NEC Electronics Inc UPA813T-T1, UPA813T Datasheet

Loading...
NEC Electronics Inc UPA813T-T1, UPA813T Datasheet

PRELIMINARY DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

μPA813T

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 × 2SC4570) SMALL MINI MOLD

μPA813T has built-in 2 transistors which were developed for UHF.

FEATURES

High fT

fT = 5.5 GHz TYP. (@VCE = 5 V, IC = 5 mA, f = 1 GHz)

Small Collector Capacitance

Cob = 0.7 pF TYP. (@VCB = 5 V, IE = 0, f = 1 MHz)

A Surface Mounting Package Adopted

Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4570)

PACKAGE DRAWINGS

(Unit: mm)

2.1±0.1

1.25±0.1

 

 

 

 

 

 

+0.1

–0

2.0±0.2

1.3

0.65 0.65

2 1

Y X

5 6

0.2

 

 

 

3

 

4

 

 

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

QUANTITY

PACKING STYLE

 

 

 

μPA813T

Loose products

Embossed tape 8 mm wide. Pin 6 (Q1

 

(50 PCS)

Base), Pin 5 (Q1 Emitter), Pin 4 (Q2 Emitter)

 

 

face to perforation side of the tape.

 

 

 

μPA813T-T1

Taping products

 

 

(3 KPCS/Reel)

 

 

 

 

Remark If you require an evaluation sample, please contact an NEC Sales

Representative. (Unit sample quantity is 50 pcs.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

PARAMETER

SYMBOL

RATING

UNIT

 

 

 

 

Collector to Base Voltage

VCBO

20

V

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage

VCEO

12

V

 

 

 

 

Emitter to Base Voltage

VEBO

3

V

 

 

 

 

Collector Current

IC

30

mA

 

 

 

 

Total Power Dissipation

PT

120 in 1 element

mW

 

 

160 in 2 elementsNote

 

Junction Temperature

Tj

125

˚C

 

 

 

 

Storage Temperature

Tstg

–55 to +125

˚C

 

 

 

 

Note 90 mW must not be exceeded in 1 element.

0.9±0.1

0.7

+0.1

–0

 

0.1

0.15

 

0 to

 

 

PIN CONFIGURATION (Top View)

6

5

4

Q1

Q2

1

 

2

 

3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PIN CONNECTIONS

 

1.

Collector (Q1)

4.

Emitter (Q2)

2.

Base (Q2)

5.

Emitter (Q1)

3.

Collector (Q2)

6.

Base (Q1)

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. P11466EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 1996 P

Printed in Japan

©

 

1995

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

μPA813T

 

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

PARAMETER

SYMBOL

 

CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Cutoff Current

ICBO

VCB = 15 V, IE = 0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Emitter Cutoff Current

IEBO

VEB = 1 V, IC =

0

 

 

0.1

μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter

VCE (sat)

hFE = 10, IC = 5 mA

 

 

0.5

V

 

 

Saturation Voltage

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current Gain

hFE

VCE = 5 V, IC =

5 mANote 1

60

 

200

 

 

 

Gain Bandwidth Product

fT

VCE = 5

V, IC =

5 mA, f = 1 GHz

 

5.5

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Feed-back Capacitance

Cre

VCB = 5

V, IE =

0, f = 1 MHzNote 2

 

0.7

0.9

pF

 

 

Insertion Power Gain

|S21e|2

VCE = 5

V, IC =

5 mA, f = 1 GHz

5

 

 

dB

 

 

hFE Ratio

hFE1/hFE2

VCE = 5

V, IC =

5 mA

0.85

 

 

 

 

 

 

 

A smaller value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE1 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

A larger value among

 

 

 

 

 

 

 

 

hFE of hFE2 = Q1, Q2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Notes 1. Pulse Measurement: Pw 350 μs, Duty cycle 2 %

 

 

 

 

 

2. Measured with 3-pin bridge, emitter and case should be connected to guard pin of bridge.

hFE CLASSIFICATION

Rank

FB

 

GB

 

 

 

 

Marking

73T

 

74T

 

 

 

 

hFE Value

60 to 120

 

100 to 200

 

 

 

 

TYPICAL CHARACTERISTICS

(TA = 25 °C)

 

 

PT - TA

Characteristics

 

(mW)PT

150

160 mW

 

Free Air

 

 

 

(mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DissipationPowerTotal

 

120 mW

 

 

 

CurrentCollectorIC

100

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Elements

 

 

 

Per

 

 

 

50

Element

in

 

 

 

Total

 

 

0

50

 

 

100

150

 

 

Ambient Temperature TA (°C)

 

IC - VBE Characteristics

24

VCE = 5 V

16

8

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

 

Base to Emitter Voltage VBE (V)

 

2

Collector Current IC (mA)

Gain Bandwidth Product fT (GHz)

Insertion Power Gain l S21e l 2 (dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC - VCE Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

30

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IB =

160μA

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

140 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

120μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

100μA

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60 μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20μA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

2

 

4

 

 

6

 

8

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

fT - IC Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f =

1

 

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE

 

=

 

5

 

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

1

 

 

2

5

 

10

 

20

50

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l S21e l 2 - f Characteristics

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

IC =

5 mA

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 5 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

0.2

 

0.5

1.0

2.0

 

 

 

5.0

 

Frequency f (GHz)

μPA813T

hFE - IC Characteristics

 

200

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE

= 5

V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain hFE

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

DC Current

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

1

2

5

10

20

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector Current IC (mA)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l S21e l 2 - IC Characteristics

 

 

 

 

16

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l 2 (dB)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

= 1

GHz

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

VCE = 5 V

 

 

 

l S21e

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 V

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Gain

8

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Power

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Insertion

4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.5

1

2

5

10

20

50

Collector Current IC (mA)

Cob - VCB Characteristics

 

2.0

 

 

 

 

 

ob (pF)

 

 

 

 

 

f = 1 MHz

1.0

 

 

 

 

 

C

 

 

 

 

 

 

Copacitance

0.7

 

 

 

 

 

0.5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Collector

0.2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

0.1

2

5

7

10

20

 

1

 

 

Collector to Base Voltage VCB (V)

3

+ 5 hidden pages