Zetex (Now Diodes) FMMV3102 Schematic [ru]

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SOT23 SILICON PLANAR

 

 

 

 

FMMV3102

 

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

 

 

 

 

ISSUE 3 – JANUARY 1998

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PIN CONFIGURATION

 

 

 

 

 

2

 

1

 

 

 

 

1

 

 

 

 

PARTMARKING DETAIL

 

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMV3102 – 4C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

 

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

Ptot

330

 

mW

 

Operating and Storage Temperature Range

Tj:Tstg

 

-55 to +150

 

°C

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

Reverse Breakdown

VBR

30

 

 

V

IR = 10μA

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Reverse current

IR

 

 

10

nA

VR = 25V

 

 

 

 

 

 

 

Series Inductance

LS

 

3.0

 

nH

f=250MHz

 

 

 

 

 

 

 

Diode Capacitance

TCC

 

280

 

ppm/ °C

VR = 3V, f=1MHz

Temperature

 

 

 

 

 

 

Coefficient

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Case Capacitance

CC

 

0.1

 

pF

f=1MHz

TUNING CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

Diode Capacitance

Cd

20

 

25

pF

VR = 3V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

 

Capacitance Ratio

Cd / Cd

4.5

 

 

 

VR = 3V/25V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

 

Figure of MERIT

Q

200

300

 

 

VR = 3V, f=50MHz

 

 

 

 

 

 

 

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