Zetex (Now Diodes) BCV28 Schematic [ru]

Loading...

 

 

BCV28 IS OBSOLETE

 

 

 

 

 

 

 

 

PLEASE USE FCX705

 

 

 

 

 

 

SOT89 PNP SILICON

 

 

 

 

 

 

BCV28

 

DARLINGTON TRANSISTOR

 

 

 

 

 

 

ISSUE 3 – SEPTEMBER 1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

COMPLEMENTARY TYPE – BCV29

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C

 

 

PARTMARKING DETAIL –

ED

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

E

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B

C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

 

 

 

 

 

 

SOT89

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

 

 

SYMBOL

 

VALUE

 

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base Voltage

 

 

VCBO

 

-40

 

V

 

 

Collector-Emitter Voltage

 

VCEO

 

-30

 

V

 

 

Emitter-Base Voltage

 

 

VEBO

 

-10

 

V

 

 

Peak Pulse Current

 

 

ICM

 

-800

 

mA

 

 

Continuous Collector Current

 

IC

 

-500

 

mA

 

 

Power Dissipation at Tamb =25°C

 

Ptot

 

1

 

W

 

 

Operating and Storage Temperature

Tj:Tstg

-65 to +150

 

°C

 

 

Range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25°C unless otherwise stated).

 

 

PARAMETER

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

CONDITIONS.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Base

V(BR)CBO

-40

 

 

V

 

 

IC=100μA

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector-Emitter

V(BR)CEO

-30

 

 

V

 

 

IC=10mA*

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter-Base

V(BR)EBO

-10

 

 

V

 

 

IE=10μA

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cut-Off

ICBO

 

 

-100

nA

 

 

VCB=-30V

 

 

 

Current

 

 

 

-10

μA

 

 

VCB=-30V, Tamb=150°C

 

 

Emitter Cut-Off Current

IEBO

 

 

-100

nA

 

 

VEB=-4V

 

 

 

Collector-Emitter

VCE(sat)

 

 

-1

V

 

 

IC=-100mA, IB=-0.1mA*

 

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Base-Emitter

VBE(sat)

 

 

-1.5

V

 

 

IC=-100mA, IB=-0.1mA*

 

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Static Forward Current

hFE

4000

 

 

 

 

 

IC=-100μA, VCE=-1V†

 

 

Transfer Ratio

 

10000

 

 

 

 

 

IC=-10mA, VCE=-5V*

 

 

 

 

20000

 

 

 

 

 

IC=-100mA, VCE=-5V*

 

 

 

 

4000

 

 

 

 

 

IC=-0.5mA, VCE=-5V*

 

 

Transition Frequency

fT

 

200

 

MHz

 

 

IC=-50mA, VCE=-5V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f = 20MHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Output Capacitance

Cobo

 

4.5

 

pF

 

 

VCB=-10V, f=1MHz

 

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300μs. Duty cycle 2%

 

 

 

 

 

 

† Periodic Sample Test Only.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 - 23

+ 1 hidden pages