Zetex (Now Diodes) FMMT596TA Schematic [ru]

Loading...

FMMT596

SOT 23 PNP silicon planar high voltage transistor

Ordering information

Device

Reel size

Tape width

Quantity

 

(inches

(mm)

per reel

 

 

 

 

FMMT596TA

7

8

3,000

 

 

 

 

Device marking

 

 

 

C

 

 

 

 

596

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

Absolute maximum ratings

 

 

 

 

 

E

C

B Pinout - top view

Parameter

Symbol

Value

Unit

 

 

 

 

Collector-base voltage

VCBO

-220

V

Collector-emitter voltage

VCEO

-200

V

Emitter-base voltage

VEBO

-5

V

Peak pulse current

ICM

-1

A

Continuous collector current

IC

-0.3

A

Base current

IB

-200

mA

Power dissipation at Tamb=25°C

Ptot

500

mW

Operating and storage temperature range

Tj:Tstg

-55 to +150

°C

Issue 4 - July 2007

1

www.zetex.com

© Zetex Semiconductors plc 2007

FMMT596

Electrical characteristics (Tamb = 25°C)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Conditions

 

 

 

 

 

 

 

Collector-base breakdown

V(BR)CBO

-220

 

 

V

IC=-100 A

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-emitter breakdown

V(BR)CEO

-200

 

 

V

I =-10mA (*)

voltage

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-base breakdown

V(BR)EBO

-5

 

 

V

IE=-100 A

voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector cut-off current

ICBO

 

 

-100

nA

VCB=-200V

Emitter cut-off current

IEBO

 

 

-100

nA

VEB=-4V

Collector-emitter cut-off

ICES

 

 

-100

nA

VCES=-200V

current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-emitter saturation

VCE(sat)

 

 

-0.2

V

IC=-100mA, IB=-10mA,

voltage

 

 

 

-0.35

V

IB=-250mA,

 

 

 

 

 

 

I

=-25mA(*)

 

 

 

 

 

 

B

 

Base-emitter saturation

VBE(sat)

 

 

-1.0

V

I

=-250mA, I =-25mA(*)

voltage

 

 

 

 

 

C

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-emitter turn-on voltage

VBE(on)

 

 

-0.9

V

IC=-250mA,

 

 

 

 

 

 

V

=-10V(*)

 

 

 

 

 

 

CE

Static forward current

hFE

100

 

 

 

IC=-1mA, VCE=-10V

transfer ratio

 

100

 

 

 

IC=-100mA, VCE=-10V(*)

 

 

 

 

 

 

 

85

 

300

 

IC=-250mA, VCE=-10V(*)

 

 

35

 

 

 

IC=-400mA, VCE=-10V(*)

Transition frequency

fT

150

 

 

MHz

IC=-50mA, VCE=-10V,

 

 

 

 

 

 

f=100MHz

 

 

 

 

 

 

 

Output capacitance

Cobo

 

 

10

pF

VCB=-10V, f=1MHz

Switching times

td

 

22

 

ns

IC=-200mA, VCC=-80V

 

tr

 

19

 

 

Ib1=Ib2=-20mA

 

ts

 

472

 

 

 

 

 

tf

 

70

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Switching times

td

 

44

 

ns

IC=-100mA, VCC=-80V

 

tr

 

31

 

 

Ib1=Ib2=-10mA

 

ts

 

665

 

 

 

 

 

tf

 

76

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

NOTES:

(*) Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300 s. Duty cycle 2%.

Issue 4 - July 2007

2

www.zetex.com

© Zetex Semiconductors plc 2007

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FMMT596

Typucal characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

 

 

 

+25°C

 

 

 

 

 

 

IC/IB=10

 

 

 

(V)

0.3

IC/IB=10

 

 

(V)

 

0.3

 

 

-55°C

 

 

 

IC/IB=50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+25°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-

 

 

 

 

-

 

 

 

 

+100°C

 

 

CE(sat)

0.2

 

 

 

CE(sat)

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

0.1

 

 

 

V

 

0.1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

10mA

100mA

1A

 

 

0

 

10mA

100mA

1mA

 

1mA

 

 

1mA

 

 

IC-collector current

 

 

 

 

 

 

IC-collector current

 

 

 

VCE(sat) v IC

 

 

 

 

 

 

VCE(sat) v IC

 

 

320

 

VCE=10V

 

 

 

1.0

IC/IB=10

 

 

 

 

+100°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

gain

240

 

 

 

(V)-

 

0.8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

typical-

+25°C

 

 

 

BE(sat)

 

 

 

 

 

 

-55°C

 

 

 

 

 

 

 

+100°C

 

 

160

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-55°C

 

 

 

 

 

 

 

 

0.4

 

 

 

+25°C

 

FE

80

 

 

 

V

 

0.2

 

 

 

 

 

h

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

10mA

100mA

1A

 

 

0

 

10mA

100mA

1mA

 

1mA

 

 

1mA

 

 

IC-collector current

 

 

 

 

 

 

IC-collector current

 

 

 

 

hFE v IC

 

 

 

 

 

 

VBE(sat) v IC

 

 

1.0 VCE=10V

 

 

 

(A)

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BE(on)

0.4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

current

 

 

 

 

 

 

 

(V)-

0.8

 

 

 

 

 

0.1

 

 

 

 

 

0.6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

collector-

 

 

 

 

 

 

 

0.2

 

+100°C

 

 

 

 

DC

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-55°C

 

 

0.01

 

1s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100ms

 

 

 

 

 

 

+25°C

 

 

 

 

 

1ms

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100 s

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

I

 

 

 

 

 

 

 

 

0

10mA

100mA

1A

0.001

 

1V

10V

100V

1000V

 

1mA

 

 

0.1V

 

 

IC-collector current

 

 

 

 

 

VCE-collector emitter voltage (V)

 

 

VBE(on) v IC

 

 

 

 

 

Safe operating area

 

Issue 4 - July 2007

3

www.zetex.com

© Zetex Semiconductors plc 2007

+ 4 hidden pages