Datasheet 1N4448, 1N4151, 1N4150, 1N4148 Datasheet (Diotec)

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1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448,
Small Signal Si-Diodes Si-Allzweck-Dioden
Nominal current 150 mA Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage 50…100 V
Ø 1.9
max
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case DO-35 Glasgehäuse SOD-27
Ø 0.56
max
Weight approx. 0.13 g Gewicht ca.
Standard packaging taped in ammo pack see page 17
Dimensions / Maße in mm Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack siehe Seite 17
Maximum ratings Grenzwerte
Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrpannung
V [V] V [V]
RRM RSM
1N 4148 75 100 1N 4150 50 50 1N 4151 50 75 1N 4448 75 100
Max. average forward rectified current, R-load T = 25°C I 150 mA )
A FAV
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Max. power dissipation T = 25°C P 500 mW )
A tot
Verlustleistung
Peak forward surge current, single half sine-wave, T = 25°C I 500 mA
A FSM
superimposed on rated load
Stoßstrom für eine 50Hz Sinus-Halbwelle,
überlagert bei Nennlast
1
1
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur T – 50…+200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T – 50…+200°C
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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j S
01.01.99
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1N 4148, 1N 4150, 1N 4151, 1N 4448,
Characteristics, T = 25°C Kennwerte, T = 25°C
j j
Type Forward voltage Leakage current Reverse recovery time *) Typ Durchlaßspannung Sperrstrom Sperrverzugszeit *)
V [V] at I [mA] I [nA] atV [V] t [ns]
F F R R rr
1N 4148 < 1 10 < 25 20 < 4 1N 4150 < 1 200 <100 50 < 4 1N 4151 < 1 50 < 50 50 < 2 1N 4448 < 1 100 < 25 20 < 4
*) I = 10 mA through / über I = 10 mA to / bis I = 1 mA, U = 6 V, R = 100
F R R R L
Thermal resistance junction to ambient air R < 0.3 K/mW )
thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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