= UCИ, IС = 1 мА)
ЗИ
Буквенное
обозначение
параметра
I
С. ост
I
З. ут
R
СИ. отк
1,0 2,0 25
U
ЗИ. пор
не менее не более
Норма
параметра
–
–
−
–
–
1
10
| ±3 |
1,0
1,1
Температура
среды,
°С
25
25
25
Постоянное прямое напряжение диода, В
(U
= 0 В, IС = - 1 А, tи ≤ 2 мс, Q ≥ 50)
ЗИ
U
– 2,0 25
пр
Общий вид, габаритные и присоединительные размеры транзистора, а также участки контактных
площадок, к которым допускается производить пайку и сварку, указаны на чертеже.
Описание внешнего вида транзистора прилагается к ТУ и высылается потребителям по специальному
запросу.
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
8
Page 9
р
1,6 *
1,5*
Исток
1,043
0,126
1,2 *
1,1 *
0,500
0,534
0,700
0,256
0,664
1,443
Затво
Rz 40 ( )
Rz 0,4 *
Rz 0,05 *
0,34 ± 0,02*
Рисунок 1. Габаритный чертеж кристалла 2П524А-5
Примечание:
• размеры и шероховатость поверхностей даны для справок
• начало координат – левый нижний угол кристалла
• координаты даны по слою пассивация
Таблица 6. Физические характеристики кристалла 2П524А-5
Диаметр пластины, мм 100
Размер кристалла, мм 1,6х1,2
Размер контактной площадки исток, мм 0,4х0,2
Размер контактной площадки затвор, мм 0,13х0,13
Толщина пластины, мм 0,34
Металлизация планарной стороны Al - Si (1%)
Непланарная сторона подложка n+
Пассивация Низкотемпературное фосфоросиликатное стекло
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
9
Page 10
ОАО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь
Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой
учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.
ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик
изделий без предварительного уведомления.
Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают
полного совпадения конструкции и/или технологии. Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является
ближайшим или функциональным аналогом.
Контактная информация предприятия доступна на сайте:
http://www.integral.by
2П524 (февраль 2012г., редакция 1.1)
10
Loading...