Zetex (Now Diodes) FMMTA55, FMMTA55R, FMMTA56, FMMTA56R Schematic [ru]

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SOT23 PNP SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

FMMTA55

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

MEDIUM POWER TRANSISTORS

 

 

 

 

 

FMMTA56

ISSUE 3 – JANUARY 1996

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FEATURES

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

* Gain of 50 at IC=100mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARTMARKING DETAIL -

FMMTA55

- 2H

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA56

- 2G

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

FMMTA55R - NB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA56R - MB

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

SOT23

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

 

 

SYMBOL

FMMTA55

FMMTA56

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

 

VCBO

 

 

-60

 

-80

 

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

 

VCEO

 

 

-60

 

-80

 

V

 

Emitter-Base Voltage

 

 

 

 

VEBO

 

 

 

 

-4

 

 

V

 

Continuous Collector Current

 

 

IC

 

 

 

 

-500

 

 

mA

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

 

Ptot

 

 

 

 

330

 

 

mW

 

Operating and Storage Temperature

 

Tj:Tstg

 

 

-55 to +150

 

°C

 

Range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMTA55

 

FMMTA56

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

MAX.

MIN.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

-60

 

 

 

-80

 

 

V

 

 

IC=-1mA, IB=0*

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

-4

 

 

 

-4

 

 

V

 

 

IE=-100μA, IC=0

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

ICES

 

 

-0.1

 

 

-0.1

 

μA

 

 

VCE=-60V

 

 

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

ICBO

 

 

 

 

 

 

-0.1

 

μA

 

 

VCB=-80V, IE=0

 

Cut-Off Current

 

 

 

-0.1

 

 

 

 

 

 

 

VCB=-60V, IE=0

 

Static Forward

hFE

 

50

 

 

 

50

 

 

 

 

 

IC=-10mA, VCE=1V*

 

Current Transfer Ratio

 

 

50

 

 

 

50

 

 

 

 

 

IC=-100mA, VCE=1V*

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

-0.25

 

 

-0.25

 

V

 

 

IC=-100mA,

 

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB=-10mA*

 

 

Base-Emitter

VBE(on)

 

 

-1.2

 

 

-1.2

 

V

 

 

IC=-100mA, VCE=-1V*

 

Turn-On Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transition

fT

 

100

 

 

 

100

 

 

MHz

IC=-10mA, VCE=-2V

 

Frequency

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

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