Zetex (Now Diodes) FMMT617, FMMT618, FMMT619, FMMT624, FMMT625 Schematic [ru]

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SuperSOT

FMMT617 FMMT618

SOT23 NPN SILICON POWER FMMT619 FMMT624

FMMT625

(SWITCHING) TRANSISTORS

ISSUE 3 - NOVEMBER 1995

FEATURES

*

625mW POWER DISSIPATION

 

*

IC CONT 3A

E

*

12A Peak Pulse Current

C

*Excellent HFE Characteristics Up To 12A (pulsed)

* Extremely Low Saturation Voltage E.g. 8mV Typ.

 

 

 

 

 

 

 

 

B

 

* Extremely Low Equivalent On Resistance; RCE(sat)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DEVICE TYPE

COMPLEMENT

 

PARTMARKING

 

RCE(sat)

 

 

 

 

 

 

FMMT617

FMMT717

617

 

50mΩ at 3A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT618

FMMT718

618

 

50mΩ at 2A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT619

FMMT720

619

 

75mΩ at 2A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT624

FMMT723

624

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT625

625

 

-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT

FMMT

FMMT

FMMT

FMMT

 

 

PARAMETER

 

 

SYMBOL

617

 

618

 

619

 

624

625

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

VCBO

15

 

20

 

50

 

 

125

150

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

VCEO

15

 

20

 

50

 

 

125

150

V

 

Emitter-Base Voltage

 

VEBO

5

 

5

 

5

 

 

5

5

V

 

Peak Pulse Current**

 

ICM

12

 

6

 

6

 

 

3

3

A

 

Continuous Collector Current

 

IC

3

 

2.5

 

2

 

 

1

1

A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base Current

 

 

IB

 

 

 

500

 

 

 

mA

 

Power Dissipation at Tamb=25°C*

 

Ptot

 

 

 

625

 

 

 

mW

 

Operating and Storage Temperature

 

Tj:Tstg

 

 

 

-55 to +150

 

 

°C

 

Range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic substrate measuring 15x15x0.6mm

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2% Spice parameter data is available upon request for these devices

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FMMT618

FMMT619

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

 

 

FMMT618

FMMT619

 

 

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

V(BR)CBO

20

100

 

50

190

 

V

IC=100μA

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

20

27

 

50

65

 

V

IC=10mA*

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

5

8.3

 

5

8.3

 

V

IE=100μA

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

ICBO

 

 

100

 

 

 

nA

VCB=16V

Current

 

 

 

 

 

 

100

nA

VCB=40V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cut-Off

IEBO

 

 

100

 

 

100

nA

VEB=4V

Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Emitter

ICES

 

 

100

 

 

 

nA

VCES=16V

Cut-Off Current

 

 

 

 

 

 

100

nA

VCES=40V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

8

15

 

10

20

mV

IC=0.1A, IB=10mA*

Saturation Voltage

 

 

70

150

 

125

200

mV

IC=1A, IB=10mA*

 

 

 

 

 

 

150

220

mV

IC=2A, IB=50mA*

 

 

 

130

200

 

 

 

mV

IC=2.5A, IB=50mA*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

VBE(sat)

 

 

 

 

0.87

1.0

V

IC=2A, IB=50mA*

Saturation Voltage

 

 

0.89

1.0

 

 

 

V

IC=2.5A, IB=50mA*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

VBE(on)

 

 

 

 

0.80

1.0

V

IC=2A, VCE=2V*

Turn-On Voltage

 

 

0.79

1.0

 

 

 

V

IC=2.5A, VCE=2V*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward

hFE

200

400

 

200

400

 

 

IC=10mA, VCE=2V*

Current Transfer

 

300

450

 

300

450

 

 

IC=200mA, VCE=2V*

Ratio

 

 

 

 

200

400

 

 

IC=1A, VCE=2V*

 

 

200

360

 

100

225

 

 

IC=2A, VCE=2V*

 

 

100

180

 

 

40

 

 

IC=6A, VCE=2V*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Transition

fT

100

140

 

100

165

 

MHz

IC=50mA, VCE=10V

Frequency

 

 

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

Cobo

 

23

30

 

12

20

pF

VCB=10V, f=1MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Turn-On Time

t(on)

 

170

 

 

170

 

ns

VCC=10V, IC=1A

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB1=-IB2=10mA

Turn-Off Time

t(off)

 

400

 

 

750

 

ns

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

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