OMNI 2N7222, 2N7221, 2N7219, 2N7218, JANTXV2N7222, JANTXV2N7218, JANTX2N7222, JANTX2N7219, JANTX2N7218, JANTXV2N7221, JANTXV2N7219, JANTX2N7221 Datasheet

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2N7218,

JANTX2N7218,

JANTXV2N7218

2N7221,

JANTX2N7221,

JANTXV2N7221

2N7219,

JANTX2N7219,

JANTXV2N7219

2N7222,

JANTX2N7222,

JANTXV2N7222

 

 

 

 

 

 

JANTX, JANTXV POWER MOSFET IN TO-254AA PACKAGE, QUALIFIED TO MIL-PRF-19500/596

100V Thru 500V, Up to 28A, N-Channel,

MOSFET Power Transistor, Repetitive Avalanche Rated

FEATURES

Repetitive Avalanche Rating

Isolated and Hermetically Sealed

Low RDS(on)

Ease of Paralleling

Ceramic Feedthroughs

Qualified to MIL-PRF-19500

DESCRIPTION

This hermetically packaged QPL product features the latest advanced MOSFET and packaging technology. Itis ideally suited for Military requirements where small size, high performance and high reliability are required, and in applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

PRIMARY ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ TC = 25°C

PART NUMBER

VDS, Volts

RDS(on)

ID, Amps

2N7218

100

.070

28

2N7219

200

.18

18

2N7221

400

.55

10

2N7222

500

.85

8

SCHEMATIC

 

 

 

MECHANICAL OUTLINE

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.545

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.050

 

 

 

 

 

 

 

.144 DIA.

 

 

 

.535

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.040

Pin Connection

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pin 1: Drain

 

 

 

 

 

 

.685

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.800

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Pin 2:

Source

 

 

 

 

 

 

.665

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.790

 

.550

 

 

 

 

 

Pin 3:

Gate

 

 

 

 

 

 

 

 

1

2

 

3

 

 

 

 

 

.530

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.550

 

 

 

 

 

 

 

 

.005

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.510

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.045

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.150 TYP.

 

 

 

 

 

 

 

.035

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.150 TYP.

 

 

 

 

.260

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

.249

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7 03 R0

3.1- 1

 

 

 

 

 

2N7218, JANTX2N7218, JANTXV2N7218

 

 

2N7221, JANTX2N7221, JANTXV2N7221

 

2N7219, JANTX2N7219, JANTXV2N7219

 

 

2N7222, JANTX2N7222, JANTXV2N7222

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

 

 

 

 

JANTXV, JANTX, 2N7218

 

Units

 

 

 

 

 

 

ID @

VGS = 10V, TC = 25°C

Continuous Drain Current

 

 

28

 

A

 

 

 

 

 

 

ID @

VGS = 10V, TC = 100°C

Continuous Drain Current

 

 

20

 

A

 

 

 

 

 

 

ID M

 

 

Pulsed Drain Current1

 

 

 

 

112

 

A

 

 

 

 

 

 

PD @

TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

 

 

125

 

W

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Linear Derating Factor

 

 

1.0

 

W/°C

 

 

 

 

 

 

VG S

 

Gate-Source Voltage

 

 

 

 

± 20

 

V

 

 

 

 

 

 

EAS

 

Single Pulse Avalanche Energy 2

 

250 4

 

mJ

 

 

 

 

 

 

IA R

 

 

Avalanche Current1

 

 

 

 

28 4

 

A

 

 

 

 

 

 

EA R

 

Repetitive Avalanche Energy1

 

 

12.5 4

 

mJ

 

 

 

 

 

 

TJ

 

 

Operating Junction

 

 

 

 

-55 to 150

 

°C

 

 

 

 

 

 

TSTG

 

Storage Temperature Range

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Lead Temperature

 

 

 

300(.06 from case for 10 sec)

 

°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ELECTRICAL

 

CHARACTERISTICS @

TJ = 25°C (Unless Otherwise Specified)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

Min.

Typ.

 

Max.

Units

Test Conditions

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

BVDSS

Drain-Source

 

100

 

 

 

V

VG S =0V,ID =1.0 mA,

 

 

 

 

 

 

 

 

Breakdown Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

RDS(on)

Static Drain-to-Source

 

-

-

 

0.077

 

VG S =10V,ID = 20 A 3

 

 

 

 

 

 

 

 

On-State Resistance

 

-

-

 

0.125

 

VG S =10V,ID = 28 A 3

 

 

 

 

 

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

 

2.0

-

 

4.0

V

VDS = VG S,ID = 250 µA

 

 

 

 

 

IDSS

Zero Gate Voltage Drain

 

-

-

 

25

µA

VDS = 80 V, VG S = 0V

 

 

 

 

 

 

 

 

Current

 

-

-

 

250

VDS = 80 V, VG S = 0V, TJ = 125°C

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IGSS

Gate -to-Source Leakage Forward

-

-

 

100

nA

VG S = 20 V

 

 

 

 

 

IGSS

Gate -to-Source Leakage Reverse

-

-

 

-100

nA

VG S = -20 V

 

 

 

 

 

QG(on)

On-state Gate Charge

 

-

-

 

59

nC

VG S =10V,ID = 28A

 

 

 

 

 

QG S

Gate-to-Source Charge

 

-

-

 

16

nC

VDS = 50 V

 

 

 

 

 

QGd

Gate-to-Drain (“Miller”) Charge

-

-

 

30.7

nC

See note 4

 

 

 

 

 

tD(on)

Turn-On Delay Time

 

-

-

 

21

ns

VD D =50V,ID = 20A, RG =9.1

 

 

 

tr

 

 

Rise Time

 

-

-

 

105

ns

See note 4

 

 

 

 

 

tD(off)

Turn-Off Delay Time

 

-

-

 

64

ns

 

 

 

 

 

 

 

tr

 

 

Fall Time

 

-

-

 

65

ns

 

 

 

 

 

 

 

Source-Drain Diode Ratings and Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

Min.

Typ.

 

Max.

Units

Test Conditions

 

 

 

 

 

VSD

Diode Forward Voltage

 

-

-

 

1.5

V

TJ = 25°C, IS = 28A 3,VG S = 0 V

 

 

 

ttr

 

 

Reverse Recovery Time

 

-

-

 

400

ns

TJ = 25°C, IF= 28A,di/dt<100A/µs 3

 

 

 

Thermal Resistance

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Parameter

 

Min.

Typ.

 

Max.

Units

Test Conditions

 

 

 

 

 

RthJC

Junction-to-Case

 

-

-

 

1.0

 

Mounting surface flat,

 

 

 

RthCS

Case-to-sink

 

-

0.21

 

-

°C/W

smooth, and greased

 

 

 

RthJA

Junction-to-Ambient

 

-

-

 

48

 

Typical socket mount

 

 

 

 

 

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

 

 

 

 

 

 

2.

@VD D= 25V, Starting TJ = 25°C,L > 480 µH, RG = 25

, Peak IL = 28A

 

 

 

 

 

 

 

3.

Pulse width < 300 µs; Duty Cycle < 2 %

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

See MIL-S-19500/596

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

205 Crawford Street, Leominster, MA 01453 USA (508) 534-5776 FAX (508) 537-4246

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