TSIC™ DIGITALE HALBLEITERTEMPERATURSENSOREN TSIC206/306
Digitaler Temperaturwert
Messbereich –50 ... +150 °C / -58 ... +302 °F
Temp
(°C)
Temp
(°F)
Tsic 206 / 306
(digital)
-50 -58 0x000
-10 14 0x199
0 32 0x200
25 77 0x2FF
60 140 0x465
125 257 0x6FE
150 302 0x7FF
Absolute Grenzdaten
Parameter Min Max Einheit
Betriebsspannung (V+) -0,3 6,0 V
Spannung am Analogausgang I/O –Pins
(V
INA
, V
OUTA
)
-0,3 V
DDA
+ 0,3 V
Lagertemperaturbereich -50 150 °C
Betriebsdaten
Parameter Min Typ Max Einheit
Betriebsspannung
1
2,97 5,0 5,5 V
Versorgungsstrom (IV+)
@ V+ = 3,3 V, RT
30 45 80 µA
Umgebungstemperaturbereich (T
amb
)
-50 -- 150 °C
Ausgangskapazität
(CL)
-- -- 15 nF
Externe Kapazität
zwischen V+ und Gnd
3
(CV+)
80 100 470 nF
Ausgangsleistungswiderstand zwischen
Signal und Gnd (or V+)
47 -- --
kΩ
1
Betrieb im Spannungsbereich von 2,7 ... 2,97 V ist
mit reduzierter Genauigkeit möglich
3
Der Anschluss des Abblockkondensators muss so
nahe als möglich an den Anschlusspins des
Bauteils erfolgen.
Temperaturgenauigkeit TSIC 206
Parameter Min Typ MaxEinheit
T1: +10 ... 90 °C -0,5
±0,3
0,5 °C
T2: -20 ... 110 °C -0,5 +0,4 0,95 °C
T3: -50 ... 150 °C -0,5 +0,9 2,0 °C
Genauigkeitsangabe als 2σ Wert zuzüglich 1 digit
Quantisierungsfehler
Temperaturgenauigkeit TSIC 306
Parameter Min Typ Max Einheit
T1: +10 ... 90 °C -0,3
±0,3
0,3 °C
T2: -20 ... 110 °C -0,2 +0,3 0,95 °C
T3: -50 ... 150 °C 0 +0,9 2,0 °C
Genauigkeitsangabe als 2σ Wert zuzüglich 1 digit
Quantisierungsfehler
SO8-Gehäuse
SO8 Gehäuse (150 mil, Standard SMT Technologie, SOIC-8) nach IEC 191-2Q: Type 076E35 B
Pin Nr. Name Beschreibung
1 V+ Betriebsspannung (3 ... 5,5 V)
2 Signal Temperatur Ausgangssignal
4 Gnd Ground
3, 5 - 8 TP/NC Test Pin / NC (nicht verbinden)
TO92-Gehäuse
kleines THT Gehäuse, TO92 ähnlich
Pin Nr. Name Beschreibung
1 V+ Betriebsspannung (3 ... 5,5 V)
2 Signal Temperatur Ausgangssignal
3 Gnd Ground