Zetex (Now Diodes) BFN16 Schematic [ru]

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SOT89 NPN SILICON PLANAR

 

 

 

 

 

 

BFN16

 

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

 

 

 

 

 

 

 

ISSUE 3 - OCTOBER 1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

COMPLEMENTARY TYPE -

BFN17

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

PARTMARKING DETAILS -

DD

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

SYMBOL

 

 

 

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

VCBO

 

 

250

 

V

 

Collector-Emitter Voltage

 

 

VCEO

 

 

250

 

V

 

Emitter-Base Voltage

 

 

VEBO

 

 

5

 

V

 

Peak Pulse Current

 

 

ICM

 

 

500

 

mA

 

Continuous Collector Current

 

IC

 

 

200

 

mA

 

Base Current

 

 

IB

 

 

100

 

mA

 

Power Dissipation at Tamb=25°C

 

Ptot

 

 

1

 

W

 

Operating and Storage Temperature Range

Tj:Tstg

 

 

-65 to +150

 

°C

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C).

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

 

MAX.

UNIT

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

V(BR)CBO

250

 

 

V

 

IC=100μA

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

250

 

 

V

 

IC=1mA

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base Breakdown

V(BR)EBO

5

 

 

V

 

IE=100μA

 

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off Current

ICBO

 

 

100

nA

 

VCB=250V

 

 

 

 

 

 

20

μA

 

VCB=250V, Tamb=150 °C

 

Emitter Cut-Off Current

IEBO

 

 

100

nA

 

VEB=3V

 

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

 

0.4

V

 

IC=20mA, IB=2mA

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter Saturation

VBE(sat)

 

 

0.9

V

 

IC=20mA, IB=2mA

 

Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward Current

hFE

25

 

 

 

 

 

IC=1mA,VCE=10V*

 

Transfer Ratio

 

40

 

 

 

 

 

IC=10mA, VCE=10V

 

 

 

40

 

 

 

 

 

IC=30mA, VCE=10V

 

Transition Frequency

fT

Typ.70

 

 

MHz

 

IC=20mA, VCE=10V*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f=20MHz

 

 

Output Capacitance

Cobo

Typ.1.5

 

 

pF

 

VCB=30V,f=1MHz

 

 

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2% For typical characteristics graphs see FMMTA42 datasheet

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